脑部电损毁电极制造技术

脑部电损毁电极，属生命科学试验研究用装置技术领域。包含有：一导管，一管塞，一下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极；管塞，偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。导管起引导作用，管塞用于在套管插入时堵塞导管，以减少对导管通过路径上脑组织的损伤；偏心电极实现对距导管中心较远距离处的脑组织损毁。优点：可在一次性插入导管的情况下，对较大区域的脑结构进行电损毁，对其他部位脑组织的损伤较小，可避免现有技术在损毁较大脑结构时因多次插入所造成的出血概率增加。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属生命科学试验研究用装置

技术介绍
脑部电损毁是生命科学领域研究脑功能的重要技术手段之一。目前，脑部电损毁所用电极的类型有同心圆电极、单极针状电极和双极针状电极。这些电极共同的缺点是损毁区域范围较小，而在需要损毁较大范围的脑结构时需要进行多点损毁。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的缺点，提供一种能损毁较大区域脑结构的脑 部电损毁电极。本技术的结构是包含有一导管；一能插入导管的管塞，管塞一端设能限制插入导管之深度的限位头；—下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极，偏心电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头，一针形电极，针形电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头；管塞，偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。导管起引导作用，用于引导电极插入预订位置；管塞用于在套管插入时堵塞导管，以减少对导管通过路径上脑组织的损伤；偏心电极的偏心结构设计可以让露出导管的该电极下部距离导管中心的距离大于导管半径，从而实现对距导管中心较远距离处的脑组织损毁。本技术的使用首先将内插有管塞的导管缓慢推进至预损毁脑结构的上表面，然后将管塞拔出，将偏心电极自导管上端放入并向下推动，在偏心电极下端将要露出导管时迅速插进，以便偏心电极凭借弹性到达预定位置。采用恒流源提供mA级的电流，按预定电流和时间对组织进行损毁。每损毁完一个点，将电极向上拔至导管内，旋转一定角度，重新插入，再进行损毁，使相邻损毁区域相接(根据电极的尺寸和通电电流的参数选择恰当的旋转角度)，最终形成一个环形的损毁区域。将偏心电极自导管拔出，针形电极插入，用于损毁导管中心下部区域的组织。本技术的优点可以在一次性插入导管的情况下，对较大区域的脑结构进行电损毁。该装置体积小，重量轻，操作过程简单，对其他部位脑组织的损伤较小，同时可以避免现有技术在损毁较大脑结构时因多次插入所造成的出血概率增加。附图说明图I为实施例中导管的主视剖面结构示意图。图2为实施例中管塞的主视结构示意图。图3为实施例中偏心电极的主视剖面结构示意图。图4为实施例中针形电极的主视剖面结构示意图。图5为实施例中偏心电极插入导管后的主视剖面结构示意图。以下实例仅仅是对本技术做个举例说明。必须特别指出的是，本技术的技术方案和保护范围并不受该实施例的局限。具体实施方式实施例见图I 5。该实施例装置由以下四个不锈钢制成的部件组成导管1，长40毫米，内径I. 6毫米。导管I上部设有通孔10，其作用是若导管中有 脑脊液或组织液，可以自通孔10排出。管塞2，一端设能限制插入导管I之深度的限位头3，管塞2能插入导管的长度为43毫米。偏心电极4，一端设能限制插入导管I之深度的限位头5，偏心电极4能插入导管I的垂直长度为43. 5毫米；6为绝缘层。针形电极7，一端设能限制插入导管I之深度的限位头8，针形电极7能插入导管I的长度为43. 5毫米；9为绝缘层。该装置可用于损毁一个直径为6_，纵深为4_的脑结构。偏心电极4凭借弹性到达预定位置时，电极下端距导管中心距离为I. 80mm，每旋转45°损毁一个点，共损毁8个点。将偏心电极4拔出，针形电极7插入，用于损毁脑结构的中间区域。每个损毁点的通电电流为2mA，通电时间为2min。9个损毁点损毁的区域有部分叠加，最终可损毁区域的直径最小处为5. 99mm,最大处为6. 60mm。权利要求1.一种脑部电损毁电极，其特征在于包含有 一导管; 一能插入导管的管塞，管塞一端设能限制插入导管之深度的限位头； 一下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极，偏心电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头， 一针形电极，针形电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头； 所说管塞，偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。2.如权利要求I所说的脑部电损毁电极，其特征在于导管上部设有通孔。专利摘要脑部电损毁电极，属生命科学试验研究用装置
包含有一导管，一管塞，一下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极；管塞，偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。导管起引导作用，管塞用于在套管插入时堵塞导管，以减少对导管通过路径上脑组织的损伤；偏心电极实现对距导管中心较远距离处的脑组织损毁。优点可在一次性插入导管的情况下，对较大区域的脑结构进行电损毁，对其他部位脑组织的损伤较小，可避免现有技术在损毁较大脑结构时因多次插入所造成的出血概率增加。文档编号A61B18/14GK202619842SQ201220159329公开日2012年12月26日 申请日期2012年4月16日 优先权日2012年4月16日专利技术者杨上川, 胡新天, 江慧慧, 马原野 申请人:中国科学院昆明动物研究所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种脑部电损毁电极，其特征在于包含有：一导管；一能插入导管的管塞，管塞一端设能限制插入导管之深度的限位头；一下段虽被弯折但具有弹性从而能插入导管的偏心电极，偏心电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头，一针形电极，针形电极另一端设能限制插入导管之深度的限位头；所说管塞，偏心电极和针形电极能插入导管的长度均大于导管长度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨上川，胡新天，江慧慧，马原野，
申请(专利权)人：中国科学院昆明动物研究所，
类型：实用新型
国别省市：