【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于清洗去污领域的核素处理,涉及到魔芋葡甘聚糖的改性研究,以及通过研究各配方的最佳配比制备去污剂,用于镀漆金属表面的放射性核素污染物的去除。
技术介绍
一批核设施陆续服役期满,其退役问题,成为核废物管理中的重要内容,役物件要求去污后能满足一般场合使用。目前对核设施去污的方法很多。例如喷砂清洗,超声波清洗,干冰清洗,化学清洗等。但是诸如这些方法都有各种缺点比如处理会伴随着大量放射性尘埃的形成和二次污染物的生成,使得作业环境四周被严重污染,这将对操作人员的健康及环境带来严重的危害,在某些情况下,甚至会形成爆炸性混合物;超声波清洗则是把物品侵泡在溶液中,这就存在对于体积大的物件不易处理的缺点;干冰清洗与其他喷介质不同,其颗粒温度极低(_78°C),这样低的温度就是干冰清洗具有独特的热力学性能,影响粘附污垢的机械性能;和超声波清洗处理一样,化学清洗处理后产生大量的放射性污水以及难以处理大体积器件。国内外也有通过制备可剥离膜去除核设施表面放射性污染物的先例,但是绝大部分都是高分子材质例如聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)、过氯乙烯(CPVC)等,不仅属于高能耗 ...
【技术保护点】
一种放射性核素去污剂的制备方法,其特征在于,放射性核素去污剂组成为A组分和B组分;其中A组分为魔芋葡甘聚糖酯溶液;?B组分制备方法为:有机酸、络合剂、阴离子表面活性剂、成膜助剂,香精,水按照:?2%~5%、5%~10%、5%~10%、4%~5%、4%~5%、65%~80%的质量百分比混合得到。
【技术特征摘要】
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