【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种检测电路，尤其是一种电容式MEMS传感器的检测电路，属于电容式MEMS传感器检测的
技术介绍
电容式MEMS传感器广泛运用于工业、民用、航空航天、国防等领域。由于电容式MEMS传感器尺寸的缘故,这类传感器的输出信号极为微弱，典型的电容式MEMS传感器输出信号为fF量级，如此小的待测量决定了微弱电容检测电路的重要性，其性能对于MEMS系统性能具有重要作用。 为提高MEMS传感器输出线性度、抑制共模噪声，电容式MEMS传感器中的敏感电容大多采用差分电容的形式。现有的微小差分电容检测方法主要有C一V转换和直流充放电法。其中，C-V转换法原理应用相同电荷在不同大小电容两端引起电势差与电容大小成反t匕，通过比较基准电压与输出电压，由参考电容大小计算待测电容大小，此方法的缺点在于电荷传递过程中难以保证电荷等量传递，抗干扰能力差。直流充放电法，即用恒流源同时对待测电容和参考电容充放电，当电容两端电压达到施密特触发器翻转电压时，电路翻转，电路输出两路频率与电容大小相关的信号。虽然输出信号是抗干扰很强的频率信息，但与频率直接相关的电容充放电过程对电压很...
【技术保护点】
一种电容式MEMS传感器的检测电路，其特征是：包括用于与第一待测电容（C1）、第二待测电容（C2）相连后形成的谐振单元，所述谐振单元通过频率检测单元与差频电路相连，频率检测单元的输出端分别与第一待测电容（C1）的第一可动极板（M1）、第二待测电容（C2）的第二可动极板（M2）相连；第一待测电容（C1）、第二待测电容（C2）对应连接形成与谐振单元，谐振单元内能产生谐振频率，并能对谐振衰减的能量补偿；频率检测单元根据谐振单元输出的谐振频率驱动差频电路输出对应的频率信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孟如男，王玮冰，
申请(专利权)人：江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：
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