光模块制造技术

技术编号:8109251 阅读:208 留言:0更新日期:2012-12-21 23:21
本发明专利技术提供无论是由受光元件接收来自光纤的光信号的结构还是由光纤接收来自发光元件的光信号的结构,都能够提高光耦合效率的光模块。光模块包括:在表面上连续形成有第1槽(1a)和比所述第1槽(1a)深且剖面形状呈大致V字形状的第2槽(1b)的基板(1);设置于所述基板(1)的第1槽(1a)内的内部波导(16)。另外,光模块包括:设置于第1槽(1a)的前端部的光路转换用镜部(15);以与所述镜部(15)相对置的方式安装于基板(1)的表面,通过镜部(15)向内部波导(16)的芯部(17)射出光信号的发光元件(12a)。光模块还包括:具有设置在第2槽(1b)内的光纤包层部(22)及与内部波导(16)的芯部(17)光学连接的光纤芯部(21)的光纤(2)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发送或者接收光信号的光模块(optical module)。
技术介绍
作为以往的光模块,已知有记载于专利文献I的光模块(optical module)。在该光模块中,如图18所示基板30上形成有形状不同的两个V槽31、32。光纤33的包层部(clad) 33b被固定在其中一个V槽31上。包层部33b由V槽31、32的边界部分的上升倾斜部36定位。镜(反射面)34形成在另一个V槽32的前端。通过该镜34,光纤33的芯部(core) 33a的光轴被改变。并且,安装于基板30的受光元件35接收来自光纤33的光信号。 专利文献I :日本专利公开公报特开平9-54228号但是,在上述的光模块中,从光纤33的芯部33a的端部33c到镜34的距离长。因此,从芯部33a射出的光束会扩展,所以存在光耦合效率降低的问题。
技术实现思路
本专利技术为了解决所述问题,其目的在于提供一种光模块,该光模块无论是采用由受光元件接收来自光纤的光信号的结构还是采用由光纤接收来自发光元件的光信号的结构,都能够提高光耦合效率。为了解决所述问题,本专利技术提供的一种光模块包括基板,在其表面连续形成至少一条第I槽和比所述第I槽深且剖面形状呈大致V字形状的第2槽;内部波导,设置于所述基板的所述第I槽内;光路转换用镜部,设置于所述第I槽的前端部;光元件,以与所述镜部相对置的方式安装于所述基板的表面,通过所述镜部向所述内部波导的所述芯部射出光信号或通过所述镜部接收来自所述内部波导的所述芯部的光信号;以及光纤,具有设置于所述第2槽内的光纤包层部及与所述内部波导的所述芯部光学连接的光纤芯部。所述结构可以为,所述内部波导的所述芯部在所述光元件为发光元件时,具有使所述芯部的两侧面之间的宽度从所述镜部向与所述光纤的所述光纤芯部的连接端部逐渐变窄的斜面。所述结构可以为,所述内部波导的所述芯部在所述光元件为受光元件时,具有使所述芯部的两侧面之间的宽度从与所述光纤的所述光纤芯部的连接端部向所述镜部逐渐变窄的斜面。所述结构可以为,所述内部波导的所述芯部的宽度比所述第I槽的上端的宽度窄,较为理想的是,为与所述光纤芯部的宽度大致相同的宽度。所述结构可以为,所述第I槽的剖面形状呈大致梯形状,所述第I槽的底面的宽度比所述内部波导的所述芯部的宽度宽。所述结构可以为,在所述基板的所述表面形成与所述第2槽连续的第3槽,该第3槽的槽深比所述第2槽深且其剖面形状呈大致V字形状,所述光纤的覆盖部被设置于所述第3槽。所述结构可以为,所述基板被设置于尺寸大于所述基板的另一基板,所述光纤的覆盖部被固定于所述另一基板。另外,所述结构可以为,在所述基板的所述表面形成有与所述第2槽连续的、比所述第2槽深且剖面形状呈大致V字形状的第3槽、所述光纤的覆盖部设置于所述第3槽的结构中,前記基板被设置于尺寸大于所述基板的另一基板,所述光纤的所述覆盖部被固定于所述另一基板。所述结构可以为,所述基板被设置于尺寸大于所述基板的另一基板,在所述光纤的覆盖部的外周固定有覆盖体,所述光纤的覆盖体被固定于所述另一基板。所述结构可以为,多个所述第I槽各自彼此隔开地配置于所述基板。根据本专利技术,在基板的第I槽中设置具有芯部的内部波导(internal waveguide),并使在基板的第2槽内设置的光纤的光纤芯部与内部波导的芯部光学连接。并且,在光兀件为发光兀件时通过镜部向内部波导的芯部射出光信号,在光兀件为受光兀件时通过镜部接收来自内部波导的芯部的光信号。这样,因为使内部波导位于光纤的光纤芯部的端部与镜部之间,所以从发光元件射出的光束及从光纤的光纤芯部射出的光束的都不会扩展。因此,光纤的光纤芯部的端部与镜部之间的光信号的传播损失几乎不存在,从而光耦合效率提高。附图说明图I是本专利技术的实施方式所涉及的光模块的概略侧视图。