电子标签中高频接口的整流器制造技术

本实用新型专利技术公开了电子标签中高频接口的整流器，包括第一电容、第一PMOS管、第二PMOS管及整流电压输出线，第一PMOS管和第二PMOS管两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线上，第一电容一端与整流电压输出线连接，其另一端接地。第一PMOS管的源极连接有第一天线信号输入线，第二PMOS管的源极连接有第二天线信号输入线。本实用新型专利技术采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且能提高整流效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及射频
，具体是电子标签中高频接口的整流器。
技术介绍
随着电子技术的迅猛发展和制造水平的不断提高，采用无线电实现的射频识别技术发展迅猛，射频识别电子标签作为一种非接触式IC卡，其将无线电技术和IC技术结合，通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据。射频识别系统中电子标签的高频接口形成从阅读器到电子标签的高频传输通路，高频接口从其天线上吸收电流，并将吸收的电流整流稳压后作为电子标签内芯片的电源。现有高频接口中天线上的电压低于整流输出电压时，电容上积聚的电荷会发生泄漏，从而会使得现有高频接口中整流电路的整流效率低。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种结构简单，且能提高整流效率的电子标签中高频接口的整流器。本技术的目的主要通过以下技术方案实现电子标签中高频接口的整流器，包括第一电容、第一 PMOS管、第二 PMOS管及整流电压输出线，所述第一 PMOS管和第二 PMOS管两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线上，所述第一电容一端与整流电压输出线连接，其另一端接地；所述第一 PMOS管的源极连接有第一天线信号输入线，所述第二PMOS管的源极连接有第二天线信号输入线。其中，本技术应用时，第一天线信号输入线相对连接第一 PMOS管漏极端的另一端和第二天线信号输入线相对连接第二 PMOS管漏极端的另一端均连接在高频接口的天线上，整流电压输出线用于高频接口中生成的直流电压的输出。电子标签中高频接口的整流器，还包括第一 NMOS管和第二 NMOS管，所述第一 NMOS管漏极连接在第一天线信号输入线上，第二 NMOS管漏极连接在第二天线信号输入线上，第一NMOS管栅极与第二天线信号输入线和第二 NMOS管漏极之间的线路连接，第二 NMOS管栅极与第一天线信号输入线和第一 NMOS管漏极之间的线路连接，第一 NMOS管和第二 NMOS管两者的源极均接地。第一 NMOS管和第二 NMOS管工作时交替导通，使天线上的低压端接地。所述第一天线信号输入线和第二天线信号输入线之间连接有第二电容。本技术可通过改变或替换第二电容来实现其参数的改变，从而改变天线的谐振频率。本技术工作时，当天线上的电压高于整流电压输出线输出的电压时，同时会有两条支路电流流向整流电压输出线，一条支路是第一 PMOS管和第二 PMOS管处于正常导通时的沟道电流，另一条支路是由于第一 PMOS管和第二 PMOS管的漏极与衬底之间的PN结正偏产生的衬底电流；当天线上的电压低于整流电压输出线的输出电压时，第一 PMOS管和第二 PMOS管处于截止状态，同时第一 PMOS管和第二 PMOS管的漏极和衬底处于反偏状态，不会产生衬底电流，因此能够很好地关闭第一 PMOS管和第二 PMOS管。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果本技术包括第一电容、第一PMOS管、第二 PMOS管及整流电压输出线，整体结构简单，便于实现，在天线上的电压低于整流电压输出线的输出电压时，本技术可通过关断第一 PMOS管和第二 PMOS管，从而避免第一电容上积聚的电荷发生泄漏，有助于提高整流效率；本技术中天线上的电压与整流电压输出线的输出电压之间的差值不再由PMOS管的阈值决定，而是由漏极与衬底构成的二极管两端的压降决定，这更进一步提高了本技术的整流效率。附图说明图I为本技术实施例的结构示意图。附图中附图标记所对应的名称为C1 一第一电容，C2—第二电容，P1—第一 PMOS管，P2—第二 PMOS管，NI—第一 NMOS管，N2—第二 NMOS管，ANTl—第一天线信号输入线，ANT2—第二天线信号输入线，I一整流电压输出线。