建筑整合式光伏面板制造技术

技术编号:8023524 阅读:161 留言:0更新日期:2012-11-29 05:38
本发明专利技术公开了一种建筑整合式光伏(building-integrated?photovoltaic;BIPV)面板,在其中一实施例中包含一基材层、一反射层、一第一导电层、一主动层、与一第二导电层。反射层形成于基材层上,第一导电层形成于该基材层上,主动层形成在第一导电层上,且第二导电层形成在主动层上。反射层具有一折射率与一厚度,藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内,对于一入射光具有一最大值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于ー种光伏装置,且特别是有关于ー种薄膜型建筑整合式光伏(building-integrated photovoltaic;BIPV)面板,且该薄膜型建筑整合式光伏面板可反射可见光谱的一特殊顔色。
技术介绍
光伏电池可藉由光伏效应将阳光的能量转换成电力,且光伏电池所组成元件可用于制作光伏模块或太阳能面板。在建筑整合式光伏(building-integratedphotovoltaic;BIPV)技术的应用中,光伏模块被制造成与建筑材料(如窗户、屋顶与外墙材料等)一体成形。在壅塞的都会区域,对于如何将太阳能利用于使建筑物时維持引人注目的 外观而言,BIPV技术是ー种理想的解决良方。目前可供利用的光伏电池大多由块状材料(诸如结晶硅或多晶硅材料)所组成。在BIPV材料中所包含的块状光伏电池多为非透明材料,因此只限于应用在遮光板、屋顶或外墙等材料。然而,由于BIPV窗户材料必须为透明材质,而且最好能够反射出建筑师与客户在美学偏好方面所欲呈现的(在可见光谱内的)顔色。因此,迄今仍有待开发出新的技术来解决上述种种问题。
技术实现思路
在一方面,本专利技术关于ー种BIPV面板。在其中一个实施例中,BIPV面板包含一基材层、一反射层、一第一导电层、一主动层与一第二导电层。反射层形成于基材层上,并且具有多个第一窗ロ以使基材层暴露出多个基材层第一外露部分。第一导电层形成于反射层与上述多个第一窗ロ所暴露出上述多个基材层第一外露部分上,具有多个第二窗ロ以使基材层暴露出多个基材层第二外露部分,且每ー上述的第二窗ロ位于所对应的ー个上述的第一窗口内。主动层形成于第一导电层上,具有多个第三窗ロ以使第一导电层暴露出多个第一导电层第一外露部分,且姆ー上述的第三窗ロ位于所对应的ー个上述的第一窗ロ内。第二导电层形成于主动层上,具有多个第四窗ロ以使第一导电层暴露出多个第一导电层第二外露部分,且每ー上述的第四窗ロ位于所对应的ー个上述的第一窗ロ内。其中,反射层具有一折射率与一厚度,藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内,对于一入射光具有一最大值。在其中一个实施例中,所述的选定波长范围对应于紫色、深蓝色、浅蓝色、银色、金色、橙色、红色与棕色当中至少ー者。在其中一个实施例中,反射层的折射率介于I. 5与6. 5之间。在其中一个实施例中,反射层包含碳化娃(silicon carbide; SiC),且反射层的厚度介于Inm与300nm之间。在另一个实施例中,反射层包含微晶娃(micro-crystalline silicon; U c-Si),且反射层的厚度介于Inm与600nm之间。在其中一个实施例中,第一导电层与第二导电层包含一透明导电氧化物(transparent conducting oxide;TCO)或一金属。透明导电氧化物包含氧化锌(zinc oxide; ZnO)、氧化锡(tin oxide; Sn02)、氧化铟(indium tin oxide; ITO)、氧化招锡(aluminum tin oxide; ATO)、氧化招锋(aluminum zinc oxide;AZO)、氧化镉铟(cadmium indium oxide;CI0)、氧化镉锋(cadmium zinc oxide;CZ0)、氧化嫁锋(galliumzinc oxide;GZ0)与氧化氟锡(fluorine tin oxide;FT0)当中至少一者。金属包含钥(mo I ybdenum; Mo ) > 钦(titanium;Ti)、镇(nickel; Ni )、金(gold;Au)、银(silver ;Ag)、络(chromium; Cr)与铜(copper; Cu)当中至少一者。 在其中一个实施例中,主动层更包含至少一光伏层,且光伏层由至少一半导体所形成。其中,所述的半导体包含第IV族元素半导体、第III-V族元素半导体、第II-VI族元素半导体与有机化合物半导体(organic compound semiconductors)当中至少一者。在一方面,本专利技术关于ー种BIPV面板。