一种晶体硅制绒前的清洗剂及清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种晶体硅制绒前的清洗剂及清洗方法，该清洗剂包括以下组分：0.1wt%~5wt%的氢氧化钠；1wt%~8wt%的过氧化氢；余量为水。本发明专利技术将待处理的晶体硅置于上述清洗剂中，依次进行第一超声处理和第二超声处理，完成对晶体硅的清洗。本发明专利技术提供的清洗方法仅经过两次超声处理即可实现对晶体硅制绒前的清洗，步骤少，操作简单，易于控制，有利于效率的提高。而且，本发明专利技术提供的清洗剂能够较彻底的实现对晶体硅的清洗，有利于后续制绒工序的进行。实验结果表明，采用本发明专利技术提供的清洗剂和清洗方法对晶体硅进行清洗后制绒，得到的绒面晶体硅的合格率得到了提高、对光的反射率得到了降低，提高了绒面晶体硅的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体硅太阳能电池
，尤其涉及。
技术介绍
在能源和生态环境的双重危机的背景下，太阳能等可再生能源越来越受到人们的重视。太阳能既是一种一次能源，又是可再生能源，它资源丰富，既无需运输，又对环境无任何污染，是清洁能源，为人类创造了一种新的生活形态，使社会进入了一个节约能源少污染的时代。在对太阳能的利用方面，太阳能电池的研究开发工作得到了人们的高度重视，其中单晶硅太阳能电池由于其相对高的效率和低的成本而备受关注。 单晶硅太阳能电池制备过程中的重要环节之一就是单晶硅制绒，通过对单晶硅的表面制绒，在硅片表面会形成类似金字塔型的绒面结构，这种绒面结构可以有效地降低硅片表面对入射光的反射率，减少入射光的反射，提高太阳能电池对入射光的吸收，从而可以大大提高电池的转换效率。目前已有的单晶硅制绒方法有化学腐蚀法、反应离子刻蚀法、光刻法和机械刻槽法等，其中化学腐蚀法因成本低、生产率高且方法简单，一直在单晶硅太阳能电池产业上被广泛地应用。在制绒前对硅片的清洗是太阳能电池生产中的第一道工序，其主要作用是驱除硅片表面的杂质损伤层和油脂、松香、蜡等有机污染，损伤层是在硅片切割过程中形成的表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅制绒前的清洗剂，包括以下组分：0.1wt%~5wt%的氢氧化钠；1wt%~8wt%的过氧化氢；余量为水。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪琴霞，
申请(专利权)人：浚鑫科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：