【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种复合纳米粒子的制备方法，具体涉及一种导电聚合物包裹 的铜/银复合纳米粒子的制备方法，属于纳米材料
技术介绍
近年来，微电子产品行业发展较快，逐渐向微型化、高密度化方向发展。实 现电子产品的微型化、高密度化的关键是电子互连材料。传统的电子互连材料为Sn/Pb悍料，但其分辨率低，焊接时高温加热容易损伤元器件，而且铅是有 毒物质，会危害人体健康。导电粘结剂代替传统的锡铅焊接成为研究的热点。 与传统的焊接工艺相比，导电粘结剂能在较低的温度下固化，避免了对元器件 的热损伤。获得导电粘结剂最简单易行的方法就是将导电填料掺入到普通的基料中。导 电填料是电子互连材料的重要组成部分，目前国内外研究较多的导电填料有金、 银和铜等金属粉末。开发最早的为银系导电填料，此类填料具有优良的导电性 和耐氧化性，但银系导电填料成本较高，在湿热条件下还易发生迁移而使导电 性能下降，导致短路现象。铜粉价格便宜，抗迁移能力高于银，导电性好，但 是制备过程中易被氧化而失去导电性能。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题，提供一种铜银复合纳米粒子及其制备方法，并得到一 种聚吡咯包...
【技术保护点】
一种聚吡咯包裹的铜银复合纳米粒子的制备方法，其特征在于包括以下步骤：称取一定量的五水硫酸铜固体溶于含有机保护剂的溶液中，在搅拌的条件下，保持恒温，温度范围可控制在５０～１００℃之间，并加入还原剂，反应时间为１２～２４小时；再向其中慢慢加入硝酸银溶液，继续反应１２小时。得到粒径为４０～１００ｎｍ的聚吡咯包裹的铜银复合纳米粒子。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：缪煜清，刘继伟，陈建荣，邱静霞，
申请(专利权)人：浙江师范大学，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]
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