图2是表示图I的发光侧的光模块的第I基板的图,图2 (a)是侧视剖面图,图2 (b)是图2(a)的I-I线剖视图,图2(c)是图2(a)的II-II线剖视图。图3是表示第I基板的图,图3 (a)是立体图,图3(b)是形成了内部波导的立体图。图4是表示第I基板的图,图4(a)是安装了发光元件的立体图,图4(b)是插入了光纤的立体图。图5(a)是在第I基板上固定了压块的立体图,图5 (b)是光纤的立体图。图6是表示第I槽的底面与内部波导的芯部的关系的正视剖面图。图7是表示第I变形例的第I基板的图,图7 (a)是立体图,图7 (b)是正视剖面图。图8是表示第2变形例的第I基板的正视剖面图。图9是表不第3变形例的第I基板的图,图9 (a)是立体图,图9(b)是侧视首I]面图。图10是表示发光元件侧的内部波导的芯部的变形例的图,图10(a)是俯视图,图10(b)是图10(a)的正视剖面图,图10(c)、(d)分别是其他变形例的俯视图。图11是表示受光元件侧的内部波导的芯部的变形例的图,图11(a)是俯视图,图11(b)是图11(a)的正视剖面图,图11(c)、(d)分别是其他变形例的俯视图。图12是将光纤的覆盖部粘接固定在第2基板上的第I例的侧视剖面图。图13是将光纤的覆盖部粘接固定在第2基板上的第2例的侧视剖面图。图14是表示作为本专利技术的另一实施方式的第I基板的图,图14(a)是立体图,图14(b)是正视剖面图。图15是表示作为本专利技术的又一实施方式的第I基板的图,是在基板表面整体上形成了氧化膜层的第I基板的剖视图。图16是表示作为本专利技术的又一实施方式的第I基板的图,是仅在遮蔽部的表面局部去除形成于基板表面的氧化膜层从而形成了去除部分的第I基板的剖视图。图17是表示作为本专利技术的又一实施方式的第I基板的图,是在遮蔽部配置了光吸收体的第I基板的剖视图。图18是表示专利文献I的光模块的图,图18(a)是侧视剖面图,图18(b)是正视剖面图。具体实施例方式以下,参照附图详细地说明用于实施本专利技术的方式。图I是本专利技术所涉及的光模块的概略侧视图。图2(a)至(C)是表示图I的发光侧的光模块的第I基板的图,图2(a)是 侧视剖面图,图2(b)是图2(a)的I-I线剖视图,图2(c)是图2(a)的II-II线剖视图。图3(a)至(b)是表示第I基板的图,图3(a)是立体图,图3(b)是形成了内部波导的立体图。图4(a)至(b)是表示第I基板的图,图4(a)是安装了发光元件12a的立体图,图4(b)是插入了光纤的立体图。图5是固定了压块24的立体图。在图I中,光模块包括作为发光侧基板的第I基板(承载基板)I、作为受光侧基板的第I基板(承载基板)3以及使该第I基板1、3光学耦合的光纤2。此外,在以下的说明中,将图I的上下方向(箭头Y的方向)称为上下方向(高度方向),将与纸面垂直的方向称为左右方向(宽度方向),将图I的左侧称为前方,将右侧称为后方。为了避免安装时的热影响或使用环境带来的应力影响,第I基板1、3需要刚性。另夕卜,由于在光传输时,为了从发光兀件到受光兀件的光传输而需要指定比例以上的效率,所以需要高精度地安装光元件、或极力抑制使用中的位置变动。因此,作为第I基板1、3,在本实施方式中采用硅(Si)基板。如果第I基板1、3为硅基板,则第I基板1、3能够利用硅的晶体方位在表面上进行高精度的蚀刻槽加工。利用该槽能够形成高精本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.23 JP 2010-036777;2010.09.27 JP 2010-215521.ー种光模块,其特征在于包括基板,在其表面连续形成至少一条第I槽和比所述第I槽深且剖面形状呈大致V字形状的第2槽;内部波导,设置于所述基板的第I槽内;光路转换用镜部,设置于所述第I槽的前端部;光元件,以与所述镜部相对置的方式安装于所述基板的所述表面,通过所述镜部向所述内部波导的所述芯部射出光信号或通过所述镜部接收来自所述内部波导的所述芯部的光信号;以及光纤,具有设置于所述第2槽内的光纤包层部及与所述内部波导的所述芯部光学连接的光纤芯部。2.根据权利要求I所述的光模块,其特征在于所述内部波导的所述芯部,在所述光元件为发光元件时,具有使所述芯部的两侧面之间的宽度从所述镜部向与所述光纤的所述光纤芯部的连接端部逐渐变窄的斜面。3.根据权利要求I所述的光模块,其特征在于所述内部波导的所述芯部,在所述光元件为受光元件时,具有使所述芯部的两侧面之间的宽度从与所述光纤的所述光纤芯部的连接端部向所述镜...

【专利技术属性】
技术研发人员:山路忠宽朝日信行柳生博之衣笠丰松本卓也新保努武
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:
国别省市:

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