本发明专利技术涉及一种准磁单极子模型，属于物理学应用技术领域。经变磁轴取向压制成型并烧结、充磁后制成空心半球永磁体，由两个空心半球永磁体对接组合形成空心球永磁体，在空心球永磁体的内、外表面设置高导磁材料，所述空心半球永磁体的半球体底的外缘倒圆角，在倒圆角处做变磁轴充磁。本发明专利技术提供的准磁单极子模型，消除了磁单极外周的杂散异极磁场，使其外表单极磁场均匀，制作出严格意义的且能实用的磁单极子模型。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种准磁单极子模型，属于物理学应用
技术介绍
在微观世界物理学家们一直在探寻磁单极子而不懈努力，但至今未果。而在宏观世界中人们根据磁单极子的特性进行模拟，设计出多种模型。如2010年12月I日授权公告的中国专利“磁单极子”(CN201663026U)，它“是一个由永磁牙体组装而成的外表是一个磁极，内部又包裹另一个磁极模拟的磁单极子。”实际上它是一个具有一定形状的外周显示一个磁极的磁体。严格地说,按照这种结构和组装工艺,这种单极磁体的外表面均可测出的杂散异极磁场存在，其外表面的磁场是不均匀的，尤其在各部分组装的接缝处
技术实现思路
为弥补现有技术的不足，本专利技术提供一种准磁单极子模型，以最少磁组合体组装并在其内外表面设置均磁导磁材料的结构，以及变磁轴充磁方向的工艺，制作出严格意义的且能实用的磁单极子模型。为了实现上述目的，本专利技术采取以下技术方案，一种准磁单极子模型，经变磁轴取向压制成型并烧结、充磁后制成空心半球永磁体，由两个空心半球永磁体对接组合形成空心球永磁体,在空心球永磁体的内、外表面均设置高导磁材料，所述空心半球永磁体的半球体底的外缘倒圆角，在倒圆角处做变磁轴充磁，并在倒圆角处形成的凹陷填充非导磁材料。本专利技术的有益效果是，由于仅有两个磁组合体组装而成，最大限度减少组合缝隙，从而使球体外表面产生杂散异极磁场的可能性降到最低；由于对空心半球永磁体的半球体底的外缘倒圆角，并在倒圆角处做变磁轴充磁方向取向，使两个空心半球永磁体的结合面的杂散磁场向内收敛，使球的外表面不显不异性磁极；由于在空心球永磁体的内外表面均设置高导磁材料，使得球体外周单极磁性更加均匀；本专利技术的技术方案可制作直径为IOOOmm一3mm之间的准磁单极子模型,应用范围更加广泛。附图说明图I为本专利技术的整体结构示意图，该图的剖切面垂直于空心半球永磁体的对接面并过球心，图2为空心半球永磁体的剖面图，图3为两个空心半球永磁体对接组合后的剖面图。图中，I——永磁体，2a、2b——高导磁材料,3——倒圆角，G——中心放射充磁取向，G’——变磁轴充磁取向。具体实施例方式如附图所示，本专利技术准磁单极子模型由两个空心半球永磁体I对接组合而成，在其内、外表面均设置高导磁材料层2 a、2 b。本实施例的空心半球永磁体I的半径为6mm,其内表面的高导磁材料层2 a为一整体空心球，一般地说，当空心半球永磁体I的半径较小时,如小于3mm时，其内表面的高导磁材料应为实心球体。空心半球永磁体I的制作是，经变磁轴取向压制成型(全过程绝氧，高纯氩气环境下进行)，烧结、时效，机械整形等工序后放入变磁轴磁场和辅助磁极的充磁机中充磁。空心半球永磁体I的半球体底的外缘做倒圆角3，并对倒圆角3处做变磁轴充磁方向取向，在倒圆角3处形成的凹陷填充非导磁材料。 ·权利要求1.一种准磁单极子模型，其特征是，经变磁轴取向压制成型并烧结、充磁后制成空心半球永磁体(I )，由两个空心半球永磁体(I)对接组合形成空心球永磁体，在该空心球永磁体的内、外表面设置高导磁材料(2a、2b )，所述空心半球永磁体(I)的半球体底的外缘倒圆角(3),在倒圆角(3)处做变 磁轴充磁取向(G’ ),并在倒圆角(3)处形成的凹陷填充非导磁材料。全文摘要本专利技术涉及一种准磁单极子模型，属于物理学应用
经变磁轴取向压制成型并烧结、充磁后制成空心半球永磁体，由两个空心半球永磁体对接组合形成空心球永磁体，在空心球永磁体的内、外表面设置高导磁材料，所述空心半球永磁体的半球体底的外缘倒圆角，在倒圆角处做变磁轴充磁。本专利技术提供的准磁单极子模型，消除了磁单极外周的杂散异极磁场，使其外表单极磁场均匀，制作出严格意义的且能实用的磁单极子模型。文档编号H01F7/02GK102867447SQ20121036839公开日2013年1月9日 申请日期2012年9月28日 优先权日2012年9月28日专利技术者崔立晨, 崔学晨, 崔实, 崔宇, 张莉 申请人:崔实本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种准磁单极子模型，其特征是，经变磁轴取向压制成型并烧结、充磁后制成空心半球永磁体（1），由两个空心半球永磁体（1）对接组合形成空心球永磁体，在该空心球永磁体的内、外表面设置高导磁材料（2a、2b），所述空心半球永磁体（1）的半球体底的外缘倒圆角（3），在倒圆角（3）处做变磁轴充磁取向（G“），并在倒圆角（3）处形成的凹陷填充非导磁材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔立晨，崔学晨，崔实，崔宇，张莉，
申请(专利权)人：崔实，
类型：发明
国别省市：
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