一种半导体制冷的吸附式装置制造方法及图纸

技术编号:8269990 阅读:182 留言:0更新日期:2013-01-31 01:44
本发明专利技术公开了一种半导体制冷的吸附式装置。本发明专利技术包括制冷机构和待降温密室,制冷机构包括半导体制冷片、第一密封圈、密封塞、连接线、圆环;半导体制冷片有镶嵌结构,第一密封圈的部分镶嵌在半导体制冷片上;圆环通过焊接固定在半导体制冷片侧面,并通过连接线与密封塞连接;第一密封圈上开有一个通气孔,密封塞插入通气孔内,并与第一密封圈紧密配合;待降温密室包括光滑平板、空腔、绝热层;空腔是绝热层与光滑平板共同包围形成的;空腔通过光滑平板与外界产生热交换。本发明专利技术半导体制冷片不必与待制冷平面紧密贴合,降低了贴合技术的操作难度,且吸气、进气方便,吸附力可控性强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制冷或制热领域,具体涉及一种半导体制冷的吸附式装置
技术介绍
传统空调制冷技术包括蒸汽压缩式循环、吸收式制冷循环两种技术。蒸汽压缩式空调系统具有较高的制冷系数和较强的制冷、制热能力,但这种系统所使用的制冷剂CFCs,对臭氧层有活多或少的破坏,且运行时噪音很大,体积大,窗式空调尤为明显。吸收式空调系统的COP值中等,具有废热再利用及再生热的优点,但这种系统体积较大。以上技术都适 用于功率要求大、空间大等场合,相对而言,半导体制冷技术可以用于微小结构的制冷、无噪声、空间小的情况。因此,半导体制冷技术具有特殊的用途。半导体制冷片的工作原理主要为珀尔帖效应。珀尔帖效应揭示了一种电路系统的自然现象,即,二种不同金属组成一对热电偶,当热电偶通入直流电流后,因直流电通入的方向不同,将在电偶结点处产生吸热和放热现象。半导体制冷片利用P-N结具有较强的吸热和放热现象,产生一种局部制冷技术。半导体制冷片具有潜在的巨大应用价值,能够对电路结构等微结构进行降温,起到一个微型空调的作用。半导体制冷技术的实施是通过半导体制冷片的冷端与待降温物体的一个平面贴合,将该物体的热量通过两个紧密贴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制冷的吸附式装置,包括制冷机构和待降温密室,具体包括半导体制冷片、空气腔、第一密封圈、光滑平板、空腔、绝热层、密封塞、连接线、圆环;其特征在于:制冷机构包括半导体制冷片、第一密封圈、密封塞、连接线、圆环;半导体制冷片有镶嵌结构,第一密封圈的部分镶嵌在半导体制冷片上;圆环通过焊接固定在半导体制冷片侧面,并通过连接线与密封塞连接;第一密封圈上开有一个通气孔,密封塞插入通气孔内,并与第一密封圈紧密配合;待降温密室包括光滑平板、空腔、绝热层;空腔是绝热层与光滑平板共同包围形成的;空腔通过光滑平板与外界产生热交换;所述的绝热层的横截面为U型;所述的半导体制冷片由多层结构组成,具体包括散热片、第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘光宇邹洪波沈国强许辉李兵
申请(专利权)人:杭州电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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