【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及分束器，尤其涉及一种边框加载梯形结构的太赫兹波偏振分束器。
技术介绍
太赫兹波是频率范围在O. Γ ΟΤΗζ之间(波长范围为30 μ m 3mm)的电磁波，这一波段位于微波与红外辐射之间，是电磁学和光学研究的边缘区域。太赫兹辐射的早期研究可以追溯到上世纪初，20世纪80年代以前，由于缺乏有效地太赫兹频段电磁波的产生方法和检测途径，导致这一频段的电磁波研究发展很缓慢，科学家对该波段电磁辐射性质的了解很有限，而近几十年来，随着超快光电子技术的迅速发展，也为太赫兹脉冲的产生提供了稳定的激发光源，伴随着太赫兹辐射的产生，其应用也得到了迅速发展。 偏振分束器就是将一路输入光分成两束正交的信号光输出，随着光纤通信及光纤传感测量技术的迅猛发展，偏振分束器变得越来越重要，尤其是具有高消光比和高分束率的偏振分束器。现有的太赫兹波器件有太赫兹波产生和检测装置，太赫兹波传输波导，但是这些器件结构复杂、体积较大并且价格昂贵，因此小型化、低成本的太赫兹波器件是太赫兹波技术应用的关键。目前国内外很多科研机构都致力于这方面的研究并取得了一定的进展，但是太赫兹波偏振分束器的研究少有报道。...
【技术保护点】
一种边框加载梯形结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于包括信号输入端（1）、第一信号输出端（2）、第二信号输出端（3）、远红外石英玻璃基体（4）、偏振分束片（5）；远红外石英玻璃基体（4）上设有偏振分束片（5），偏振分束片（5）包括左侧窄矩形偏振硅波导（6）、右侧宽矩形偏振硅波导（7）、上侧矩形偏振硅波导（8）、下侧矩形偏振硅波导（9）、长梯形偏振硅波导（10）、短梯形偏振硅波导（11），左侧窄矩形偏振硅波导（6）、右侧宽矩形偏振硅波导（7）、上侧矩形偏振硅波导（8）和下侧矩形偏振硅波导（9）组成非对称矩形框，上侧矩形偏振硅波导（8）的上、下两侧分别连接长梯形偏振硅波导（10...
【技术特征摘要】
1.一种边框加载梯形结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于包括信号输入端(I)、第一信号输出端(2)、第二信号输出端(3)、远红外石英玻璃基体(4)、偏振分束片(5);远红外石英玻璃基体(4)上设有偏振分束片(5),偏振分束片(5)包括左侧窄矩形偏振娃波导(6)、右侧宽矩形偏振硅波导(7)、上侧矩形偏振硅波导(8)、下侧矩形偏振硅波导(9)、长梯形偏振硅波导(10)、短梯形偏振硅波导(11 )，左侧窄矩形偏振硅波导(6)、右侧宽矩形偏振硅波导(7)、上侧矩形偏振硅波导(8)和下侧矩形偏振硅波导(9)组成非对称矩形框，上侧矩形偏振硅波导(8)的上、下两侧分别连接长梯形偏振硅波导(10)的下底边，下侧矩形偏振硅波导(9)的上、下两侧分别连接短梯形偏振硅波导(11)的下底边，信号从信号输入端(I)以垂直入射经过偏振分束片(5),第一信号输出端(2)输出TE波,第二信号输出端(3)输出TM波，获得偏振分束性能。2.根据权利要求I所述的一种边框加载梯形结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的信号输入端(I)的长为500μπΓ650μπι，宽为200μπΓ450μπι，厚度为150 μ m 200 μ m。3.根据权利要求I所述的一种边框加载梯形结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的第一信号输出端(2)、第二信号输出端(3)的长均为500 μ πΓ650 μ m,宽均为200 μ m 450 μ m,厚度均为 150 μ m 200 μ m。4.根据权利要求I所述的一种边框加载梯形结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在...
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