在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法技术

在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法，涉及制备高致密度金属氧化物薄膜的方法的领域。本发明专利技术是要解决现有技术中在多孔基底材料上制备得到的金属氧化物薄膜致密度较低，不能满足实际应用的技术问题。本发明专利技术提供的在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法：一、在多孔基底材料覆盖一层前驱体溶液，二、施加电场并挥发溶剂，三、烧结。本发明专利技术应用于航空、航天、机械加工和电子信息领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制备高致密度金属氧化物薄膜的方法的领域。
技术介绍
溶胶一凝胶方法是氧化物薄膜制备的一个常用方法，因为它具有工艺简单，制备成本低等特点。此外，相比于传统的薄膜制备方法，如气相沉积、喷涂、旋涂、脉冲激光沉积、光束外延生长等，溶胶一凝胶法的最大优点在于能够在不同的表面(不仅局限于平面)，尤其是多孔骨架上，实现薄膜的快速制备。这也是浸溃工艺的基础，常用于多孔骨架中纳米复合材料的制备，其工艺流程是先制备多孔的支撑体，然后将溶有金属离子的无机或有机溶液浸溃到多孔基底中，最终通过热分解和低温烧结过程在多孔骨架表面形成纳米级和亚微米级颗粒层。目前，这种方法也被用于多孔骨架中高致密度纳米级薄膜的制备。如，2007年美国Meilin Liu课题组提出一种提高固体氧化物燃料电池(SOFC)中温阴极La0 6Sr0 4Co0 2Fe0 8O3-S工作稳定性的方法，即通过浸溃的方式在Laa6Sra4Coa2Fea8CVs多孔电极表面制备一层致密的Laa8Sra2Mn03_s纳米薄膜，利用Laa8Sra2Mn03_s的长期工作稳定性来优化LaaJ5Sra4Coa2Fea8CVs阴极。它的原理是本文档来自技高网...

【技术保护点】
在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法，其特征在于在多孔基底材料上制备高致密度金属氧化物薄膜的方法，具体是按以下步骤完成的：一、将多孔基底材料浸渍在前驱体溶液中，得到覆盖多孔基底材料的一层前驱体溶液；二、在25℃~80℃的温度和60%~85%的空气湿度的条件下，对步骤一得到的覆盖多孔基底材料的一层前驱体溶液在100kV/m~1000kV/m的静电场下挥发溶剂，持续时间为10min~100min，得到经电场处理的覆盖多孔基底材料的前驱体沉积层；三、将步骤二得到的经电场处理的覆盖多孔基底材料的前驱体沉积层，在700℃~1500℃的温度条件下，烧结60min~120min，即完成了在多孔基...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱星宝，刘美林，关成志，吕喆，魏波，黄喜强，张耀辉，苏文辉，甄良，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：