一种天线制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种天线，包括反射板，以及设于反射板同侧的、分别由若干高频辐射单元及低频辐射单元组成的高频辐射单元阵列及低频辐射单元阵列，所述高频辐射单元上方设有与所述反射板平行的介电体，这样，介电体的设置可降低极化电流产生的二次辐射场所引起的不利影响，有效改善天线驻波、隔离以及交叉极化特性，并且波束收敛性好，大幅提高了天线电性能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及移动通信基站天线
，尤其涉及一种天线。
技术介绍
目前用于移动通信基站的移动通信天线，通常由若干个辐射单元通过一定的排列放置于反射板上，再置于天线罩内组成。由于天线罩和反射板等金属边界位于天线的近场区，导致天线辐射的电磁波在天线罩内激励起极化电流，而极化电流产生的二次辐射场则会影响天线的辐射方向图、S参数或带宽，另外极化电流产生的二次辐射场与天线的工作频率相关。 在全球移动通信系统(GSM)、通用移动通信系统(UMTS)、长期演进(LTE)等多种通信制式共存的无线系统中，因大量使用超宽频天线，特别是超宽频多频双极化天线，其极化电流产生的二次辐射场已经严重影响天线的电性能。
技术实现思路
本技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种天线，以降低极化电流产生的二次辐射场所引起的不利影响，提高天线电性能。本技术实施例进一步所要解决的技术问题在于提供一种天线，包括反射板，以及设于反射板同侧的、分别由若干高频辐射单元及低频辐射单元组成的高频辐射单元阵列及低频辐射单元阵列，所述高频辐射单元上方设有与所述反射板平行的介电体。进一步的，所述高频辐射单元及低频辐射单元沿反射板轴向共轴设置，相邻的低频辐射单元之间设置有两个高频辐射单元，且每个低频辐射单元中嵌套有一个高频辐射单元，所述高频辐射单元所在平面低于所述低频辐射单元所在平面，所述介电体分别设置于所述高频福射单元与低频福射单元之间以及所述低频福射单元上方。进一步的，所述高频辐射单元之间等间距排列，相邻两高频辐射单元之间间距取值为其中心频率对应波长的O. 65-0. 9倍，相邻两低频辐射单元之间间距取值为其中心频率对应波长的O. 75-0. 95倍。进一步的，所述高频辐射单元为工作频率在1710-2690MHZ的高频辐射单元，低频辐射单元为工作频率在790-960MHZ的低频辐射单元；相邻两高频辐射单元之间间距取值为88. 7-122. 8mm，相邻两低频辐射单元之间间距取值为257. 2-325. 8mm。进一步的，所述高频辐射单元阵列与低频辐射单元阵列沿反射板轴向平行设置，且所述高频辐射单元阵列分设于所述低频辐射单元阵列两侧。进一步的，所述介电体的面积等于或大于其下方所设高频辐射单元的正投影面积。 进一步的,所述高频福射单元上方设有金属环。进一步的，所述介电体通过支撑柱设置于所述高频辐射单元上方，所述金属环套设于所述支撑柱上并且位于所述介电体与高频辐射单元之间；或者，所述金属环设置于所述介电体上方。进一步的，所述介电体为长条形结构且面积等于或大于其下方所设至少两个高频辐射单元的正投影面积，所述介电体上对应于相邻两高频辐射单元之间的间隙部位设有金属条。进一步的，所述高频辐射单元与反射板之间绝缘设置。本技术实施例的有益效果是通过提供一种天线，包括反射板，以及设于反射板同侧的、分别由若干高频辐射单元及低频福射单元组成的高频福射单元阵列及低频福射单元阵列，所述高频福射单元上方设有与所述反射板平行的介电体，这样，介电体的设置可降低极化电流产生的二次辐射场 所引起的不利影响，有效改善天线驻波、隔离以及交叉极化特性，并且波束收敛性好，大幅提高了天线电性能。附图说明图I是本技术第一实施例的天线的立体图。图2是本技术第一实施例的天线的俯视图。图3是本技术第一实施例的天线的主视图。图4是本技术实施例中介电体Al的立体图。图5是本技术实施例中介电体Al的俯视图。图6是本技术实施例中介电体Al的左视图。图7是本技术实施例中介电体Al的主视图。图8是本技术实施例中介电体A2的立体图。图9是本技术实施例中介电体A2的俯视图。