光学元件制造技术

本发明专利技术涉及一种光学元件，其包括衬底基材和红外减反射膜红外抗反射膜抗红外反射红外抗反射膜。这种所述衬底基材由ZnSe制成，并且红外减反射膜所述红外抗反射膜抗红外反射红外抗反射膜形成在衬底所述基材的至少一个表面上形成。红外减反射膜所述红外抗反射膜抗红外反射红外抗反射膜包括包括包含由BaF2制成的低折射率层、由ZnSe、ZnS或Ge制成的高折射率层和由非晶形材料性或各向异性材料制成的中间层。通过采用这种结构，可以在不使用ThF4的情况下产生制备出具有高透射比透射率高且和小表面粗度表面粗糙度小的光学元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光学兀件，该光学兀件包括其表面上具有红外抗反射膜的基材。
技术介绍
近年来，人们积极开发出使用红外光的光学设备。特别地，8 μ m至14 μ m范围内的红外光已经受到人们的关注。因此，已经提出了多种适合于此范围内的红外光的光学元件。作为这种光学元件的实例，已知一种具有红外抗反射功能的光学元件，其包括基材(基底部件)和设置在该基材上的红外抗反射膜。所述基材由诸如ZnSe、ZnS、GaAs或Ge之类的红外透射材料形成。所述红外抗反射膜包含由氟化物(如PbF2、BaF2、LaF3、CeF3或ThF4)制成的低折射率层和由(例如)ZnSe, ZnS、GaAs或Ge制成的高折射率层。 在用于高功率激光(如CO2激光)的光学元件中，不能忽略吸收激光时所产生的热的影响。因此，需要减少红外抗反射膜的激光吸收率。在用于形成红外抗反射膜中的低折射率层的材料中，已知ThF4为具有这种特征的材料。然而，由于ThF4是一种放射性物质，因此、ThF4存在对人体有害并且处理受到限制的问题。为解决这个问题，专利文献I提出了一种光学元件，其包括由BaF2制成的低折射率层和由ZnSe制成的高折射率层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：楠幸久，
申请(专利权)人：住友电工硬质合金株式会社，
类型：发明
国别省市：