【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及苯并二噻吩的新型聚合物、其制备方法和材料、它们在有机电子(OE)器件中作为半导体的用途以及包含这些聚合物的OE器件。
技术介绍
近年来,已经开发了有机半导体(OSC)材料以生产更为多用途、更低成本的电子器件。这样的材料在宽范围的器件或仪器方面得到应用,包括有机场效应晶体管(0FET)、有机发光二极管(0LED)、光检测器、有机光伏(OPV)电池、传感器、存储元件和逻辑电路,不胜枚举。有机半导体材料一般以薄层,例如小于I微米厚的薄层的形式存在于电子器件中。 理想的半导体应当在其断路状态具有低导电率,并结合有高载流子迁移率(>1X 10_3 Cm2V—1 S—1)。此外,重要的是半导体材料对于氧化相对稳定,即其具有高电离电势,因为氧化导致降低的器件性能。半导体材料更进一步的要求是好的加工性能,特别是对于薄层和所期望图案的大规模生产,和高稳定性,薄膜均匀性和有机半导体层的完整性。对于在体异质结(BHJ)有机光伏(OPV)器件中的应用,要求半导体具有低带隙,其使得能够通过光活化层产生改善的光捕获(light harvesting)且能导致较高的电池效率。半导体材料更进一步的要求是良好的加工性能,特别是对于薄层和所期望图案的大规模生产,和高稳定性,薄膜均匀性和有机半导体层的完整性。在现有技术中,基于苯并[l,2-b:4,5_b’] 二噻吩的共轭聚合物例如报道于US7,524,922 B2中。起初,所公开的苯并[1,2~b:4, 5_b’ ] 二噻吩聚合物被用作晶体管应用中的有机半导体。然而,特定的共聚物变化对于光伏应用而言是很有吸引力的后备方案 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.19 EP 10004148.21.式I的聚合物2.根据权利要求I的聚合物,选自下式3.根据权利要求I或2的聚合物,其中Ar选自苯并[2,1,3]噻二唑_4,7-二基、·5,6-二烷基-苯并[2,I, 3]噻二唑-4,7-二基、5,6-二烷氧基苯并[2,I, 3]噻二唑_4,7-二基、苯并[2,I, 3]硒二唑-4,7-二基、5,6-二烷氧基-苯并[2,I, 3]硒二唑_4,7-二基、苯并[I, 2,5]噻二唑-4,7-二基、苯并[1,2,5]硒二唑_4,7-二基、苯并[2,I, 3]噁二唑-4,7-二基、5,6- 二烷氧基苯并[2,I, 3]噁二唑-4,7- 二基、2H-苯并三唑_4,7- 二基、2,3- 二氰基_1,4-亚苯基、2,5- 二氛基,I, 4-亚苯基、2,3- 二氣-I, 4-亚苯基、2,5- 二氣-I, 4-亚苯基、2,3, 5,6_四氣-I, 4-亚苯基、3,4- 二氣喔吩-2,5- 二基、喔吩并[3,4_b]卩比嚷_2,5- 二基、喹喔啉_5,8- 二基、噻吩并[3,4-b]噻吩-4,6- 二基、噻吩并[3,4_b]噻吩-6,4- 二基、3,6-吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-二酮,所有这些是未取代的,或者单或多取代的,优选用如权利要求I中定义的R1取代,其中“烷基”意指具有I至30个C原子的直链或者支化的烷基,“烷氧基”意指具有I至30个C原子的直链或者支化的烷氧基。4.根据权利要求I至3的一项或多项的聚合物,特征在于它们选自下式5.式III a的单体6.根据权利要求I至5的一项或多项的聚合物或者单体,其中R1和R2表示具有I至30个C原子的直链或者支化的烷基、烷氧基、硫代烷基,或者酮(-CO-Ry)或羧酸酯(-CO-O-Ry),其中Ry是具有I至30个C原子的直链、支化或者环状的烷基,并且其中在所有前述基团中的一个或者多个H原子任选地被F代替。7.根据权利要求I至6的一项或者多项的聚合物或者单体,其中R3和R4表示具有I至15个C原子的直链或者支化的烷基、烷氧基或者硫代烷基,其中一...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·提尔奈,N·布鲁因,W·密特彻,王常胜,M·卡拉斯克欧罗兹克,F·E·梅耶,
申请(专利权)人:默克专利股份有限公司,
类型:
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