一种红外LED灯制造技术

本实用新型专利技术提供的一种红外LED灯，包括：用于向外辐射红外线的芯片（1），用于散热的底板（2），用于保护所述芯片（1）的罩杯（3），用于外接电源线的正极接线柱（41）、负极接线柱（42），以及用于固定上述部件的封装件（5）；所述芯片（1）的大小为14mil~32mil，在工作状态下所述芯片（1）向外辐射红外线的辐射功率不低于350mW。本实用新型专利技术提供的红外LED灯，在保证350mW以上辐射功率的前提下，将芯片的尺寸减小到14mil~32mil，工作电流降低到350mA~800mA，从而减小了芯片的尺寸，降低芯片的发热量。同时使该红外LED灯在较低的功率下，达到设计要求的辐射功率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED领域，尤其涉及一种红外LED灯。
技术介绍
随着半导体电子技术的发展，LED已经得到了越来越广泛的应用。现今的LED不仅被应用于常规的照明领域，一些特殊的LED还被应用在一些特殊的领域，例如可以对外辐射红外线的红外LED灯无疑是其中的重要一员。对于现有技术中的高功率红外LED灯，为保证使用效果，一般设计时要求红外LED灯的辐射功率至少达到350mW以上。而为了达到该辐射功率要求，目前一般是采用尺寸大小在42mil左右的芯片，在IA左右的电流下工作。而目前这种红外LED灯的实现方式，不仅红外LED灯得体积较大，而且因为工作电流大，使得红外LED灯的发热量大，进而导致红 外LED灯的使用寿命缩短。进一步的，由于红外LED灯自身的半导体特性，在其温度升高时，内阻降低，即发生“负电阻”现象，这使得流经红外LED灯的电流增大，发热量增加。
技术实现思路
本技术解决的技术问题在于提供一种红外LED灯，在保证350mW以上辐射功率的前提下，将芯片的尺寸减小到14mi广32mil，工作电流降低到350mT800mA，从而减小芯片的尺寸，降低芯片的发热量。同时使该红外LED灯在较低的功率下，达到设计要求的辐射功率。为解决上述技术问题，本技术提供的一种红外LED灯，包括用于向外辐射红外线的芯片1，用于散热的底板2，用于保护所述芯片I的罩杯3，用于外接电源线的正极接线柱41、负极接线柱42，以及用于固定上述部件的封装件5 ；所述芯片I的大小为14mif 32mil，在工作状态下所述芯片I向外辐射红外线的辐射功率不低于350mW。其中，所述底板2和正极接线柱41、负极接线柱42皆由所述封装件5固定，所述底板2的一个端面固定有所述芯片1，另一端面裸露在所述封装件5的外表面。其中，所述罩杯3为透明的半球状，扣设在所述封装件5上，芯片I位于所述底板2、装件5和罩杯3所围成的封闭空间内。其中，所述芯片I包括芯片本体10，以及正极金线11、负极金线12 ;所述芯片本体10的正极与所述底板2连接，所述正极金线11由所述底板2引出至所述正极接线柱41 ；所述负极金线12由所述芯片本体10的负极引出至所述负极接线柱42。其中，所述芯片I的工作电流为350mA 800mA。其中，所述红外LED灯的一次光光学角度为20度 120度。其中，所述红外LED灯向外辐射的红外线波长为700nnTll00nm。其中，所述芯片I的大小为28mil。本技术所提供的红外LED灯，在保证350mW以上辐射功率的前提下，将芯片的尺寸减小到14mi广32mil，工作电流降低到350miT800mA，从而减小了芯片的尺寸，降低芯片的发热量。同时使该红外LED灯在较低的功率下，达到设计要求的辐射功率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本技术第一实施例提供的红外LED灯结构示意图；图2为本技术第二实施例提供的红外LED灯结构示意图；图3为本技术第二实施例提供的另一红外LED灯结构示意图；图4为本技术提供的红外LED灯底座采用负极方式时的辐射图；图5为本技术提供的红外LED灯底座采用正极方式时的辐射图。具体实施方式参见图1，为本技术提供的红外LED灯第一实施例结构示意图，如图所示，该红外LED灯包括芯片I、底板2、罩杯3、正极接线柱41、负极接线柱42和封装件5。芯片I安装在底板2上，其大小为14mi广32mil，用于向外辐射红外线，且辐射功率不低于350mW。所述底板2和正极接线柱41、负极接线柱42皆由所述封装件5固定。正极接线柱41、负极接线柱42用于外接电源线。底板2的一个端面用于固定所述芯片1，另一端面裸露在所述封装件5的外表面，用于散热。所述罩杯3为透明的半球状，扣设在所述封装件5上，用于保护所述芯片1，即芯片I位于所述底板2、装件5和罩杯3所围成的封闭空间内。