【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻掩模的
,尤其是涉及一种掩模面颗粒度线性激光扫描检测系统。
技术介绍
随着半导体投影光刻技术的发展,其对于投影光学系统的性能要求越来越高。在半导体光刻设备中,掩模版上的颗粒对测量是有一定的影响,当颗粒度大于100微米时,可以擦走,当颗粒度小于10微米时,对测量是没有影响的,但是当颗粒度在10-100微米的时候,是擦不走的。因此为了能够对检测其掩模版上10-100微米颗粒,需要用一种激光扫描装置进行检测掩模版的颗粒。激光扫描装置常应用于激光打印、复印等设备中,其通常采用高速旋转多面棱镜, 经过一组f- Θ透镜,校正后聚焦于被扫描面形成行扫描,同时利用垂直于行扫描方向的机械运动,最终将图像数据以激光点的形式在影像感光元件的感光表面恢复,再现原图像。如图I所示,图I为现有技术的一个激光扫描检测系统的结构示意图,该激光扫描装置中的f- Θ透镜1、2在X和y方向都采用了双面均为非球面透镜,其口径比较大,而在实际有限空间中,口径较大的透镜限制了扫描宽度,光学设计难度比较大;像方为非远心光路, 当多面棱镜4旋转时,激光入射点发生变化导致的光轴偏心,由于 ...
【技术保护点】
一种掩模面颗粒度线性激光扫描检测系统,其特征在于,包括依次设置的半导体激光器、激光准直组件、多面棱镜、f?θ物镜组件及接收探测组件,所述半导体激光器发出的激光光束经过激光准直组件准直后由多面棱镜转动反射至f?θ物镜组件,最后聚焦于掩模面进行扫描,扫描的检测信息反射至并由所述接收探测组件接收。
【技术特征摘要】
1.一种掩模面颗粒度线性激光扫描检测系统,其特征在于,包括依次设置的半导体激光器、激光准直组件、多面棱镜、f-θ物镜组件及接收探测组件,所述半导体激光器发出的激光光束经过激光准直组件准直后由多面棱镜转动反射至f-Θ物镜组件,最后聚焦于掩模面进行扫描,扫描的检测信息反射至并由所述接收探测组件接收。2.根据权利要求I所述的掩模面颗粒度线性激光扫描检测系统,其特征在于,所述激光准直组件包括依次设置的准直透镜、可变光阑及柱面镜LI。3.根据权利要求I所述的掩模面颗粒度线性激光扫描检测系统,其特征在于,所述多面棱镜的反射镜面与掩模面在副扫描方向共轭。4.根据权利要求I所述的掩模面颗粒度线性激光扫描检测系统,其特征在于,所述f- Θ物镜组件包括柱面镜L2、柱面镜L3、柱面镜L4、柱面镜L5及L6、及反射镜Ml、M2、M3 ;其中,所述f-θ物镜组件中所有的柱面镜均在X扫描方向有曲率,而在垂直该方向无曲率。5.根据权利要求4所述的掩模面颗粒度线性激光扫描检测系统,其特征在于,所述f- Θ 物镜焦距 IOOmm < f” < 150mm。6.根据权利要求I所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢丽荣,李志丹,张冲,
申请(专利权)人:上海微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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