本发明专利技术公开了一种电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置，在彩膜基板上设置沿像素单元的行方向延伸的触控感应电极，在TFT阵列基板上采用双栅结构，即相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线，每相邻的两列像素单元为一组像素单元列，共用一个位于该两列像素单元之间的数据信号线，节省出一部分数据信号线的位置。因此，可以在节省出的数据信号线的位置设置实现触控功能的触控驱动电极，即将触控驱动电极设置在相邻像素单元列之间的间隙处，既可以保证触控所需的精度，又不会过多占用像素单元的开口区域，能够保证触摸屏具有较大的开口率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示>J-U ρ α装直。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分开生产,然·后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏，外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部，可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。为了能够最大限度的提高触摸显示屏的开口率，在设计触摸屏的TFT阵列基板中的像素结构时可以采用双栅(Dual Gate)结构，如图I所示，在双栅结构中，TFT阵列基板上的相邻行的像素单元之间具有两个栅极信号线，例如Gatel和Gate2、Gate3和Gate4、Gate5和Gate6，且每相邻的两列像素单元为一组，共用一个位于该两列像素单元之间的数据信号线Datel、Date2、Date3。双栅结构通过增加一倍数量的栅极信号线，减少了数据信号线及源极驱动IC的数量，从而降低显示器整体成本。而目前还没有基于双栅结构的电容式内嵌触摸屏的设计。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置，用以实现具有双栅结构的电容式内嵌触摸屏。本专利技术实施例提供的一种电容式内嵌触摸屏，包括彩膜基板，薄膜晶体管TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层；所述电容式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元；在所述TFT阵列基板相邻行的像素单元之间具有两个栅极信号线，且以相邻的两列像素单元为一组像素单元列，每组像素单元列共用一个位于该两列像素单元之间的数据信号线；还包括所述TFT阵列基板具有多个触控驱动电极，各所述触控驱动电极位于相邻组像素单元列之间的间隙处；所述彩膜基板具有多个触控感应电极，各所述触控感应电极沿像素单元的行方向延伸。本专利技术实施例提供的一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏。本专利技术实施例提供的一种上述电容式内嵌触摸屏的驱动方法，包括将触摸屏显示每一帧的时间分成显示时间段和触控时间段；在显示时间段，对所述触摸屏中的每条栅极信号线依次施加栅扫描信号，对数据信号线施加灰阶信号，控制液晶分子翻转；同时对触控驱动电极和触控感应电极施加低电平 目号;在触控时间段，对触控驱动电极施加触控扫描信号，触控感应电极耦合所述触控扫描信号的电压信号并输出，同时，所述触摸屏中的每条栅极信号线和数据信号线无信号输入。本专利技术实施例的有益效果包括本专利技术实施例提供的一种电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置，在彩膜基板上设置沿像素单元的行方向延伸的触控感应电极，在TFT阵列基板上采用双栅结构，即相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线，每相邻的两列像素单元为一组像素单元列，共用一个位于该两列像素单元之间的数据信号线，通过增加一倍数量的栅极信号线，节省出一部分数据信号线的位置。并且，由于触摸屏的精度通常在毫米级，而液晶显示屏的精度通常在微米级，可以看出显示所需的精度远远大于触控所需的精度，因此，可以将实现触控 功能的触控驱动电极设置在节省出的数据信号线的位置，即设置在相邻像素单元列之间的间隙处，既可以保证触控所需的精度，又不会过多占用像素单元的开口区域，能够保证触摸屏具有较大的开口率。附图说明图I为现有技术中显示面板的双栅结构的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏的纵向剖面示意图；图3为本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏中TFT阵列基板的俯视示意图之图4为本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏的工作时序图；图5为本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏中TFT阵列基板的俯视示意图之-* ;图6为本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏中公共电极图案的俯视示意图；图7为本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏中TFT阵列基板的俯视示意图之—■ ·---，图8为本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏中的彩膜基板和TFT阵列基板对盒后的结构示意图之一；图9为本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏中的彩膜基板和TFT阵列基板对盒后的结构示意图之二。具体实施例方式目前，能够实现宽视角的液晶显示技术主要有平面内开关(IPS，In-PlaneSwitch)技术和高级超维场开关(ADS, Advanced Super Dimension Switch)技术；其中，ADS技术通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。H-ADS (高开口率-高级超维场开关)是ADS技术的一种重要实现方式。本专利技术实施例正是基于ADS技术和H-ADS技术提出了一种新的电容式内嵌触摸屏结构。下面结合附图，对本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各层薄膜厚 度和形状不反映TFT阵列基板或彩膜基板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。图2和图3所示分别为本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏的横向剖面示意图和触摸屏中TFT阵列基板的俯视图。如图2和图3所示，本专利技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏具体包括彩膜基板1，TFT阵列基板2，以及位于彩膜基板I和TFT阵列基板2之间的液晶层3，该电容式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元4 ;在TFT阵列基板相邻行的像素单元4之间具有两条栅极信号线5，且每相邻的两列像素单元4为一组像素单元列6，共用一条位于该两列像素单元4之间的数据信号线7 ;还包括TFT阵列基板2具有至少一个触控驱动电极8，各触控驱动电极8位于相邻像素单元列6之间的间隙处；彩膜基板I具有至少一个触控感应电极9，各触控感应电极9沿像素单元4的行方向延伸。在本专利技术实施例提供的上述触摸屏采用双栅结构，通过增加一倍数量的栅极信号线，节省出一部分数据信号线的位置。并且，由于触摸屏的精度通常在毫米级，而液晶显示屏的精度通常在微米级，可以看出显示所需的精度远远大于触控所需的精度，因此，可以将实现触控功能的触控驱动电极设置在节省出的数据信号线的位置，即设置在相邻像素单元列之间的间隙处，既可以保证触控所需的精度，又不会过多占用像素单元的开口区域，能够保证触摸屏具有较大的开口率。另夕卜，本专利技术实施提供的上述触摸屏同样也适用于扭曲向列(TN，TwistedNematic)型。具体地，在基于双栅结构的TN型TFT阵列基板上，可以以部分公共电极线作为触控驱动电极，在彩膜基板上以条状ITO公共电极作为触控感应电极，由于TN型属于现有技术，在本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电容式内嵌触摸屏，包括：彩膜基板，薄膜晶体管TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层；所述电容式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元；在所述TFT阵列基板相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线，且以相邻的两列像素单元为一组像素单元列，每组像素单元列共用一条位于该两列像素单元之间的数据信号线；其特征在于，还包括：所述TFT阵列基板具有多个触控驱动电极，各所述触控驱动电极位于相邻组像素单元列之间的间隙处；所述彩膜基板具有多个触控感应电极，各所述触控感应电极沿像素单元的行方向延伸。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛际，董学，李成，王海生，赵卫杰，刘英明，任涛，丁小梁，刘红娟，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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