串联电容的动态均压电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种串联电容的动态均压电路，包括相互并联的电容和稳压二极管；稳压二极管的正极与N沟道MOSFET的源极相连接，并作为第三端子；稳压二极管的负极与N沟道MOSFET的栅极相连接；第二端子通过第一电阻组与稳压二极管的负极相连接，并通过第二电阻组与稳压二极管的正极相连接；第一端子通过第三电阻组与稳压二极管的负极相连接，并通过第四电阻组与N沟道MOSFET的漏极相连接。在串联电容电压差不大时保持高阻抗，降低电阻上消耗的功率；当电容压差变大时电阻变小并入电容端使压差变小，达到动态平衡。可使用小功率SMD电阻，电阻体积小、效率高，多种电容可使用同一种规格设计，可批量生产，降低采购成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电容器
，尤其涉及一种用于电容串联时实现电压平衡的动态均压电路。
技术介绍
在电解电容串联使用时，由于电容器的阻抗不同造成分压不均，可能早成电容器过压损坏。现有的做法是在电容器两端都并上一个比电容器阻值小的均压电阻来平衡电压。这种方法的缺陷在于均压电阻的体积大，要求功率高，同时造成消耗额外的功率，效率变低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种串联电容的动态均压电路，克服现有均压电阻方·式存在的上述缺陷，以较小的功率消耗实现串联电容上的电压平衡。本技术的技术方案如下一种串联电容的动态均压电路，包括分别与串联电容的正极、串联电容的负极、串联电容的中心点相连接的第一端子、第二端子以及第三端子，还包括相互并联的电容和稳压二极管；所述稳压二极管的正极与N沟道MOSFET的源极相连接，并作为所述第三端子；所述稳压二极管的负极与N沟道MOSFET的栅极相连接；所述第二端子通过第一电阻组与稳压二极管的负极相连接，并通过第二电阻组与稳压二极管的正极相连接；所述第一端子通过第三电阻组与稳压二极管的负极相连接，并通过第四电阻组与N沟道MOSFET的漏极相连接；第一端子和第三端子之间的电解电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种串联电容的动态均压电路，其特征在于：包括分别与串联电容的正极、串联电容的负极、串联电容的中心点相连接的第一端子（P）、第二端子（N）以及第三端子（Mid），还包括相互并联的电容（C1）和稳压二极管（ZD1）；所述稳压二极管（ZD1）的正极与N沟道MOSFET（Q1）的源极相连接，并作为所述第三端子（Mid）；所述稳压二极管（ZD1）的负极与N沟道MOSFET（Q1）的栅极相连接；所述第二端子（N）通过第一电阻组（R1~R3）与稳压二极管（ZD1）的负极相连接，并通过第二电阻组（R4~R6）与稳压二极管（ZD1）的正极相连接；所述第一端子（P）通过第三电阻组（R7~R9）与稳压二极管（ZD1...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海，施彦红，
申请(专利权)人：台安科技无锡有限公司，
类型：实用新型
国别省市：