本发明专利技术涉及显示装置、显示装置制造方法和电子设备。所述显示装置包括光源部和发光层，所述光源部与各像素对应地出射激发光，所述发光层包含量子点并且与各所述像素对应地出射发射光，所述量子点基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。所述电子设备设置有上述显示装置。所述显示装置制造方法包括如下步骤：形成上述光源部；并且利用量子点形成上述发光层，所述量子点被构造成基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。根据本发明专利技术，能够以简单的结构进行从所述激发光到所述发射光的波长转换。因此，能够促进光的利用效率的提高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包括含有量子点(quantum dot)的发光层的显示装置、该显示装置的制造方法和配备有该显示装置的电子设备。
技术介绍
通常，作为显示装置的示例已知的有液晶显示装置、有机电致发光(electroluminescence ;EL)显不装置和等离子体显不面板(plasma display panel ;PDP)装置等。除了这些示例之外，最近还提出了包括含有量子点的发光层的显示装置(例如，参见日本专利申请特开第2010-156899号公报)。在上述日本专利申请特开第2010-156899号公报中，含有量子点的显示装置使用激光光源作为发出激发光的光源。对于采用这样的技术的显示装置，需要提高光的利用效率。因此，期望提出一种显示装置的方案，其能够促进光的利用效率的提高。
技术实现思路
鉴于上述原因，需要能够促进光的利用效率的提高的显示装置、显示装置制造方法和电子设备。本专利技术实施方案的显示装置包括光源部，所述光源部与各像素对应地出射激发光；和发光层，所述发光层包含量子点并且与各所述像素对应地出射发射光，所述量子点基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。本专利技术实施方案的显示装置制造方法包括如下步骤形成光源部，所述光源部与各像素对应地出射激发光；并且利用量子点形成发光层，所述发光层与各所述像素对应地出射发射光，所述量子点被构造成基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。本专利技术实施方案的电子设备设置有显示装置。所述显示装置包括光源部，所述光源部与各像素对应地出射激发光；和发光层，所述发光层包含量子点并且与各所述像素对应地出射发射光，所述量子点基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。根据本专利技术上述各实施方案的显示装置、显示装置制造方法和电子设备，利用所述光源部，与各所述像素对应地出射所述激发光；利用包含所述量子点的所述发光层，基于所述激发光与各所述像素对应地出射所述发射光。所述量子点基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。这使得能够以简单的结构实现从所述激发光到所述发射光的波长转换。根据本专利技术上述各实施方案的显示装置、显示装置制造方法和电子设备，所述发光层中所包含的所述量子点基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。这使得能够以简单的结构进行从所述激发光到所述发射光的波长转换。因此，能够促进光的利用效率的提高。 需要理解的是，上文中的一般性说明和下文中的详细说明都是示例性的，且都旨在为本专利技术要求保护的技术提供进一步的说明。附图说明这里提供了附图以便进一步理解本专利技术，这些附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。这些附示了本专利技术的实施方案，并且与说明书一起用来解释本专利技术的原理。图I是图示了本专利技术实施方案的显示装置的示例性结构的示意性截面图。图2是图示了图I中所示的激光光源的示例性具体结构的示意性立体图。图3是图示了图I中所示的光调制元件的示例性具体结构的示意性截面图。图4是图示了激光光源、导光板和入射侧偏振板的示例性布置结构的示意性立体图。图5A和图5B是图不了激光束的偏振方向与入射侧偏振板的偏振轴之间的不例性关系的示意性平面图。图6A至图6C是描绘了各种材料的量子点的尺寸与吸收光谱之间的示例性关系的特性图。图7是用于说明图I中所示的显示装置的基本操作的示意性截面图。图8A至图8C是用于说明量子点的作用的示意图。图9A至图9C是用于说明量子点的作用的特性图。图IOA和图IOB分别是描绘了本专利技术实施例和比较例的激发光及发射光的波长特性的特性图。图11是图示了本专利技术实施方案的显示装置的应用例I的外观的立体图。图12A和图12B分别是图示了分别从前侧和后侧看到的应用例2的外观的立体图。图13是图示了应用例3的外观的立体图。图14是图示了应用例4的外观的立体图。图15A是应用例5处于打开状态的正视图，图15B是图15A中所示的应用例5的侧视图，图15C是应用例5处于闭合状态的正视图，图I 至图15G分别是图15C中所示的应用例5的左视图、右视图、俯视图和仰视图。具体实施例方式下面，将参照附图来详细说明本专利技术的实施方案。需要注意的是，将按照下面的顺序进行说明。I.实施方案(使用了半导体激光器、液晶元件和含有量子点的多色发光层的示例)2.应用例(将上述显示装置应用于电子设备的示例)3.变形例I.实施方案显示装置I的结构图I示意性地图示了本专利技术一个实施方案的显示装置(显示装置I)的截面结构。