一种有效减缓光干涉的电容式触摸屏制造技术

本发明专利技术公开了一种有效减缓光干涉的电容式触摸屏，包括透明导电层，该透明导电层为铟锡金属氧化物，在控制端中线处由透明导电层蚀刻出线路。所述线路线宽在0.05mm～0.1mm区间任意值不均匀的排列在电路板上。所述线路线与线的间距在0.015mm～0.02mm区间,最优值为0.015mm。本发明专利技术通过改变线路的宽度及线与线的间距，以满足生产过程中时的设计要求，不容易发生断线的问题，同时有效减缓光栅干涉条纹。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电容式触摸屏，尤其涉及一种可有效减缓消除光栅干涉条纹的电容式触摸屏。
技术介绍
现有技术中，在透明导电层布线时，考虑到对称及均匀的问题，线宽在靠近控制端的两边均采用均匀线宽设计，同时线间距也保持一致，传统设计中线间距一般保持在O. 03mm O. 08mm之间，这样的设计当电容式触摸屏使用中容易产生光栅干涉条纹，也由于 在布线时线较细，容易造成断线的问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于提供了一种加大线宽、减少线与线间距以减弱光栅干涉条纹的电容式触摸屏图案设计方案。为解决上述技术问题，本专利技术通过以下方案来实现一种有效减缓光干涉的电容式触摸屏，所述电容式触摸屏包括透明导电层，在控制端中线处由透明导电层蚀刻出线路。所述线路线宽在O. 05mm O. Imm区间任意值不均勻的排列在电路板上。所述线路线与线的间距在O. 015mm O. 02mm区间。所述透明导电层为铟锡金属氧化物。本专利技术的优点是通过改变线路的宽度及线与线的间距，以满足生产时的设计要求，不容易发生断线的问题，同时有效减缓光干涉及线阻抗变小。以下结合附图对本专利技术作详细说明。图I为传统电容式触摸屏局部放大图；图2为本专利技术电容式触摸屏局部放大图。具体实施例方式如图I所示的传统电容式触摸屏，传统线路(40)的宽度一般在O. 03mm O. 08mm区间，例如传统线路(40)线宽为O. 03mm，在电路板上其它传统线路(40)线宽也为O. 03mm,并且其线与线的间距30在O. 03mm以上的一个固定值均匀的排列在电路中，这样的设计当电容式触摸屏使用时容易产生光栅干涉条纹，另外在生产中由于部分线宽比较细，造成断线的问题。如图2所示，一种有效减缓光干涉的电容式触摸屏，包括透明导电层，该透明导电层为铟锡金属氧化物，在控制端50中线处由透明导电层蚀刻出线路(20)，所述线路(20)线宽在O. 05mm O. Imm区间，线路(20)线间距(10)为O. 015mm O. 02mm区间，O. 015mm为最优间距。例如线路(20)线宽为0.06mm，但O. 06mm不是固定值，其它的线路(20)线宽可设O. 08mm或其它在O. 05mm O. Imm的值，线路(20)线间距(10)为O. 015mm O. 02mm区间，O. 015mm为最优间距。通过这种设计，满足生产过程中时的设计要求，又不容易发生断线的问题。同时本专利技术设计也可以有效减小线路的线阻，并有利于满足电路的线阻设计，其计算公式为=Rs=R^a乘以L/D，其中RS为导线的线阻，Rim为该材料的方阻值，L为导线的长度，D为导线的宽度。从上述公式对比原技术与本技术可以看出，原技术的线路(40)线宽范围为O. 03mm O. 08mm区间，而本技术的线路(20)线宽范围为O. 05mm O. Imm区间，对比发现如果均取最大值时D*>DS，因此通过本专利技术增加了线路(20)线宽D，同时原技术与本技术在导线的长度L、方阻值均没有变化，因此通过本技术将减小了线路的线阻Rs。以上所述仅为本专利技术的优选实施方式，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利 用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有效减缓光干涉的电容式触摸屏，其特征在于：所述触摸屏包括透明导电层，在控制端（50）中线处由透明导电层蚀刻出线路（20）。

【技术特征摘要】
1.一种有效减缓光干涉的电容式触摸屏，其特征在于所述触摸屏包括透明导电层，在控制端(50)中线处由透明导电层蚀刻出线路(20)。2.按照权利要求I所述的一种有效减缓光干涉的电容式触摸屏，其特征在于所述线路(20)线宽在O. 05mm O. Imm区间任意值不均...

【专利技术属性】
技术研发人员：代永平，范伟，申阳，薛松，陈方义，
申请(专利权)人：深圳市长江力伟股份有限公司，
类型：发明
国别省市：