【技术实现步骤摘要】
本技术涉及模拟集成电路的开关电源，尤其涉及ー种开关电源的欠压保护电路，适用于各种电源管理芯片中的启动保护。
技术介绍
评价开关电源的质量指标应该是以安全性、可靠性为第一原则。开关电源不仅要在电器技术指标满足设备正常使用要求的条件下工作，还要在满足外界、自身电路或负载电路出现故障的条件下也能安全可靠的工作，当电源电压低于芯片的正常工作范围时，芯片内部某些电路会无法正常工作，并产生内部逻辑错误，从而使外部开关管处于不确定状态，有可能对外部电路和芯片造成损坏，因此必须设计欠压保护电路。欠压保护可以提高芯片可靠性、安全性、通过对芯片输入电压进行检测，在输入电源电压过小时，可以将芯片关断，芯片不工作，保持在安全状态。目前国内外的欠压保护电路分为两种，一种是外接基 准电压的欠压保护电路，一种是自启动的欠压锁存电路。图I给出了电源管理类集成电路的ー种欠压锁存电路，其中包括电源分压电路、比较器、用于提供带隙基准參考电压的基准电压源和由一些逻辑器件组成的逻辑电路，电源分压电路的输入端接电源电压，电源分压电路输出端接比较器的正向输入端，基准电压源的输出端接比较器的反向输入端，比较器...
【技术保护点】
一种开关电源的欠压保护电路，其特征是，包括自启动偏置电流源、采样电路、比较器、放大器、整形电路及反馈电路，自启动偏置电流源的输出连接采样电路的输入端，采样电路的输出端连接比较器的输入端，比较器的输出端连接放大器的输入端，放大器的输出端连接整形电路的输入端，整形电路的输出中，一路经反馈电路后连接采样电路，另一路连接被保护的开关电源，其中，自启动偏置电流源与采样电路系一个电路模块；自启动偏置电流源与采样电路包括三个电阻R1、R2及R3、NMOS管M4及一个PNP三极管，电阻R1、R2及R3依次串联，电阻R1的另一端接电源VDD，电阻R3的另一端连接NMOS管M4的栅极和漏极，N...
【技术特征摘要】
1. 一种开关电源的欠压保护电路，其特征是，包括自启动偏置电流源、采样电路、比较器、放大器、整形电路及反馈电路，自启动偏置电流源的输出连接采样电路的输入端，采样电路的输出端连接比较器的输入端，比较器的输出端连接放大器的输入端，放大器的输出端连接整形电路的输入端，整形电路的输出中，一路经反馈电路后连接采样电路，另一路连接被保护的开关电源，其中，自启动偏置电流源与采样电路系一个电路模块； 自启动偏置电流源与采样电路包括三个电阻Rl、R2及R3、NMOS管M4及一个PNP三极管，电阻R1、R2及R3依次串联，电阻Rl的另一端接电源VDD，电阻R3的另一端连接NMOS管M4的栅极和漏极，NMOS管M4的源极连接PNP三极管的发射极，PNP三极管的集电极和基极接地； 比较器包括两个PMOS管M5及M6、三个NMOS管M7、M8及M9，NM0S管M7的栅极连接自启动偏置电流源与采样电路中电阻R2与R3的串接点，NMOS管M7的源极、NMOS管M8的源极以及NMOS管M9的漏极连接在一起，NMOS管M9的栅极连接自启动偏置电流源与采样电路中NMOS管M4的源极，NMOS管M9的源极接地，NMOS管M8的栅极连接自启动偏置电流源与采样电...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐申，杨淼，陆晓霞，孙锋锋，孙伟锋，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：
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