本实用新型专利技术涉及一种测量电解槽温度的光纤Bragg光栅温度传感器,属于光纤Bragg光栅测温装置技术领域。光纤Bragg光栅的尾部连接有光纤,光纤Bragg光栅、光纤Bragg光栅和光纤Bragg光栅封装于氧化铝陶瓷中,封装后再用聚四氟乙烯材料一体成形封装成T型结构,T型结构下面总长是1.2米,光纤Bragg光栅2距上端20cm、光纤Bragg光栅5固定在光纤Bragg光栅2下面45cm处,光纤Bragg光栅固定在光纤Bragg光栅下面55cm处。本实用新型专利技术实现了温度的分布式实时测量,利用光纤Bragg光栅抗电磁干扰能力强,电绝缘性能好,高可靠性和稳定性等优点。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种测量电解槽温度的光纤Bragg光栅温度传感器,属于光纤Bragg光栅测温装置
技术介绍
电解槽温度是金属电解生产中的一个重要技术参数,电解槽温度的高低,直接影响金属的电解质量;目前常采用的是插入热电偶和远距离测量仪器进行测量,其中,插入热电偶,人工测量,虽然可以用来测量高温,但是一方面不易构成多点分布式测量;另一方面热电偶使用的是电信号,测量阴极钢棒时很容易造成短路,在锌的生产过程存在安全隐患; 远距离测量仪器多采用红外测温仪进行,红外测温仪在强磁场环境下易失效,不能实时测温,尤其是红外测温仪在测定红外线强度,在低温接近室温时灵敏度最高,可测定出十分之几度的温差,在电解温度下,测量误差达10°C,无法满足电解槽工作对温度测量精度的要求。
技术实现思路
针对以上问题,本技术提供一种测量电解槽温度的光纤Bragg光栅温度传感器采用光纤Bragg光栅传感技术,用抗酸抗碱的氧化铝陶瓷套管将光纤Bragg光栅进行封装,并且用聚四氟乙烯一体成形后安装在电解槽中,实现温度的分布式实时测量,利用它抗电磁干扰能力强,电绝缘性能好,高可靠性和稳定性等优点。本技术采用的技术方案一种测量电解槽温度的光纤Bragg光栅温度传感器,传感器包括聚四氟乙烯材料I、光纤Bragg光栅I 2、氧化招陶瓷3、光纤4、光纤Bragg光栅II 5和光纤Bragg光栅III 6 ;光纤Bragg光栅I2的尾部连接有光纤4,光纤Bragg光栅I 2、光纤Bragg光栅II 5和光纤Bragg光栅III 6封装于氧化铝陶瓷3中,封装后再用聚四氟乙烯材料I 一体成形封装成T型结构,T型结构下面总长是I. 2米,光纤Bragg光栅I 2距上端20cm、光纤Bragg光栅II 5固定在光纤Bragg光栅I 2下面45cm处,光纤Bragg光栅III 6固定在光纤Bragg光栅II 5下面55cm处。本技术的有益效果是采用氧化铝陶瓷封装光纤Bragg光栅能够防止电解槽内弱酸性电解质液的腐蚀;聚四氟乙烯表面光滑,物质不易附着在其表面,采用聚四氟乙烯一体成形可以减少因沉淀物附着带来的误差;光纤Bragg光栅是电绝缘材料,具有很强的抗电磁干扰能力。附图说明图I为本技术的结构图。图中1_传感器包括聚四氟乙烯材料、2-光纤Bragg光栅、3_氧化铝陶瓷、4_光纤、5-光纤Bragg光栅Π 6-光纤Bragg光栅IIi具体实施方案下面通过附图和实施例对本技术最进一步说明,以方便技术人员理解。如图I所示传感器包括聚四氟乙烯材料I、光纤Bragg光栅2、氧化铝陶瓷3、光纤4、光纤Bragg光栅II 3和光纤Bragg光栅III 6 ;光纤Bragg光栅2的尾部连接有光纤4,光纤Bragg光栅I 2、光纤Bragg光栅II 3和光纤Bragg光栅III 6封装于氧化铝陶瓷3中,封装后再用聚四氟乙烯材料I 一体成形封装成T型结构,T型结构下面总长是I. 2米,光纤Bragg光栅I 2距上端20cm、光纤Bragg光栅II 5固定在光纤Bragg光栅I 2下面45cm处,光纤Bragg光栅III 6固定在光纤Bragg光栅II 5下面55cm处。本技术的工作过程在电解槽上横放一根PVC管,PVC管上部削去一部分成为一个槽,对应的每个电解槽处开一个和光纤Bragg光栅温度传感器下部大小相同的孔,将光纤Bragg光栅温度传感器通过小孔挂放在PVC管上,光纤Bragg光栅温度传感器中的三支光栅能够监测电解槽内的顶部、中间和底部的温度,使工作人员能及时了解电解槽内的温度的状况;光纤Bragg光栅通过引出光纤4连接到解调仪。 本技术的数学模型分析如下光纤Bragg光栅温度改变,由于光纤的热膨胀效应和光纤热光效应,引起反射峰值波长的变化。反射回来的峰值波长满足4 = 2^Λ(I)对式(I)进行温度T求导可得^ = (2) AT ' AT AT 资式⑵两边除以式(I),可以得到^ = (' + )χΔΤ=31χΔΤ4(3)移位变换后可得温度与中心波长移位量关系为ΔΤ = ...............