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一种基于同步整流技术的开关磁阻电机控制器制造技术

技术编号:8132264 阅读:338 留言:0更新日期:2012-12-27 05:08
本发明专利技术公开了一种基于同步整流技术的开关磁阻电机控制器,包括微处理器、第一与门、第一与非门、电流采样电路、采样放大电路、磁阻电机位置传感器和功率变换器。电机运行阶段,微处理器通过分析来自开关磁阻电机位置传感器的信号,确定当前开通相。同时根据采样放大电路的采样放大信号,确定当前的电流状态。微处理器根据开关磁阻电机位置状态和电流状态,对功率变换器中的上下续流MOS管进行控制。本发明专利技术能实现利用MOS管沟道在开关磁阻电机绕组续流阶段提供续流通道,产生较现有二极管续流技术更小的导通损耗,从而降低能量损耗及降低功率变换器温升,系统更可靠安全。从而实现续流管的低温度效果,提高系统的可靠性和安全性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于同步整流技术的开关磁阻电机控制器,属于电动机控制领域。
技术介绍
开关磁阻电机结构简单坚固,工作可靠,效率高,由其构成的开关磁阻电动机驱动系统与传统交直流调速系统相比,具有许多优点,如起动转矩大,调速范围宽,控制灵活,可方便实现四象限运行,具有较强的再生制动能力,在宽广的转速和功率范围内都具有高效率,有利于节能降耗;可工作于极高转速;可缺相运行,容错能力强等。相比于其它直流电机,开关磁阻电机的工作电流大,传统的利用二极管进行续流的方案由于二极管的正向导通电压大,故在续流阶段续流损耗要大的多,特别是在在大电流连续工作阶段,从而造成晶体管的工作温度高,长时间的温度积累或者由于斩波失效造成的电流瞬间增高都会造成续流二极管的温度击穿,从而对系统的可靠性及安全性都存在有较大的隐患。且传统的二极管方案对系统的布局散热也有很高的要求,故从降低损耗来源降低温度源的角度提出利用MOS管进行续流的方案,该方案利用MOS管沟道电阻较小的特性,在续流开始阶段开启MOS管,从而利用MOS管沟道进行续流,以达到降低续流损耗及工作温度的目的,提高系统可靠性及安全性。在直流无刷电机上,该种方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于同步整流技术的开关磁阻电机控制器,包括微处理器(1)、第一与门(2)、第一与非门(3)、电流采样电路(5)、采样放大电路(6)、磁阻电机位置传感器(7)和功率变换器(4),其特征在于:所述功率变换器包括上开关MOS管(T1)、下开关MOS管(T2)、上续流MOS管(T4)和下续流MOS管(T3),上开关MOS管(T1)的栅极接第一与门(2)的输出端,下开关MOS管(T2)的栅极接微处理器(1)输入输出模块(12)的输出端,下续流MOS管(T3)的栅极接第一与非门(3)输出的信号,上续流MOS管(T4)的栅极接微处理器(1)输入输出模块(12)的输出端,上开关MOS管(T1)的源极与电机...

【技术特征摘要】
1.一种基于同步整流技术的开关磁阻电机控制器,包括微处理器(I)、第一与门(2)、第一与非门(3)、电流采样电路(5)、采样放大电路(6)、磁阻电机位置传感器(7)和功率变换器(4),其特征在于 所述功率变换器包括上开关MOS管(Tl)、下开关MOS管(T2)、上续流MOS管(T4)和下续流MOS管(T3), 上开关MOS管(Tl)的栅极接第一与门(2)的输出端,下开关MOS管(T2)的栅极接微处理器(I)输入输出模块(12)的输出端,下续流MOS管(T3)的栅极接第一与非门(3)输出的信号,上续流MOS管(T4)的栅极接微处理器(I)输入输出模块(12)的输出端, 上开关MOS管(Tl)的源极与电机绕组(M)的一端相连,漏极与直流电源(Vs)连接,下开关MOS管(T2)的漏极与电机绕组(M)的另一端相连,源极与第一电阻(Rl)连接, 上续流MOS管(T4)的源极与下开关MOS管(T2)的漏极相连,其漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟锐赵荣渟陈磊钱钦松孙伟锋陆生礼时龙兴
申请(专利权)人:东南大学
类型:发明
国别省市:

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