光学记录介质制造技术

本发明专利技术的目的是提供可以应用于具有约每一层25GB的高容量的一次写入光学记录介质、且在提供多层化的记录层构造时具有良好记录特性的光学记录介质。该光线记录介质包括基板21和两个到四个记录层221和222。这些记录层221和222中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In2O3、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少一者、PdO、以及PdO2的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层的电介质层232a和232b。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光学记录介质(例如光盘)，更具体地涉及可以高记录密度进行记录的光学记录介质。
技术介绍
近年来，对于高容量光盘，已经可购买到蓝光盘 (BD)(在下文中称作“高容量光盘”)。对于记录和再现用光的波长约405nm、和聚光透镜的数值孔径NA约0. 85的记录和再现光学系统，高容量光盘可实现约25GB的记录容量。在高容量光盘类型的光学记录介质中，已经考虑各种各样的一次写入记录层材料。作为常规的一次写入光盘记录层材料，已知有机染料。同时，为了改进使用有机染料的 生产率和有关记录信号的长期存储稳定性的问题，已经考虑各种各样的用于一次写入记录层材料的无机材料。例如，下文的专利文献I提出具有随着温度升高而高速结晶并产生光学变化的包括Te-O等的记录层的光学记录介质。专利文献I :日本未审查专利申请公开2008-11255
技术实现思路
本专利技术要解决的问题与此同时，在上述高容量光盘型一次写入光学记录介质中，为了进一步提高容量，已经进行多层化。对于单层高容量光盘，规定有关记录特性(跳动、调制度、误差率等)的适当范围。也需要在多层介质中满足位于范围内的记录特性。考虑到上述问题，本专利技术的目标是提供可以用作上述高容量光盘型一次写入光学记录介质的光学记录介质，抑制由多层化引起的记录特性降低，并具有可比得上单层记录层构造的记录特性。解决问题的手段本专利技术的光学记录介质包括基板和两个至四个记录层，其中记录层中的至少ー者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn (也就是说，ln203、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少ー者、PdO,以及PdO2的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层。这里的“至少包含In或Al作为主要成分”包括包含In作为主要成分的氧化物层、包含Al作为主要成分的氧化物层、或包含In和Al作为主要成分的氧化物层。如上所述，本专利技术的光学记录介质具有包括两个至四个记录层的多层构造，其中至少ー个或多个记录层是特定记录层，特定记录层具有包含PdO和PdO2的组分。当利用激光照射特定记录层时，其他稳定的氧化物(例如In2O3和Al2O3)不反应，但是PdO和PdO2反应。也就是说，通过照射记录光，产生反应以使得PdO分解成Pd和O2，且PdO2分解成PdO和02。当产生O2时，将提供使平坦薄膜记录层膨胀的构造。结果，在照射记录光的位置上，形成记录标记，记录标记的反射率不同于周围区域的反射率。此外，除了 PdO和PdO2之外，特定记录层包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn中的至少ー者。采用这种构造，通过调节组分比可以精确地控制透射率。例如，当Zn的组分比增大时，透射率减小。当Al的组分比增大时，透射率増大。当Pd的组分比增大时，透射率显著减小。相反，当Pd的组分比减小时，透射率倾向于显著増大。通过利用由组分比引起的透射率变化，可以容易且精确地有利调节记录层的透射率。在根据本专利技术的光学记录介质中，与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层。当氧化物层设置在特定记录层的光入射侧的相反侧时，记录功率裕度变得更宽。另ー方面，当氧化物层设置在光入射侧时，通过调整氧化物层的厚度可以单独地调节包括特定记录层的总反射率和透射率。