图10是本技术实施例中介电体A2的主视图。图11是本技术第五实施例的天线的立体图。图12是本技术第五实施例的天线的俯视图。图13是本技术第五实施例的天线的主视图。图14是本技术第一实施例中天线未设置介电体Al及A2时两低频辐射单元103之间的高频辐射单元102的隔离度示意图。图15是本技术第一实施例中天线未设置介电体Al及A2时低频辐射单元103中嵌套的高频辐射单元102的隔离度示意图。图16是本技术第一实施例中天线设置介电体Al及A2时两低频辐射单元103之间的高频辐射单元102的隔离度示意图。图17是本技术第一实施例中天线设置介电体Al及A2时低频辐射单元103中嵌套的高频辐射单元102的隔离度示意图。图18是本技术第一实施例中天线未设置介电体Al及A2时两低频辐射单元103之间的高频辐射单元102的驻波示意图。图19是本技术第一实施例中天线未设置介电体Al及A2时低频辐射单元103中嵌套的高频辐射单元102的驻波示意图。图20是本技术第一实施例中天线设置介电体Al及A2时两低频辐射单元103之间的高频辐射单元102的驻波示意图。图21是本技术第一实施例中天线设置介电体Al及A2时低频辐射单元103中嵌套的高频辐射单元102的驻波示意图。图22是本技术第一实施例中天线未设置介电体Al及A2时交叉极化示意图。图23是本技术第一实施例中天线设置介电体Al及A2时交叉极化示意图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，以下结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细说明。如图I-图3所示，本技术第一实施例的超宽频多频天线包括反射板101，以及设于反射板101同侧的、分别由若干高频辐射单元102及低频辐射单元103组成的高频辐射单元阵列及低频辐射单元阵列，高频辐射单元102上方设有与反射板101平行的介电体104。上述超宽频多频天线可为超宽频双频及以上的多频天线。图I-图3中，天线包括两个低频福射单元103和八个高频福射单元102,高频福射单元102及低频辐射单元103沿反射板101轴向共轴设置，相邻的低频辐射单元103之间设置有两个高频辐射单元102，且每个低频辐射单元103中嵌套有一个高频辐射单元102，高频辐射单元102所在平面低于低频辐射单元103所在平面。高频辐射单元102之间等间距排列，相邻两高频辐射单元102之间间距取值为其中心频率对应波长的O. 65-0. 9倍，相邻两低频辐射单元103之间间距取值为其中心频率对应波长的O. 75-0. 95倍。在具体实现时，高频辐射单元102可为工作频率在1710-2690MHZ的高频辐射单元，低频辐射单元103为工作频率在790-960MHZ的低频辐射单元；相邻两高频辐射单元103之间间距取值为88. 7-122. 8mm中任一数值，相邻两低频辐射单元102之间间距取值为257. 2-325. 8mm中任一数值。优选的，相邻两高频辐射单元102之间间距取值为100mm，相邻两低频辐射单元103之间间距取值为300mm，通过这种设置，可避免产生较大的天线栅瓣，显著改善天线电性能。当天线在下倾10°时，根据图I所示的阵列组合，本技术实施例的一种情形相邻两低频辐射单元103之间间距取值为300mm、高频辐射单元102工作频率为2690MHz时(即相邻两低频辐射单元103之间间距约为相邻两高频辐射单元102之间间距的3倍)，与作为对比的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种天线，包括反射板，以及设于反射板同侧的、分别由若干高频辐射单元及低频辐射单元组成的高频辐射单元阵列及低频辐射单元阵列，其特征在于，所述高频辐射单元上方设有与所述反射板平行的介电体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：叶海欧，吴中林，石磊，洪何知，余夙琼，余明江，严波，方铁勇，
申请(专利权)人：广东通宇通讯股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：