【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子信息材料与元器件
，尤其涉及一种CaMgSi2O6体系微波介质材料及其制备方法。
技术介绍
微波陶瓷电容器是目前世界上用量最大、发展最快的电子元件之一。微波陶瓷电容器主要应用于各类军用民用整机的震荡、耦合、滤波、旁路电路中，应用领域已经拓展到自动控制仪表、计算机、手机、数字家电、汽车、电力等行业。目前，微波陶瓷电容器已经成为了电容器市场的重要组成，全球市场的需求量增长速度近15%。市场需求巨大，产业化市场前景非常广阔。对于射频、微波多层陶瓷电容器来说，还要求具备以下性能高耐压、大电流、大功率、超高Q值、稳定温度系数，超低等效串联电阻ESR等。CaMgSi2O6具有优异的介电性能，但是其容量温度系数(TCC)超出了 COG标准，单纯的添加CaTiO3会对品质因素有着很大的降·低。此外还存在烧结温度高(1300°C以上)的缺点，因此在实际生产使用中，银钯电极的使用成本高昂，而且制约了产品的生产条件。所以对于CaMgSi2O6来说，研究的主要方向是在不降低其品质因数的情况下，如何降低容量温度系数至符合COG标准，并有效降低烧结温度，这也成为本领...
【技术保护点】
一种CaMgSi2O6体系微波介质材料，其特征在于，包括：85？98%重量的含有CaTiO3以及钡和钴掺杂的CaMgSi2O6微波介质材料和2？15%重量的LMZBS助熔剂。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈仁政，杨喻钦，
申请(专利权)人：北京元六鸿远电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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