因此，与特定记录层的顶部或底部相邻，设置In/Al氧化物层，从而提供具有良好记录特性的多层记录介质。这将使得高容量光盘型光学记录介质具有两个至四个多层化的记录层。 本专利技术的效果本专利技术可以提供具有多层记录层构造的高容量光盘一次写入型光学记录介质，该多层记录层构造的记录特性与单层记录层构造类似。附图说明图I是根据本专利技术的实施例的光学记录介质的示意性横截面构造图。图2是根据本专利技术的另ー实施例的光学记录介质的示意性横截面构造图。图3是根据本专利技术的另ー实施例的光学记录介质的示意性横截面构造图。图4是示出具有单层构造中的特定记录层的根据本专利技术的光学记录介质的第一參考实施例中的记录特性的图表。图5是与对比实施例的记录层特性相对比的、示出在单层构造中具有特定记录层的根据本专利技术的光学记录介质的第二參考实施例中的记录层特性的图表。图6是示出具有单层构造中的特定记录层的根据本专利技术的光学记录介质的第三參考实施例中的记录层特性的图表。图7是示出根据本专利技术的实施例的光学记录介质的多个记录层中的特性的图表。图8是示出根据本专利技术的另ー实施例的光学记录介质的记录层中的特性的图表。图9是示出根据本专利技术的另ー实施例的光学记录介质的记录层中的特性的图表。图10是示出根据本专利技术的另ー实施例的光学记录介质的多个记录层中的特性的图表。图11是示出根据本专利技术的另ー实施例的光学记录介质的记录层(L3)中的特性的图表。图12是示出根据本专利技术的另ー实施例的光学记录介质的记录层(L3)中的特性的图表。图13是示出根据本专利技术的另ー实施例的光学记录介质的多个记录层中的特性的图表。具体实施例方式将描述用于实施本专利技术的优选实施例(在下文中称作实施例)。将以下列顺序描述实施例。I.光学记录介质的构造(具有两层、三层和四层记录层的构造的实施例)2.參考实施例(仅包括ー个特定记录层的单层构造中的光学记录介质的记录特性)3.实施例(具有两层、三层和四层记录层的构造的实施例的记录特性)〈I.光学记录介质的构造〉图I是根据本专利技术的实施例的光学记录介质10的示意性横截面构造图。如图I所示，在光学记录介质10中，在基板11上形成两个记录层121 (LO)和122 (LI)。在多层记 录介质中，为方便起见，最接近基板的记录层一般表示为L0，然后顺序为L1、L2、......。当本实施例的光学记录介质10构造成上述高容量光盘(蓝光盘 )类型时，使用厚度约I. Imm且外径约120mm的盘状基板11。在基板11的表面上(例如形成有凹凸部分作为摆动槽的表面上)形成记录层121和122，由透光材料制成的中间层14介于记录层121和122之间。在相应的记录层121和122的顶部或底部，或者与相应的记录层121和122在附图中所示的顶部和底部相邻，设置电介质层131a和131b、132a和132b。电介质层可以设置成与顶部或底部相邻。至少这些记录层121和122中的一者(优选记录层122)在光入射侧包含PdO和Pd02。特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn (也就是说，In203、Zn0、Al203和SnO2)中的至少ー者的组分。至少与特定记录层的顶部和底部相邻的电介质层131a、131b、132a和132b中的任ー者构造成包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层。此外，在记录层122的顶部上，形成由透光材料制成的保护层15。保护层15的厚度选择为使得记录层121上的层的厚度总和为约100 iim。包含基板11的总厚度为I. 2_。在高容量光盘型构造中，记录用光的入射侧是保护层15—侧。应当注意，本专利技术不限于高容量光盘型构造。可以使用具有卡片形状等而不是盘状的基板。在基板具有盘状的情况下基板11或保护层15的厚度以及外径根据应用来适当地选择。图2和图3是根据本专利技术的另ー实施例的光学记录介质20和30的示意性横截面构造图。图2中所示的实施例示出具有三层构造中的记录层的光学记本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三木刚，宫胁真奈美，田内裕基，
申请(专利权)人：索尼公司，株式会社神户制钢所，
类型：
国别省市：