由上述描述可知，本技术提供的红外LED灯的芯片尺寸仅在14mi广32mil，小于现有高功率红外LED灯42mil的尺寸(Imil=O. 0254mm)。由于芯片尺寸的减小，使得工作电流可以由现有红外LED灯所需的IA左右降低到350miT800mA，考虑到LED灯的极性保护，使得反向电压不会破坏该红外LED灯的芯片。进一步的，由于本技术提供的红外LED灯的芯片尺寸减小，电流减小，使得红外LED灯的芯片功率随之减小，因此该红外LED灯的发热量也大幅的降低。通过实验表明，本技术提供的红外LED灯在25°C的室温下工作时，红外LED灯本身的温度为6(T80°C。需要强调的是，本技术提供的红外LED灯在满足上述技术参数的情况下，仍然达到了 350mW以上的辐射功率。本技术提供的红外LED灯的芯片尺寸优选28mil，工作电流750mA。参见图2、3，为本技术提供的红外LED灯第二实施例结构示意图。在本实施例中，将更为详细的描述该红外LED灯的结构和参数规格。如图所示该红外LED灯包括芯片、底板2、罩杯3、正极接线柱41、负极接线柱42和封装件5。芯片安装在底板2上，其大小为14mi广32mil，用于向外辐射红外线。芯片向外辐射的波长范围为700nnTll00nm，且辐射功率不低于350mW。所述底板2和正极接线柱41、负极接线柱42皆由所述封装件5固定。正极接线柱41、负极接线柱42用于外接电源线。底板2的一个端面用于固定所述芯片，另一端面裸露在所述封装件5的外表面，用于散热。所述罩杯3为透明的半球状，扣设在所述封装件5上，用于保护所述芯片，即芯片位于所述底板2、装件5和罩杯3所围成的封闭空间内。由上述部件组成的红外LED灯的一次光光学角度为20。 120。。进一步的，本实施例提供的红外LED灯由于芯片的尺寸减小，使得输入芯片的电流减小，但又要求红外LED灯对外的辐射功率不能降低，所以要求该红外LED的芯片具有更高的转换效率。故在本实施例中，我们将红外LED灯的底座2采用正极方式，以提高芯片的光电转换效率。参见图4，为现有技术中，红外LED灯的底座采用负极方式时，在800mA的电流驱动下的辐射图；参见图5，为本技术中，红外LED灯的底座2采用正极方式时，在750mA的电流驱动下的辐射图；对比可知，在红外LED灯的底座采用正极方式时，可以换的更好的辐射功率，即芯片的转换效率更高。实验表明，红外LED灯的底座2采用正极方式时 的辐射功率会比底座2采用正极方式时的辐射功率高出20°/Γ30%。进一步的，在本实施例中，该红外LED灯的底座2采用正极方式的具体实现方式如图2、3所示所述芯片包括芯片本体10，以及正极金线11、负极金线12 ;所述芯片本体10的正极与所述底板2连接，所述正极金线11由所述底板2引出至所述正极接线柱41 ;所述负极金线12由所述芯片本体10的负极引出至所述负极接线柱42。本技术所提供的红外LED灯，在保证350mW以上辐射功率的前提下，将芯片的尺寸减小到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种红外LED灯，其特征在于，包括：用于向外辐射红外线的芯片（1），用于散热的底板（2），用于保护所述芯片（1）的罩杯（3），用于外接电源线的正极接线柱（41）、负极接线柱（42），以及用于固定上述部件的封装件（5）；所述芯片（1）的大小为14mil~32mil，在工作状态下所述芯片（1）向外辐射红外线的辐射功率不低于350mW。

【技术特征摘要】
1.一种红外LED灯，其特征在于，包括用于向外辐射红外线的芯片(1)，用于散热的底板(2)，用于保护所述芯片(I)的罩杯(3)，用于外接电源线的正极接线柱(41)、负极接线柱(42)，以及用于固定上述部件的封装件(5)； 所述芯片(I)的大小为14mif32mil，在工作状态下所述芯片(I)向外辐射红外线的辐射功率不低于350mW。2.如权利要求I所述的红外LED灯，其特征在于，所述底板(2)和正极接线柱(41)、负极接线柱(42)皆由所述封装件(5)固定，所述底板(2)的一个端面固定有所述芯片(1)，另一端面裸露在所述封装件(5)的外表面。3.如权利要求I所述的红外LED灯，其特征在于，所述罩杯(3)为透明的半球状，扣设在所述封装件(5)上，芯片(I)位于所述底板(2)、装件(5)和罩杯(3)所围成的封闭空间...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵以选，
申请(专利权)人：金烁公司，
类型：实用新型
国别省市：