在其中一个实施例中,BIPV面板包含一基材层、一第一导电层、一主动层、一第二导电层与一反射层。主动层形成于第一导电层上;第ニ导电层形成于主动层上;且反射层形成于基材层与第一导电层之间,或形成于第二导电层上使第一导电层形成于基材层上。其中,反射层具有一折射率与一厚度,藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内,对于一入射光具有一最大值。在其中一个实施例中,所述的选定波长范围对应于紫色、深蓝色、浅蓝色、银色、金色、橙色、红色与棕色当中至少ー者。在其中一个实施例中,反射层包含碳化娃(silicon carbide; SiC)或微晶娃kmicro—crystaliine silicon; u c-bi) 在另一个实施例中,反射层包含微晶娃(micro-crystalline silicon; U c-Si),且反射层的厚度介于Inm与600nm之间。在其中一个实施例中,且反射层的厚度介于Inm与600nm之间。在其中一个实施例中,第一导电层与第二导电层包含一透明导电氧化物(transparent conducting oxide;TC0) 5 一金偶。在另一方面,本专利技术关于ー种BIPV面板。在其中一个实施例中,BIPV面板包含一基材层、一第一导电层、一主动层、与一第二导电层。第一导电层形成于基材层上;主动层形成于第一导电层上;第二导电层形成于主动层上;其中,第一导电层具有一厚度,藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱所对应的紫色、深蓝色、浅蓝色、银色、金色、橙色、红色与棕色当中至少ー者的波长范围内,对于一入射光具有一最大值。在其中一个实施例中,第一导电层与第二导电层包含一透明导电氧化物(transparent conducting oxide;TC0) 5 一金偶。在其中一个实施例中,第一导电层的厚度介于Inm与3000nm之间。在又一方面,本专利技术关于ー种形成BIPV面板的方法。在其中一实施例中,该方法包含以下步骤首先,在一基材层上沉积出一反射层,并在反射层上刻划出多个第一窗ロ,藉以使基材层暴露出多个基材层第一外露部分。接着,在反射层上以及在基材层被第一窗ロ所暴露出的第一外露部分上沉积出一第一导电层,并且在第一导电层上刻划出多个第二窗ロ,藉以使基材层暴露出多个基材层第二外露部分,并使姆一上述的第二窗ロ位于所对应的ー个上述的第一窗口内。紧接着,在第一导电层上沉积出一主动层,并在主动层上划出多个第三窗ロ,藉以使第一导电层暴露出多个第一导电层第一外露部分,并使每一上述的第三窗ロ位于所对应的ー个上述的第一窗ロ内。然后,在主动层上沉积出一第二导电层,并在第二导电层上划出多个第四窗ロ,藉以使第一导电层暴露出多个第一导电层第二外露部分,并使姆一上述的第四窗ロ位于所对应的ー个上述的第一窗口内。其中,反射层具有一折射率与一厚度,藉以使BIPV面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内,对于一入射光具有一最大值。在其中一个实施例中,所述的选定波长范围对应于紫色、深蓝色、浅蓝色、银色、金色、橙色、红色与棕色当中至少ー者,且反射层包含碳化娃(silicon本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种建筑整合式光伏面板,包括:一基材层;一反射层,形成于该基材层上,并且具有多个第一窗口以使该基材层暴露出多个基材层第一外露部分;一第一导电层,形成于该反射层与该些第一窗口所暴露出该些基材层第一外露部分上,具有多个第二窗口以使该基材层暴露出多个基材层第二外露部分,且每一上述的第二窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内;一主动层,形成于该第一导电层上,具有多个第三窗口以使该第一导电层暴露出多个第一导电层第一外露部分,且每一上述的第三窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内;以及一第二导电层,形成于该主动层上,具有多个第四窗口以使该第一导电层暴露出多个第一导电层第二外露部分,且每一上述的第四窗口位于所对应的一个上述的第一窗口内;其中,该反射层具有一折射率与一厚度,藉以使该建筑整合式光伏面板的反射率光谱在一可见光谱的一选定波长范围内,对于一入射光具有一最大值,且该反射层包含微晶硅。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:蔡进耀林义凯曾一恒张志雄林昆志
申请(专利权)人:宇通光能股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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