一种高导磁率低磁芯损耗软磁铁氧体材料制造技术

本发明专利技术涉及一种软磁铁氧体材料，包括主成分和添加剂，其中，主成分按照摩尔百分比包括：50.5～57mol%的Fe2O3、31～39mol%的MnO和7～15mol%的ZnO；添加剂按照占所述软磁铁氧体材料的重量百分比计包括：20～80ppm的SiO2、100～500ppm的CaO、250～600ppm的Nb2O5、400～1000ppm的Co2O3和150～400ppm的V2O5。所述软磁铁氧体材料采用常规原材料，成本较低，并且具有较高的导磁率和较低的磁芯损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁性材料
，具体地，本专利技术涉及一种软磁铁氧体材料。
技术介绍
软磁铁氧体材料是以Fe2O3为主成分、具有软磁特性的铁氧体，其特征是容易磁化和退磁。软磁铁氧体材料是一种用途广、产量大、成本低的基础材料，是电子、机电工业重要的支柱产品之一，它的推广应用直接影响到电子信息、家电工业、计算机与通讯、环保及节能技术的发展，也是衡量一个国家经济发达程度的标志之一。软磁铁氧体材料的实用化，至今已半个世纪，由于它具有高磁导率、高电阻率、低损耗、良好的高频特性及陶瓷的耐磨性，因而在电视机的电子束偏转线圈、回扫变压器、收音机扼流圈、中周变压器、电感器、开关电源、通讯设备、滤波器、计算机、电子镇流器、LED等绿色照明、太阳能及风能等新能源、汽车电子、物联网等领域得到广泛应用；随着电子技术日益广泛的应用，特别是数字电路和开关电源应用的普及，电磁干扰(EMI)问题日益重要，世界各国对电子仪器及测量设备抗电磁干扰性能提出的标准越来越高。因此，以软磁铁氧体为基础的EMI磁性元件发展迅速，产品种类繁多，如电磁干扰抑制器、电波吸收材料、倍频器、调制器等，己成为现代军事电子设备、工业和民用电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种软磁铁氧体材料，包括主成分和添加剂，其中，主成分按照摩尔百分比包括：50.5～57mol%的Fe2O3、31～39mol%的MnO和7～15mol%的ZnO；添加剂按照占所述软磁铁氧体材料的重量百分比计包括：20～80ppm的SiO2、100～500ppm的CaO、250～600ppm的Nb2O5、400～1000ppm的Co2O3和150～400ppm的V2O5。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李前军，蔡中德，沈建元，王晓祥，王步猛，徐升宝，陆明兵，蔡春桥，陈维兆，
申请(专利权)人：天长市中德电子有限公司，
类型：发明
国别省市：