【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及到使得能够形成各种元件的图案化注入掺杂、沉积以及蒸镀的系列机构。本专利技术的一个益处是它能够实现这样的注入而无需使用任何额外的光刻(lithographic)或者其它外部掩模。本专利技术的阴影定义的掩模优选存在于掺杂或者沉积系统内，或者能够被转变为掺杂或者沉积系统。公开了ー种可调阴影掩模组件，该组件不仅适用于太阳能电池的制造，而且也能够被用于半导体以及其它表面和近表面的改动应用。掩模的各种实施例能够被用于具有静态或者连续移动的晶片的联机系统中。它也能够与线性或者旋转系统一起使用，从而使能利用离子束对该晶片进行完整扫描。该掩模能够提供精确和界限清楚的掺杂和沉积图案，以及能够提供用于太阳能电池的独特的原子分布(profile)剪裁能力，并入来自下列专利申请的特征2009年6月11日提交的、名为“FORMATION OF SOLAR CELL-SELECTIVE EMITTER USING IMPLANT AND ANNEAL METHOD” 的共同所有的美国专利申请No. 12/483017，以及2008年6月11日提交的、名为“FORMATION...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.09 US 61/302,8611.一种可调阴影掩模注入系统，包括离子源，其被配置为提供离子；以及阴影掩模组件，其被配置为选择性地允许来自所述离子源的离子穿过所述阴影掩模组件以到达所述离子被注入的衬底，其中，所述阴影掩模组件被配置为在第一位置和第二位置之间调整；其中，当所述阴影掩模组件被设置在所述第一位置时，所述阴影掩模组件使能多个基本平行的线的离子注入，而不使能在取向上与所述多个基本平行的线相交的任何线的离子注入,并且其中，当所述阴影掩模组件被设置在所述第二位置时，所述阴影掩模组件使能多个基本平行的线的离子注入以及在取向上与所述多个基本平行的线相交的线的离子注入。2.根据权利要求I所述的系统，其中，所述多个平行线基本垂直于在取向上相交的所述线。3.根据权利要求I所述的系统，其中，所述阴影掩模组件包括具有基本平行于第一轴的多个细长开口的第一暴露区域；以及具有基本平行于第二轴的细长开口的第二暴露区域，其中，所述第二轴基本垂直于所述第一轴；其中，所述阴影掩模组件被配置为通过调整所述第一暴露区域和所述第二暴露区域之间的距离来在所述第一位置和所述第二位置之间调整。4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述第一暴露区域包括具有基本平行于第一轴的第一组细长开口的第一遮挡掩模；以及具有基本平行于所述第一轴的第二组细长开口的第二遮挡掩模，其中，对所述第一遮挡掩模和所述第二遮挡掩模进行配置，使得所述第一组细长开口与所述第二组细长开口叠加，但偏离于所述第二组细长开口，以形成所述第一暴露区域的所述多个细长开口，所述第一暴露区域的所述多个细长开口小于在所述第一遮挡掩模的所述第一组细长开口以及所述第二遮挡掩模的所述第二组细长开口中的每一个细长开口。5.根据权利要求3所述的系统，其中，所述阴影掩模组件还包括被配置为使能从所述离子对所述衬底的全面均匀注入的均匀暴露区域。6.根据权利要求I所述的系统，还包括可移动衬底夹持器，其被配置为使所述衬底经由所述离子穿过所述阴影掩模组件的路径以一定速度移动；以及控制器，其操作性耦合至所述可移动衬底夹持器，其中，所述控制器被配置为针对所述第一位置将所述速度调整为第一水平并且针对所述第二位置将所述速度调整为第二水平。7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述第二水平是比所述第一水平低的速度。8.根据权利要求6所述的系统，其中，所述可移动衬底夹持器被配置为使所述衬底经由所述离子穿过所述阴影掩模组件的路径旋转。9.根据权利要求8所述的系统，其中，所述阴影掩模组件包括具有基本平行于第一轴的多个细长开口的第一暴露构件，其中，所述多个细长开口越远离所述衬底旋转所围绕的旋转点，所述多个细长开口的长度就越长；以及具有被配置在与所述第一轴相交的取向上的细长开口的第二暴露构件，其中，随着所述细长开口延伸远离所述衬底旋转所围绕的旋转点，所述细长开口变得越宽，其中，所述阴影掩模组件被配置为通过调整所述第一暴露构件和所述第二暴露构件之间的距离来在所述第一位置和所述第二位置之间调整。10.根据权利要求9所述的系统，其中，所述多个细长开口是弯曲的。11.一种离子注入的方法，包括使离子通过阴影掩模组件流动到衬底；将所述阴影掩模组件调整到第一位置，其中，所述衬底被选择性地注入多个基本平行的线的离子，而不被注入在取向上与所述多个基本平行的线相交的任何线的离子；以及将所述阴影掩模组件调整到第二位置，其中，所述衬底被选择性地注入多个基本平行的线的离子和在取向上与所述多个基本平行的线相交的线的离子。12.根据权利要求11所述的方法，所述多个平行线基本垂直于在取向上相交的所述线。13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述阴影掩模组件包括具有基本平行于第一轴的多个细长开口的第一暴露区域；以及具有基本平行于第二轴的细长开口的第二暴露区域，其中，所述第二轴基本垂直于所述第一轴；其中，所述阴影掩模组件被配置为通过调整所述第一暴露区域和所述第二暴露区域之间的距离来在所述第一位置和所述第二位置之间调整。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一暴露区域包括具有基本平行于第一轴的第一组细长开口的第一遮挡掩模；以及具有基本平行于所述第一轴的第二组细长开口的第二遮挡掩模，其中，对所述第一遮挡掩模和所述第二遮挡掩模进行配置，使得所述第一组细长开口与所述第二组细长开口叠加，但偏离于所述第二组细长开口，以形成所述第一暴露区域的所述多个细长开口，所述第一暴露区域的所述多个细长开口小于所述第一遮挡掩模的所述第一组细长开口以及所述第二遮挡掩模的所述第二组细长开口中的每一个细长开口。15.根据权利要求13所述的方法，还包括使离子流动通过所述阴影掩模组件的均匀暴露区域，从而提供从所述离子对所述衬底的全面均匀注入。16.根据权利要求11所述的方法，还包括衬底夹持器使所述衬底经由所述离子穿过所述阴影掩模组件的路径以一定速度移动；以及控制器针对所述第一位置将所述速度调整为第一水平并且针对所述第二位置将所述速度调整为第二水平。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第二水平是比所述第一水平低的速度。18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述可移动衬底夹持器使所述衬底经由所述离子穿过所述阴影掩模组件的路径旋转。19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述阴影掩模组件包括具有基本平行于第一轴的多个细长开口的第一暴露构件，其中，所述多个细长开口越远离所述衬底旋转所围绕的旋转点，所述多个细长开口的长度就越长；以及具有被配置在与所述第一轴相交的取向上的细长开口的第二暴露构件，其中，随着所述细长开口延伸远离所述衬底旋转所围绕的旋转点，所述细长开口变得越宽，其中，所述阴影掩模组件被配置为通过调整所述第一暴露构件和所述第二暴露构件之间的距离来在所述第一位置和所述第二位置之间调整。20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述多个细长开口是弯曲的。21.根据权利要求11所述的方法，其中，所述离子从离子源通过所述阴影掩模组件流动到所述衬底，所...
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