薄膜太阳能电池及其制作方法技术

技术编号:8242053 阅读:148 留言:0更新日期:2013-01-24 23:02
本发明专利技术提供一种薄膜太阳能电池及其制作方法,包含依次堆栈的玻璃基板、第一电极层、光吸收层、第二电极层以及金属层。其中,第二电极层具有粗糙表面,所述粗糙表面具有若干个凹陷部,所述凹陷部宽度介于100nm~1600nm之间,且凹陷部深度小于800nm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,特别是指一种以玻璃做为基板的。
技术介绍
国际能源短缺,促使太阳能电池的应用愈来愈受到许多政府与民间的重视,因太阳能供应无匮乏之余,且生产电能过程不会产生环境污染,成为热门的替代能源,带动太阳 能电池产业蓬勃发展。在众多的太阳能电池技术中,其中,薄膜太阳能电池因使用硅原料少、总发电量高及可以与建材结合等优点,备受瞩目。目前,以玻璃作为基板的薄膜太阳能电池,大部分采用Superstrate (透明基板)结构。Superstrate结构为在玻璃基板上锻透明导电层(Transparent Conductive Oxide,TC0)后,再依次镀P-I-N三层硅薄膜层(又称光吸收层),最后再镀上金属层,入射光经由玻璃基板端进入太阳能电池内。由于Superstrate结构的薄膜太阳能电池的底层为金属,若入射光没有完全被光吸收层吸收,可藉由金属反射层将光反射回吸收层,再次利用光能。但由于金属层对娃的附着度不佳,若直接在娃上沉积金属层,在金属层与娃的接触面因缺陷造成光线吸收,使光无法有效反射回吸收层,故常在金属层与硅之间加入一 TCO层,以增加光线的反射率与提高组件的稳定性。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜太阳能电池,包含由下而上依次堆栈的一玻璃基板、一第一电极层、一光吸收层、一第二电极层以及一金属层,其特征在于:所述第二电极层具有一粗糙表面,其中该粗糙表面具有若干个凹陷部,所述凹陷部宽度介于100nm~1600nm之间,且凹陷部深度小于800nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赖光杰蔡富吉王仁宏
申请(专利权)人:联相光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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