低膨胀系数谐振柱制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆、顶部与金属谐振杆连接的接地环，所述金属谐振杆和接地环分别开设有相互连通的第一通孔和第二通孔，其特征在于：所述接地环为三氧化二铝接地环，所述三氧化二铝接地环的表面设有银层，所述三氧化二铝接地环的底部设有弧形凹面。本实用新型专利技术通过设置表面设有银层的三氧化二铝接地环，使得本实用新型专利技术能适应2.3G~4G频段范围，且由于三氧化二铝较殷钢的价格要低，所以谐振柱的生产成本也得到了明显的降低。另外，通过设置弧形凹面使本实用新型专利技术由环形接地取代面接地，提高了谐振柱的接地性能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及通信设备
，具体涉及一种低膨胀系数谐振柱。
技术介绍
随着LTE (Long Term Evolution,长期演进)频段的深入开发及广泛应用，新制式下的商用滤波器使用频谱更多的集中在2. 3G 4G频段范围内。目前在该频段下一般采用殷钢谐振杆来满足苛刻的全温要求。然而，殷钢谐振杆的价格昂贵，使得能适应2. 3G 4G频段范围的谐振柱的生产成本较高。
技术实现思路
本技术的目的是针对上述技术问题，提供一种能适应2. 3G^4G频段范围的低膨胀系数谐振柱，该谐振柱具有较低的生产成本。为实现此目的，本技术所设计的低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆、顶部与金属谐振杆连接的接地环，所述金属谐振杆和接地环分别开设有相互连通的第一通孔和第二通孔，其特征在于所述接地环为三氧化二铝接地环，所述三氧化二铝接地环的表面设有银层，所述三氧化二铝接地环的底部设有弧形凹面。所述金属谐振杆的底部设有环形凸起，所述金属谐振杆通过环形凸起与三氧化二铝接地环的顶部连接。所述第一通孔和第二通孔为同轴布置，且第一通孔和第二通孔的直径相等。本技术通过设置表面具有银层的三氧化二铝接地环，使得本技术能适应2. 3G 4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆（1）、顶部与金属谐振杆（1）连接的接地环，所述金属谐振杆（1）和接地环分别开设有相互连通的第一通孔（3）和第二通孔（5），其特征在于：所述接地环为三氧化二铝接地环（2），所述三氧化二铝接地环（2）的表面设有银层（2.1），所述三氧化二铝接地环（2）的底部设有弧形凹面（4）。

【技术特征摘要】
1.一种低膨胀系数谐振柱，包括金属谐振杆(I)、顶部与金属谐振杆(I)连接的接地环，所述金属谐振杆(I)和接地环分别开设有相互连通的第一通孔(3)和第二通孔(5)，其特征在于所述接地环为三氧化二铝接地环(2)，所述三氧化二铝接地环(2)的表面设有银层(2. 1)，所述三氧化二铝接地环(2)的底部设有弧形凹面(4)。2.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文伟，
申请(专利权)人：武汉凡谷电子技术股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：