【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种生产钼园片特别是半导体器件硅芯片支撑座用钼园片的粉末冶金方法。钼园片主要是用作半导体器件硅芯片支撑座。目前,钼园片的生产方法主要有轧制法和传统的粉末冶金方法。轧制法工艺流程长,材料利用率低(低于50%),产品成本高,同时,用该方法生产的钼园片,材料内部组织容易出现织构即各向异性,严重影响半导件器件的性能。传统的粉末冶金方法主要包括压制、烧结、机加工等步骤,此方法工艺流程短,能耗低,材料利用率高,特别是材料内部组织基本上不存在织构,但存在有材料密度低(为92%钼理论密度),强度低(σbb在220MPa左右),因而存在有导电率低的缺点,影响了最终产品-半导体器件的性能。为了解决以上问题,本专利技术提供了一种生产钼园片的粉末冶金热锻新方法。本专利技术主要包括粉末压制成型、烧结、热锻、退火以及机加工等工艺过程,下面对各工艺过程作详细的说明本专利技术采用Mo-1粉或Mo-2粉(国标)作原料,按下述步骤进行生产。1.压型。压型在钢模中进行,压力为600~1000MPa。2.烧结。将压制好的钼园片压坯放入烧结炉中进行烧结,烧结温度为1400~1600℃,保温1~2小时,烧结气氛为氢气或分解氨气(H2+N2)。3.热锻。将烧结好的钼园片坯冷却后在摩擦压力机上进行热锻,热锻温度为1100~1250℃,时间为0.5~1.5小时,锻造压力≥200MPa,加热保护气氛为氢气或分解氨气(H2+N2)。4.退火。经热锻后的钼园片坯件在850~900℃下保温1~2小时,以消除锻造应力。5.机加工。退火处理后的坯件经机加工后便可得到钼园片产品。利用本专利技术生产钼 ...
【技术保护点】
一种生产钼园片的粉末冶金方法,主要包括粉末压制成型、烧结、机加工等工艺过程,其特征在于:本专利技术还包括热锻和退火工艺过程,其中:a.压型在钢模中进行,压力为600~1000MPa,b.压制好的压坯放入烧结炉中进行烧结,烧结温度为140 0~1600℃,保温1~2小时,烧结气氛为氢气或分解氨气(H↓[2]+N↓[2]),c.烧结好的钼园片坯经泠却后在摩擦压力机上进行热锻,热锻温度为1100~1250℃,时间为0.5~1.5小时,锻造压力≥200MPa,加热保护气氛为氢气 或分解氨气(H↓[2]+N↓[2]),d.经热锻后的钼园片坯件在850~900℃下保温1~2小时,以消除锻造应力。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员:刘熙明,李慧中,唐仁正,侯赛彰,邓克勤,邓县高,
申请(专利权)人:中南工业大学,
类型:发明
国别省市:43[中国|湖南]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。