具体实施方式下面结合实施例及附图对本技术作进一步的详细说明，但本技术的实施方式不限于此。实施例如图I所示，电子标签中高频接口的整流器，包括第一电容Cl、整流电压输出线I及四个MOS管，其中，四个MOS管分别为第一 PMOS管P1、第二 PMOS管P2、第一 NMOS管NI及第二 NMOS管N2。整流电压输出线I用于输出整流后的直流电压，第一 PMOS管Pl和第二PMOS管P2两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线I上，第一电容Cl 一端与整流电压输出线I连接且连接位置靠近整流电压输出线I的输出端头位置，其另一端接地。第一 PMOS管Pl的源极连接有第一天线信号输入线ANTl，第二 PMOS管P2的源极连接有第二天线信号输入线ANT2，第一天线信号输入线ANTl和第二天线信号输入线ANT2之间连接有第二电容C2。第一 NMOS管NI漏极连接在第一天线信号输入线ANTl上，第二 NMOS管N2漏极连接在第二天线信号输入线ANT2上，第一 NMOS管NI栅极与第二天线信号输入线ANT2和第二NMOS管N2漏极之间的线路连接，第二 NMOS管N2栅极与第一天线信号输入线ANTl和第一 NMOS管NI漏极之间的线路连接，第一 NMOS管NI和第二 NMOS管N2者的源极均接地。如上所述，则能很好的实现本技术。权利要求1.电子标签中高频接口的整流器，其特征在于包括第一电容(Cl)、第一PMOS管(P1)、第二 PMOS管(P2)及整流电压输出线(1)，所述第一 PMOS管(Pl)和第二 PMOS管(P2)两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线(I)上，所述第一电容(Cl) 一端与整流电压输出线(I)连接，其另一端接地；所述第一 PMOS管(Pl)的源极连接有第一天线信号输入线(ANT1)，所述第二 PMOS管(P2)的源极连接有第二天线信号输入线(ANT2)。2.根据权利要求I所述的电子标签中高频接口的整流器，其特征在于还包括第一NMOS管(NI)和第二 NMOS管(N2)，所述第一 NMOS管(NI)漏极连接在第一天线信号输入线(ANTl)上，第二 NMOS管(N2)漏极连接在第二天线信号输入线(ANT2)上，第一 NMOS管(NI)栅极与第二天线信号输入线(ANT2)和第二 NMOS管(N2)漏极之间的线路连接，第二 NMOS管(N2)栅极与第一天线信号输入线(ANTl)和第一 NMOS管(NI)漏极之间的线路连接，第一NMOS管(NI)和第二 NMOS管(N2)两者的源极均接地。3.根据权利要求I或2所述的电子标签中高频接口的整流器，其特征在于所述第一天线信号输入线(ANTl)和第二天线信号输入线(ANT2)之间连接有第二电容(C2)。专利摘要本技术公开了电子标签中高频接口的整流器，包括第一电容、第一PMOS管、第二PMOS管及整流电压输出线，第一PMOS管和第二PMOS管两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线上，第一电容一端与整流电压输出线连接，其另一端接地。第一PMOS管的源极连接有第一天线信号输入线，第二PMOS管的源极连接有第二天线信号输入线。本技术采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且能提高整流效率。文档编号G06K19/07GK202633912SQ20122031637公开日2012年12月26日 申请日期2012年7月3日 优先权日2012年7月3日专利技术者曾维亮 申请人:成都市宏山科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子标签中高频接口的整流器，其特征在于：包括第一电容（C1）、第一PMOS管（P1）、第二PMOS管（P2）及整流电压输出线（1），所述第一PMOS管（P1）和第二PMOS管（P2）两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线（1）上，所述第一电容（C1）一端与整流电压输出线（1）连接，其另一端接地；所述第一PMOS管（P1）的源极连接有第一天线信号输入线（ANT1），所述第二PMOS管（P2）的源极连接有第二天线信号输入线（ANT2）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾维亮，
申请(专利权)人：成都市宏山科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：