^............................................(4) V St在式(3)中,£是光纤光栅的热光系数,它的表达式为-;是光纤光栅 ^a的热膨胀系数,它的表达式。A AT m在式(3)中&为传感器的温度系数,所以光纤光栅温度传感器Bragg波长的漂移与温度的变化成线性关系。Δ.4为波长的变化u力光纤的热膨胀系数^力热光系数。一般情况下对熔石英光纤来说, = 8.6x104/°C , α,= O 55xl0^pc。本技术通过具体实施过程进行说明的,在不脱离本技术范围的情况下,还可以对本技术专利进行各种变换及等同代替,因此,本技术专利不局限于所公 开的具体实施过程,而应当包括落入本技术专利权利要求范围内的全部实施方案。权利要求1. 一种测量电解槽温度的光纤Bragg光栅温度传感器,其特征在于传感器包括聚四氟乙烯材料(I)、光纤Bragg光栅I (2)、氧化招陶瓷(3)、光纤(4)、光纤Bragg光栅II (5)和光纤Bragg光栅ΙΠ (6 );光纤Bragg光栅I (2 )的尾部连接有光纤(4 ),光纤Bragg光栅I (2 )、光纤Bragg光栅II (5)和光纤Bragg光栅III (6)封装于氧化铝陶瓷(3)中,封装后再用聚四氟乙烯材料(I)一体成形封装成T型结构,T型结构下面总长是I. 2米,光纤Bragg光栅I (2)距上端20cm、光纤Bragg光栅II (5)固定在光纤Bragg光栅I (2)下面45cm处,光纤Bragg光栅III (6)固定在光纤Bragg光栅Π (5)下面55cm处。专利摘要本技术涉及一种测量电解槽温度的光纤Bragg光栅温度传感器,属于光纤Bragg光栅测温装置
光纤Bragg光栅的尾部连接有光纤,光纤Bragg光栅、光纤Bragg光栅和光纤Bragg光栅封装于氧化铝陶瓷中,封装后再用聚四氟乙烯材料一体成形封装成T型结构,T型结构下面总长是1.2米,光纤Bragg光栅2距上端20cm、光纤Bragg光栅5固定在光纤Bragg光栅2下面45cm处,光纤Bragg光栅固定在光纤Bragg光栅下面55cm处。本技术实现了温度的分布式实时测量,利用光纤Bragg光栅抗电磁干扰能力强,电绝缘性能好,高可靠性和稳定性等优点。文档编号G01K11/32GK202648832SQ201220314888公开日2013年1月2日 申请日期2012年7月2日 优先权日2012年7月2日专利技术者李川, 陈小勇, 薛珍丽, 蔡周春, 陈焰 申请人:昆明理工大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种测量电解槽温度的光纤Bragg光栅温度传感器,其特征在于:传感器包括聚四氟乙烯材料(1)、光纤Bragg光栅????????????????????????????????????????????????(2)、氧化铝陶瓷(3)、光纤(4)、光纤Bragg光栅(5)和光纤Bragg光栅(6);光纤Bragg光栅(2)的尾部连接有光纤(4),光纤Bragg光栅(2)、光纤Bragg光栅(5)和光纤Bragg光栅(6)封装于氧化铝陶瓷(3)中,封装后再用聚四氟乙烯材料(1)一体成形封装成T型结构,T型结构下面总长是1.2米,光纤Bragg光栅(2)距上端20cm、光纤Bragg光栅(5)固定在光纤Bragg光栅(2)下面45cm处,光纤Bragg光栅(6)固定在光纤Bragg光栅(5)下面55cm处。406548dest_path_image001.jpg,754808dest_path_image002.jpg,4524dest_path_image003.jpg,927480dest_path_image001.jpg,237239dest_path_image001.jpg,245646dest_path_image002.jpg,299053dest_path_image003.jpg,14199dest_path_image001.jpg,494859dest_path_image002.jpg,787300dest_path_image001.jpg,582081dest_path_image003.jpg,276367dest_path_image002.jpg...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:李川,陈小勇,薛珍丽,蔡周春,陈焰,
申请(专利权)人:昆明理工大学,
类型:实用新型
国别省市:
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