【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光器件,并且更特别地,涉及形成具有高显色指数(“CRI”)值的发光器件的方法以及涉及具有这样的高CRI值的发光器件。
技术介绍
·发光二极管(“LEDs”)是能够产生光的公知的固态发光器件。LEDs通常包括多个半导体层,所述半导体层可以在半导体或非半导体衬底(诸如,例如,蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓衬底)上被外延地生长。在这些外延层中形成一个或多个半导体p-n结。当跨越所述p-n结施加足够的电压时,η型半导体层中的电子和P型半导体层中的空穴流向所述P-n结。当所述电子和空穴朝向彼此而流动时,所述电子中的一些将与空穴“碰撞”并且重新结合。每当此情况发生时,光的光子被发射,这就是LEDs如何产生光。由LED产生的光的波长分布通常取决于所使用的半导体材料以及构成该器件的“有效区域”(即,在其处所述电子和空穴重新结合的区域)的薄外延层的结构。LEDs典型地具有窄的波长分布,其被紧密地集中在“峰值”波长(S卩,在其处所述LED的辐射测量发射光谱在由光检测器检测时达到其最大值的单一波长)附近。例如,典型的LED的光谱功率分布可以具有例如大约10-30n ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:BT科林斯,J卡巴卢,M多诺弗里奥,NO肯农,
申请(专利权)人:克里公司,
类型:
国别省市:
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