低功耗热量表制造技术

技术编号:8232031 阅读:223 留言:0更新日期:2013-01-18 13:48
本实用新型专利技术涉及一种低功耗热量表。现有的热量表存在耗能高问题。本实用新型专利技术中的韦根信号采集模块采集管道中的流量信息,输出端与MCU处理控制模块的I/O口信号连接;温度测量模块采集分别采集进水温度和回水温度,输出端与MCU处理控制模块的I/O口信号连接;按键控制模块的输出端、液晶显示模块的输入端与MCU处理控制模块的I/O口信号连接。存储模块、阀门控制模块、读写卡模块和红外通信模块分别与MCU处理控制模块的I/O口信号连接。按键控制模块包括按键K1,通过确认按键K1的按下次数分别使能读写卡模块或红外通信模块。本实用新型专利技术采用Cortex-M3内核设计的32位单片机后,功耗更低。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于仪器仪表
,涉及一种低功耗热量表
技术介绍
21世纪初,国家建设部等八部委提出了新的热量计量方法,对供暖比较集中的城市使用单户热量计费的制度,但是直到今天,热量表并没有大面积普及开来,究其原因主要有两个方面首先热量计量的测量精确低,第二是热量表的核心一计算器电路功耗过大。热量表的使用寿命不长。现在国内热量表一般都采用美国MSP430CPU作计算器电路,而计算器电路是热量表的核心,它在静态时功耗需要10-20 μ A,一般工作状态时功耗要达到 40-50 μ A0且CJ-128-2007标准规定,采用一节一次性锂电池寿命必须大于6年。很多热量表厂家的精度只能达到国家2-3级标准,部分厂家即使出厂时能达到2级标准精度,过了几年后,由于电池本身损耗和计算器功耗过高等原因,电子电路无法在欠压下正常工作。从而导致计量精度无法保证准确。
技术实现思路
本技术针对现有技术的不足,采用了国际上首次公布最新的、处理功能最强、速度最快、功耗最低的挪威“小壁虎” MCU-EFM32微处理器芯片,专利技术了低功耗热量表的计算器电路。适用于超声波和预付费热量表。本技术解决技术问题所采取的技术方案为本技术包括电源模块、按键控制模块、存储模块、阀门控制模块、读写卡模块、红外通信模块、MCU处理控制模块、韦根信号采集模块、温度测量模块和液晶显示模块。韦根信号采集模块采集管道中的流量信息,韦根信号采集模块的输出端与MCU处理控制模块的I/o 口信号连接;温度测量模块采集分别采集进水温度和回水温度;按键控制模块的输出端与MCU处理控制模块的I/O 口信号连接;液晶显示模块的输入端与MCU处理控制模块的I/O 口信号连接;温度测量模块、存储模块、阀门控制模块、读写卡模块和红外通信模块分别与MCU处理控制模块的I/O 口信号连接;电源模块为按键控制模块、阀门控制模块、读写卡模块、MCU处理控制模块和韦根信号采集模块提供电源。所述的按键控制模块包括按键Κ1,通过确认按键Kl的按下次数分别使能读写卡模块或红外通信模块。本技术的有益效果采用Cortex_M3内核设计的32位单片机后,比传统的430单片机处理能力更强,功耗更低,低功耗模式下唤醒时间更短,大大减低了电路的功耗,静态工作电流小于4 μ A,一般工作电流小于12 μ Α,延长了电池的使用寿命,达到节能效果O附图说明图I为本技术结构示意图;图2为本技术中电源模块电路图;图3为本技术中阀门控制模块电路图;图4为本技术中韦根信号采集模块电路图;图5为本技术中温度测量模块电路图;图6为本技术中按键控制模块电路图;图7为本技术中存储模块电路图;图8为本技术中液晶显示模块电路图;图9为本技术中MCU处理控制模块电路图; 图10为本技术中红外通信模块电路图;图11为本技术中读写卡模块模块电路图。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步说明。 如图I所示,本实施例包括电源模块I、按键控制模块2、存储模块3、阀门控制模块4、读写卡模块5、红外通信模块6、MCU处理控制模块7、韦根信号采集模块8、温度测量模块9和液晶显不模块10。韦根信号采集模块采集管道中的流量信息,韦根信号采集模块的输出端与MCU处理控制模块的I/o 口信号连接;温度测量模块采集分别采集进水温度和回水温度;按键控制模块的输出端与MCU处理控制模块的I/O 口信号连接;液晶显示模块的输入端与MCU处理控制模块的I/O 口信号连接;温度测量模块、存储模块、阀门控制模块、读写卡模块和红外通信模块分别与MCU处理控制模块的I/O 口信号连接;电源模块为按键控制模块、阀门控制模块、读写卡模块、MCU处理控制模块和韦根信号采集模块提供电源。如图2所示,电源模块包括稳压模块和掉电检测模块,外部输入的电压经稳压模块后输出3. OV电压,当外部输入的电压低于2. OV时,掉电检测模块发送信号给MCU处理控制丰吴块。