一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构，其中工艺包括：在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层，所设置的补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。本发明专利技术实施例中的面向单层电容触摸屏的改良工艺，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容屏制造
，更具体地说，涉及一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构。
技术介绍
电容屏是既电阻屏应用后迅速崛起的移动终端屏幕类型，并广泛应用于移动终端。电容屏有多种类型，其中单层互容触摸屏的结构由单层纳米铟锡金属氧化物ITOI实现，结合图Ia-图Ib所示可视区域2供用户实现人机交互，在可视区域2的边沿设置有不透光区域3，用于遮挡驱动可视区域2的元器件，参见图lb，所述单层互容触摸屏上还设置有覆盖层4，该种结构使用互容触摸屏原理实现触摸定位，即在所述触摸屏上通过计算驱动电极与所有接收电极间的耦合电容值变化量，确定触摸点坐标。以现有的单层互容触摸屏为例，所述不透光区域3的相对介电常数与所述覆盖层4的相对介电常数不同，因而所述可视区域2与所述不透光区域3在检测触摸点时的耦合电容值变化量将不同，从而在不透光区域3检测到触摸点，同样的报点条件，将出现报点数据不准确的技术问题。因而，如何提高所述不透光区域的报点准确性，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构，以实现提高单层电容屏中不透光区域的报点准确性的技术目的。一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，包括在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层，所设置的补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下通过真空溅镀或涂布形成所述补偿层。可选地，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配包括所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间设置补偿层，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间设置补偿层，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间。可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间设置补偿层，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。可选地，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层，所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。可选地，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。可选地，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间。可选地，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。可选地，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。可选地，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。从上述的技术方案可以看出，本专利技术实施例中的面向单层电容触摸屏的改良工艺，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图Ia为本专利技术公开的现有面向单层电容触摸屏的正视结构示意图；图Ib为本专利技术公开的现有面向单层电容触摸屏的纵剖面结构示意图；图2为本专利技术实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；图3为本专利技术又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；图4为本专利技术又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；图5为本专利技术又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；图6为本专利技术又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；图7为本专利技术又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良工艺流程图；图8为本专利技术实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图；图9为本专利技术又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图；图10为本专利技术又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构不意图；图11为本专利技术又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图；图12为本专利技术又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图。具体实施例方式为了引用和清楚起见，下文中使用的技术名词、简写或缩写总结如下下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有的单层互容触摸屏中，如图Ia-图lb，在同样的报点条件下，单层互容触摸屏在所述不透光区域3 (Black matrix)内的报点存在不准确的情况,原因在于,所述不透光区域3的相对介电常数与所述覆盖层4的相对介电常数不同，从而造成所述不透光区域3与可视区域(View area)2出现报点条件不一致的情况，也就是在同样的报点条件下所述不透光区域3报点不准确。现有解决上述不透光区域3报点不准确的问题所采取的方式是通过软件算法进行修正，而由于覆盖层4的材料与所述不透光区域3的材料的相对介电常数时常变化，因而软件算法不仅复杂度高且修正准确度得不到保证。本专利技术实施例公开了一种面向单层电容触摸屏的改良工艺和结构，以实现提高单层电容屏中不透光区域的报点准确性的技术目的。图2示出了一种面向单层电容触摸屏的改本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，包括：在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。

【技术特征摘要】
1.一种面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，包括 在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。2.如权利要求I所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下通过真空溅镀或涂布形成所述补偿层。3.如权利要求I所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配包括所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。4.如权利要求1-3任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间设置补偿层，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。5.如权利要求1-3任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间设置补偿层，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间。6.如权利要求1-3任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。7.如权利要求1-3任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括在所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间设置补偿层，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。8.如权利要求1-3任一项权利要求所述的面向单层电容触摸屏的改良工艺，其特征在于，所述在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置补偿层包括所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的ITO...

【专利技术属性】
技术研发人员：王朋，侯卫京，郭明，李华，刘伯政，刘辉，
申请(专利权)人：敦泰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：