脑部电损毁电极制造技术

脑部电损毁电极，属生命科学试验研究用装置技术领域。包含有：一导管，一管塞，一下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极；管塞，偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。导管起引导作用，管塞用于在套管插入时堵塞导管，以减少对导管通过路径上脑组织的损伤；偏心电极实现对距导管中心较远距离处的脑组织损毁。优点：可在一次性插入导管的情况下，对较大区域的脑结构进行电损毁，对其他部位脑组织的损伤较小，可避免现有技术在损毁较大脑结构时因多次插入所造成的出血概率增加。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属生命科学试验研究用装置

技术介绍
脑部电损毁是生命科学领域研究脑功能的重要技术手段之一。目前，脑部电损毁所用电极的类型有同心圆电极、单极针状电极和双极针状电极。这些电极共同的缺点是损毁区域范围较小，而在需要损毁较大范围的脑结构时需要进行多点损毁。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的缺点，提供一种能损毁较大区域脑结构的脑 部电损毁电极。本技术的结构是包含有一导管；一能插入导管的管塞，管塞一端设能限制插入导管之深度的限位头；—下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极，偏心电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头，一针形电极，针形电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头；管塞，偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。导管起引导作用，用于引导电极插入预订位置；管塞用于在套管插入时堵塞导管，以减少对导管通过路径上脑组织的损伤；偏心电极的偏心结构设计可以让露出导管的该电极下部距离导管中心的距离大于导管半径，从而实现对距导管中心较远距离处的脑组织损毁。本技术的使用首先将内插有管塞的导管缓慢推进至预损毁脑结构的上表面，然后将管塞拔出，将偏心电极自导管上端放入并向下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种脑部电损毁电极，其特征在于包含有：一导管；一能插入导管的管塞，管塞一端设能限制插入导管之深度的限位头；一下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极，偏心电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头，一针形电极，针形电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头；所说管塞，偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨上川，胡新天，江慧慧，马原野，
申请(专利权)人：中国科学院昆明动物研究所，
类型：实用新型
国别省市：