保护系统技术方案

本发明专利技术提供用于保护电子电路免受包括供应电压中的欠电压瞬变的电压瞬变的装置、系统及方法。所述装置可包括相对于电源以正向偏压形式耦合的第一低电压隔离晶体管，及与所述第一低电压隔离晶体管串联地且相对于电源电压以反向偏压形式耦合的第二低电压隔离晶体管。所述装置可进一步包括耦合在所述第一低电压隔离晶体管的栅极与所述电源之间的电阻器，所述电阻器经配置以在过电压事件期间限制电流流到所述第一低电压隔离晶体管的所述栅极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及装置保护系统，且更明确地说，涉及一种欠电压及过电压保护系统。
技术介绍
电源通常具有瞬变电压事件，瞬变电压事件可造成对从电源接收电力的电子装置 的显著损坏。虽然大多数装置包括过电压瞬变保护电路(例如，静电放电电路(ESD)、接地容错电路等等)，但欠电压瞬变事件通常难检测且难管理。举例来说，当电力连接器、插孔或适配器“反向地”或以反极性形式插入到电子装置中时，可发生欠电压瞬变事件。在欠电压瞬变事件期间，大的负电流可开始通过装置而流到电源，且过电压瞬变保护电路、电子装置或其两者可在此过程中受到损坏。
技术实现思路
大体上来说，本专利技术为耦合到电力轨的电子装置/电路提供一种用于欠电压保护及过电压保护两者的保护系统及方法。一般来说，保护系统包括欠电压保护电路，欠电压保护电路操作以阻止欠电压瞬变事件，欠电压瞬变事件原本会造成显著的电流从参考电位流到电源。此外，以与欠电压保护电路成堆叠布置的形式提供过电压保护电路以提供显著的正高电压容差。本专利技术的欠电压保护电路可利用常规低电压晶体管装置以处置欠电压或过电压事件。本专利技术的欠电压保护电路还可耦合到各种各样的电源配置以为电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压瞬变保护系统，其包含：欠电压保护电路，其与经配置以从电源接收供应电压的电子电路并联地耦合，所述欠电压保护电路经配置以减少由所述供应电压中的欠电压瞬变引起的欠电压电流。

【技术特征摘要】
2011.06.16 US 61/497,6661.一种电压瞬变保护系统，其包含 欠电压保护电路，其与经配置以从电源接收供应电压的电子电路并联地耦合，所述欠电压保护电路经配置以减少由所述供应电压中的欠电压瞬变引起的欠电压电流。2.根据权利要求I所述的系统，其中所述欠电压保护电路包含 第一低电压隔离晶体管，其相对于所述电源以正向偏压形式耦合；及第二低电压隔离晶体管，其与所述第一低电压隔离晶体管串联地且相对于所述电源电压以反向偏压形式耦口 ο3.根据权利要求2所述的系统，其中所述欠电压保护电路进一步包含 电阻器，其耦合在所述第一低电压隔离晶体管的栅极与所述电源之间，所述电阻器经配置以在过电压事件期间限制电流流到所述第一低电压隔离晶体管的所述栅极。4.根据权利要求2所述的系统，其进一步包含 过电压保护电路，其串联地耦合到所述第二低电压晶体管。5.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一低电压隔离晶体管及所述第二低电压隔离晶体管是负金属氧化物半导体NMOS晶体管。6.根据权利要求5所述的系统，其中所述第一低电压隔离晶体管及所述第二低电压隔离晶体管的衬底端子耦合到接地参考电位。7.根据权利要求5所述的系统，其中所述第一低电压隔离晶体管的η型隔离端子耦合到所述第二低电压隔离晶体管的η型隔离端子。8.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一低电压隔离晶体管的击穿电压是基于所述电子电路的欠电压容差。9.根据权利要求4所述的系统，其中所述第二低电压隔离晶体管的击穿电压是基于所述电子电路的过电压容差且是进一步基于所述过电压保护电路的击穿电压。10.一种欠电压保护电路，其包含 第...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼科尔·加涅，史蒂文·马卡卢索，泰勒·戴格尔，姜泰尹，
申请(专利权)人：快捷半导体苏州有限公司，飞兆半导体公司，
类型：发明
国别省市：