一种晶体硅制绒前的清洗剂及清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种晶体硅制绒前的清洗剂及清洗方法，该清洗剂包括以下组分：0.1wt%~5wt%的氢氧化钠；1wt%~8wt%的过氧化氢；余量为水。本发明专利技术将待处理的晶体硅置于上述清洗剂中，依次进行第一超声处理和第二超声处理，完成对晶体硅的清洗。本发明专利技术提供的清洗方法仅经过两次超声处理即可实现对晶体硅制绒前的清洗，步骤少，操作简单，易于控制，有利于效率的提高。而且，本发明专利技术提供的清洗剂能够较彻底的实现对晶体硅的清洗，有利于后续制绒工序的进行。实验结果表明，采用本发明专利技术提供的清洗剂和清洗方法对晶体硅进行清洗后制绒，得到的绒面晶体硅的合格率得到了提高、对光的反射率得到了降低，提高了绒面晶体硅的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体硅太阳能电池
，尤其涉及。
技术介绍
在能源和生态环境的双重危机的背景下，太阳能等可再生能源越来越受到人们的重视。太阳能既是一种一次能源，又是可再生能源，它资源丰富，既无需运输，又对环境无任何污染，是清洁能源，为人类创造了一种新的生活形态，使社会进入了一个节约能源少污染的时代。在对太阳能的利用方面，太阳能电池的研究开发工作得到了人们的高度重视，其中单晶硅太阳能电池由于其相对高的效率和低的成本而备受关注。 单晶硅太阳能电池制备过程中的重要环节之一就是单晶硅制绒，通过对单晶硅的表面制绒，在硅片表面会形成类似金字塔型的绒面结构，这种绒面结构可以有效地降低硅片表面对入射光的反射率，减少入射光的反射，提高太阳能电池对入射光的吸收，从而可以大大提高电池的转换效率。目前已有的单晶硅制绒方法有化学腐蚀法、反应离子刻蚀法、光刻法和机械刻槽法等，其中化学腐蚀法因成本低、生产率高且方法简单，一直在单晶硅太阳能电池产业上被广泛地应用。在制绒前对硅片的清洗是太阳能电池生产中的第一道工序，其主要作用是驱除硅片表面的杂质损伤层和油脂、松香、蜡等有机污染，损伤层是在硅片切割过程中形成的表面(IOym左右)晶格畸变，具有较高的表面复合。传统的前处理工艺是将待处理的晶体硅在第一超声槽中超声，超声温度为65度，去除晶体硅表面油脂、松香、蜡等有机污染；然后再将晶体硅在第二超声槽超声时间3分钟，超声温度为50度；再将经过第二超声的晶体硅置于水槽中在常温下清洗3分钟；然后再将得到的晶体硅置于盛有质量浓度为5%的氢氧化钠的去损槽中清洗I分钟，清洗温度为80度，去除晶体硅表面的机械损伤层；最后将得到的晶体硅置于水槽中清洗I分钟，清洗温度为45度。然而，现有技术中这种传统的前处理工艺步骤繁琐，操作复杂，不利于效率的提高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，采用本专利技术提供的清洗剂和清洗方法对晶体硅制绒前进行清洗时，步骤少，操作简单，有利于效率的提高。本专利技术提供了一种晶体硅制绒前的清洗剂，包括以下组分O. lwt% 5wt%的氢氧化钠；lwt% 8wt%的过氧化氢；余量为水。优选的，包括O. 5wt% lwt%的氢氧化钠。 优选的，包括I. 5wt°/T5wt%的过氧化氢。优选的，所述氢氧化钠的纯度大于等于98%。优选的，所述过氧化氢为电子级。本专利技术提供了一种晶体硅制绒前的清洗方法，包括以下步骤将晶体硅置于上述技术方案所述的清洗剂中，进行第一超声处理；将所述进行第一超声处理后的晶体硅在上述技术方案所述的清洗剂中进行第二超声处理。优选的，所述第一超声处理的温度为55°C 75°C ；所述第一超声处理的时间为120iT480S。优选的，所述第二超声处理的温度为40°C 60°C ；·所述第二超声处理的时间为90s 390s。优选的，所述进行第二超声处理后还包括以下步骤将所述进行第二超声处理后的晶体硅进行水洗，完成对晶体硅的清洗。优选的，所述水洗的时间为90s 420s。本专利技术提供了，该清洗剂包括以下组分O. lwt°/T5wt%的氢氧化钠；lwt°/T8wt%的过氧化氢；余量为水。本专利技术将待处理的晶体硅置于上述清洗剂中，依次进行第一超声处理和第二超声处理，完成对晶体硅的清洗。本专利技术提供的清洗方法仅经过两次超声处理即可实现对晶体硅制绒前的清洗，步骤少，操作简单，过程易于控制，有利于效率的提闻。