一种大功率放大电路制造技术

技术编号:8348588 阅读:219 留言:0更新日期:2013-02-21 03:06
本发明专利技术涉及一种大功率放大电路,该放大电路包括晶体管Q2、比较器、信号发生器、电压采样模块、电阻R1、电阻R2及CMOS管Q1;所述的晶体管Q2的集电极与电源Us连接,晶体管Q2的发射极接地,晶体管Q2的基极与比较器的输出端连接;所述的比较器的一个输入端与电压采样模块连接,另一个输入端与信号发生器连接;所述的CMOS管Q1的栅极通过电阻R1与电源Us连接,漏极连接直流电源,源极依次连接电阻R2、电压采样模块后接地。与现有技术相比,本发明专利技术具有可以实现多种波形的放大,而且还可以驱动大功率的用电器等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电路,尤其是涉及一种大功率放大电路
技术介绍
放大电路在电子学的领域中非常常见,其实质是用能量比较小的输入信号来控制另一个能源,使输出端的负载上得到功率比较大的信号。放大电路的基本形式有三种共发射极放大电路,共基极放大电路和共集电极放大电路,通过这三种基本形式的组合,形成了多种放大器。现在使用最广的是以晶体管(双极型晶体管或场效应晶体管)放大电路为基础的集成放大器。由于材料和晶体管参数的限制,此种放大电路能够驱动的电压低,并且功率小,不能满足客户需求。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种可以实现多种波形的放大,而且还可以驱动大功率的用电器的大功率放大电路。本专利技术的目的可以通过以下技术方案来实现一种大功率放大电路,其特征在于, 该放大电路包括晶体管Q2、比较器、信号发生器、电压采样模块、电阻R1、电阻R2及CMOS管 Ql ;所述的晶体管Q2的集电极与电源Us连接,晶体管Q2的发射极接地,晶体管Q2的基极与比较器的输出端连接;所述的比较器的一个输入端与电压采样模块连接,另一个输入端与信号发生器连接;所述的CMOS管Ql的栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率放大电路,其特征在于,该放大电路包括晶体管Q2、比较器、信号发生器、电压采样模块、电阻R1、电阻R2及CMOS管Q1;所述的晶体管Q2的集电极与电源Us连接,晶体管Q2的发射极接地,晶体管Q2的基极与比较器的输出端连接;所述的比较器的一个输入端与电压采样模块连接,另一个输入端与信号发生器连接;所述的CMOS管Q1的栅极通过电阻R1与电源Us连接,漏极连接直流电源,源极依次连接电阻R2、电压采样模块后接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:毛文斌顾建军
申请(专利权)人:上海普锐马电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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