该显示装置I包括激光光源11、反射板121、导光板122、扩散板(diffuser plate) 123、光调制元件(液晶元件)14、发光层(含量子点层)15和驱动部16。需要注意的是，反射板121、导光板122和扩散板123每一者均用作光学部件。在全部的上述组件中，反射板121、导光板122、扩散板123、光调制元件14和发光层15以这样的顺序从背面到观看面(显示面或前面)层叠着。需要注意的是，激光光源11、反射板121、导光板122、扩散板123和光调制兀件14的组合对应于本专利技术实施方案中的“(与各像素对应地出射激发光的)光源部”的具体 实例。激光光源11在图I中所示的示例中，激光光源11设置于导光板122的一侧，并且它是向稍后将要说明的发光层15出射作为激发光的激光LO的光源。可以使用任何种类的激光光源作为该激光光源11，但例如优选使用半导体激光器。图2是图示了由半导体激光器形成的激光光源11的示例性具体结构的示意性立体图。在该半导体激光器中，沿着图2中所示的Z轴按下面的顺序层叠有电极llln、n型基板110n、n型熔覆层112η、活性层113、ρ型熔覆层112ρ、绝缘层114、ρ型接触层115ρ和电极lllp。因此，该半导体激光器具有所谓的“双异质(double hetero ;DH)结构”。电极Illn是将要被注入作为载流子的电子的电极，并且例如是由诸如AuGe合金等金属材料制成的。同时，电极lllp是将要被注入作为载流子的空穴的电极，并且例如是由诸如Ti/Pt/Au等金属材料制成的。η型基板IlOn是由诸如η型砷化镓(n_GaAs)等半导体材料制成的基板。P型接触层115p是由诸如P型砷化镓(p-GaAs)等半导体材料制成的接触层。绝缘层114起到电流限制层(current confining layer)的功能,并且是由诸如二氧化娃(SiO2)等绝缘材料制成的。η型熔覆层112η是产生光或载流子(电子)的局限效应的层，并且是由用η型砷化铝镓(n-AlGaAs)或类似物制成的半导体材料形成的。同时，P型熔覆层112p是产生光或载流子(空穴)的局限效应的层，并且是由用P型砷化铝镓(P-AlGaAs)或类似物制成的半导体材料形成的。除了这些材料之外，可以使用InGaN基半导体材料、CdZnMgSSe基半导体材料或其它适合的半导体材料。活性层113是将要从其中出射激光LO的层，并且是由诸如砷化镓(GaAs)、InGaN或CdSe等半导体材料制成的。在上述构造而成的半导体激光器中，沿着DH结构的面内方向强烈偏振的激光(TE偏振激光)LO (在此情况下，偏振方向Pl沿着X轴)从活性层113出射。该激光LO的远场图(Far Field Pat本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，所述显示装置包括：光源部，所述光源部与各像素对应地出射激发光；和发光层，所述发光层包含量子点并且与各所述像素对应地出射发射光，所述量子点基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。
【技术特征摘要】
2011.08.08 JP 2011-1727451.一种显示装置，所述显示装置包括 光源部，所述光源部与各像素对应地出射激发光；和 发光层，所述发光层包含量子点并且与各所述像素对应地出射发射光，所述量子点基于所述激发光生成波长比所述激发光的波长更长的所述发射光。2.根据权利要求I所述的显示装置，其中，在所述量子点中 在激发期间，通过获得所述激发光的能量，位于价带中的电子被激发至导带中的主量子数为2以上的量子能级； 在弛豫期间，已经被激发至所述主量子数为2以上的量子能级的所述电子被弛豫至主量子数为I的量子能级；并且 在复合期间，出射具有跟所述主量子数为I的量子能级与所述价带中的量子能级之间的能量差对应的所述更长波长的所述发射光。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述主量子数为2以上的量子能级与所述价带中的量子能级之间的能量差基本上等于所述激发光的能量。4.根据权利要求I所述的显示装置，其中，所述光源部包括 激光光源，所述激光光源出射激光作为所述激发光；和 光调制元件，所述光调制元件与各所述像素对应地调制所述激光。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述光调制元件包括液晶元件，并且所述液晶元件包括 彼此面对的一对基板； 液晶层，所述液晶层被密封地夹置于所述一对基板之间； 入射侧偏振板，所述入射侧偏振板设置于所述一对基板中的更靠近所述激光光源的基板上；以及 出射侧偏振板，所述出射侧偏振板设置于所述一对基板中的更靠近所述发光层的基板上。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述激光的偏振方向与所述入射侧偏振板的偏振轴基本上一致。7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述激光光源包括半导体激光器。8.根据权利要求I所述的显示装置，其中， 所述发光层包括与各所述像素对应地按颜色编码的多色发光层，并且所述多色发光层每一者中的所述量子点基于所述激发光生成对于各所述多色发光层而言波长互不相同的所述发射光。9.一种电子设备，所述电子设备设置有显示装置，所述显示装置是前述权利要求I至8中...
【专利技术属性】
技术研发人员：户田淳，平山照峰，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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