采用本专利技术提供的清洗剂对晶体硅进行清洗时，氢氧化钠驱除了晶体硅表面的机械损伤层；过氧化氢具有较强的氧化性，能够把有机物、无机物等杂质氧化成高价离子和氧化物而清除，因此，本专利技术提供的清洗剂能够较彻底的实现对晶体硅的清洗，有利于后续制绒工序的进行；而且，本专利技术提供的清洗剂不会产生含氮的污染物，从而不会对环境造成污染；本专利技术提供的清洗剂成本较低，降低了晶体硅太阳能电池的生产成本。实验结果表明，采用本专利技术提供的清洗剂和清洗方法对晶体硅进行清洗后制绒，得到的绒面晶体硅的合格率得到了提高、对光的反射率得到了降低，提高了绒面晶体硅的性能。具体实施例方式本专利技术提供了一种晶体硅制绒前的清洗剂，包括以下组分O. lwt% 5wt%的氢氧化钠；lwt% 8wt%的过氧化氢；余量为水。本专利技术提供一种晶体硅制绒前的清洗剂，采用本专利技术提供的清洗剂对晶体硅进行制绒前的清洗时，步骤少，操作简单，易于控制，有利于效率的提高。而且，采用本专利技术提供的清洗剂对晶体硅清洗后进行制绒，得到的绒面晶体硅的合格率较高，反射率较小，提高了绒面晶体硅的性能。 本专利技术提供的晶体硅制绒前的清洗剂包括O. lwt9T5wt%的氢氧化钠，优选为O.5wt°/Tlwt%。在本专利技术中，氢氧化钠能够清洗掉晶体娃表面的机械损伤，有利于后续步骤中制绒的进行，而且得到的绒面结构大小适中，在保证低的反射率的前提下，有利于印刷电极烧结时形成良好的接触。本专利技术对所述氢氧化钠没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的氢氧化钠即可，在本专利技术中，所述氢氧化钠优选为分析纯的氢氧化钠，即纯度大于等于98%的氢氧化钠。本专利技术提供的晶体硅制绒前的清洗剂包括lwt9T8wt%的过氧化氢，优选为I.5wt9T5wt%。过氧化氢具有很强的氧化性，在本专利技术中，过氧化氢可以把有机物、无机物等杂质氧化成高价离子和氧化物而清除，而且能够较彻底地清除完全。采用本专利技术提供的清洗剂对晶体硅进行制绒前的清洗，有利于后续步骤中制绒的进行，而且得到的绒面结构大小适中，在保证低的反射率的前提下，有利于印刷电极烧结时形成良好的接触。本专利技术对所述过氧化氢没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的过氧化氢即可，在本专利技术中，所述过氧化氢优选为电子级；所述过氧化氢优选为过氧化氢水溶液，即双氧水，采用本领域技术人员熟知的双氧水即可，在本专利技术中，所述双氧水的质量浓度优选为25°/Γ35%，更优选为30°/Γ32%;所述双氧水的体积能够使上述质量浓度的双氧水在清洗剂中过氧化氢的质量浓度为lwt% 8wt%即可。本专利技术提供的晶体硅制绒前的清洗剂的余量为水，将上述技术方案所述的氢氧化钠和过氧化氢混合均匀，实现对晶体硅的清洗。本专利技术对所述水没有特殊的限制，采用本领 域技术人员熟知的水即可，在本专利技术中，所述水优选为纯水。采用本专利技术提供的清洗剂对晶体硅进行制绒前的清洗时，能够较彻底的除去晶体硅表面的机械损伤和有机污染等，有利于后续制绒工艺的进行，而且得到的绒面晶体硅的合格率得到了提高，对光的反射率得到了降低，提高了绒面晶体硅的性能。而且，本专利技术提供的清洗剂不会产生含氮污染物，环保。本专利技术提供了一种晶体硅制绒前的清洗方法，包括以下步骤将晶体硅置于上述技术方案所述的清洗剂中，进行第一超声处理；将所述进行第一超声处理后的晶体硅在上述技术方案所述的清洗剂中进行第二超声处理。本专利技术首先将待处理的晶体硅置于上述技术方案所述的清洗剂中进行第一超声处理。本专利技术对所述超声的方法没有特殊的限定，采用本领域技术人员熟知的超声的技术方案即可，在本专利技术中，优选将上述技术方案所述的清洗剂置于第一超声槽中，将待处理的晶体硅置于盛有清洗剂的第一超声槽中进行第一超声处理；所述第一超声处理的温度优选为55°C 75°C，更优选为60°C "70°C ;所述第一超声处理的时间优选为120s 480s，更优选为 150s 1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅制绒前的清洗剂，包括以下组分：0.1wt%~5wt%的氢氧化钠；1wt%~8wt%的过氧化氢；余量为水。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪琴霞，
申请(专利权)人：浚鑫科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：