所述的稳压模块包括第一接插件J1、第一二极管D1、法拉电容E1、第一电解电容E2、第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、稳压芯片U2。第一接插件Jl的I脚接地、第一二极管Dl的阳极通过第一接插件Jl的2脚接外部输入电压;第一二极管Dl的阴极分别与法拉电容El的正极、稳压芯片U2的3脚连接,稳压芯片U2的2脚接第一电解电容E2的正极,该脚输出3. OV电压;法拉电容El的负极、稳压芯片U2的I脚、第一电解电容E2的负极均接地。第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6并联在第二稳压芯片U2的2脚和地之间;所述的稳压芯片U2型号为BL8064-3. O。所述的掉电检测模块包括掉电检测芯片U3,掉电检测芯片U3的2脚接外部输入的电压,掉电检测芯片U3的3脚接地,掉电检测芯片U3的I脚接MCU芯片Ul的13脚;所述的掉电检测芯片U3的型号为BL8506-2. O。如图3所示,阀门控制模块包括第二接插件J2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一 MOS管Q1、第二 MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第七电容C7和第八电容C8。第一电阻Rl的一端与MCU芯片Ul的19脚连接,第一电阻Rl的另一端分别与第一MOS管Ql的栅极、第三MOS管Q3的栅极连接。第二电阻R2的一端与MCU芯片Ul的32脚连接,第二电阻R2的另一端分别与第 二MOS管Q2的栅极、第四MOS管Q4的栅极连接。第三MOS管Q3的源极、第四MOS管Q4的源极接地,第三MOS管Q3的漏极与第一MOS管Ql的漏极连接,第四MOS管Q4的漏极与第二 MOS管Q2的漏极连接;第一 MOS管Ql的源极分别与第二 MOS管Q2的源极、第五MOS管Q5的源极、第五电阻R5的一端、第六电阻R6的一端连接,第五电阻R5的另一端通过第二接插件J2的3脚与MCU芯片Ul的28脚连接,第六电阻R6的另一端通过第二接插件J2的2脚与MCU芯片Ul的29脚连接。第五MOS管Q5的栅极与第四电阻R4的一端连接,第五MOS管Q5的漏极、第三电阻R3的一端均接3. OV电压,第四电阻R4的另一端、第三电阻R3的另一端、第七电容C7的一端均与MCU芯片Ul的18脚连接,第七电容C7的另一端接地。第八电容C8的一端与第三MOS管Q3的漏极、第一 MOS管Ql的漏极连接,第八电容C8的另一端与第四MOS管Q4的漏极、第二 MOS管Q2的漏极连接;第三MOS管Q3的漏极、第一 MOS管Ql的漏极通过第二接插件J2的5脚还与直流电机的一个输入端连接,第四MOS管Q4的漏极、第二 MOS管Q2的漏极通过第二接插件J2的4脚还与直流电机的另一个输入端连接,第二接插件J2的I脚接地,所述的直流电机用于驱动阀门的开关,其型号为RF-300。如图4所示,韦根信号采集模块包括第三接插件J3、第九电容C9、第十电容C10、第i^一电容C11、第十二电容C12、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第i 电阻RlI、第一三极管Q6和第二三极管Q7。第三接插件J3的I脚接地本文档来自技高网...

【技术保护点】
低功耗热量表,包括电源模块、按键控制模块、存储模块、阀门控制模块、读写卡模块、红外通信模块、MCU处理控制模块、韦根信号采集模块、温度测量模块和液晶显示模块,其特征在于:韦根信号采集模块采集管道中的流量信息,韦根信号采集模块的输出端与MCU处理控制模块的I/O口信号连接;温度测量模块采集分别采集进水温度和回水温度;按键控制模块的输出端与MCU处理控制模块的I/O口信号连接;液晶显示模块的输入端与MCU处理控制模块的I/O口信号连接;温度测量模块、存储模块、阀门控制模块、读写卡模块和红外通信模块分别与MCU处理控制模块的I/O口信号连接;电源模块为按键控制模块、阀门控制模块、读写卡模块、MCU处理控制模块和韦根信号采集模块提供电源;所述的按键控制模块包括按键K1,通过确认按键K1的按下次数分别使能读写卡模块或红外通信模块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑圣良王浩黄迎胜陈阳权郑耀孙强强吉建平
申请(专利权)人:杭州富阳仪表总厂杭州中导科技开发有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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