下变频器、下变频器IC以及用于控制下变频器的方法技术

技术编号:7997429 阅读:208 留言:0更新日期:2012-11-22 05:59
本发明专利技术涉及下变频器、下变频器IC以及用于控制下变频器的方法。具体涉及在利用多个下变频器电路构成通用双下变频器的情况下也能正常操作的下变频器。下变频器包括第一和第二下变频器电路,以及至少具有用于接收水平偏振波信号的第一放大器LNA和用于接收垂直偏振波信号的第二放大器LNA的放大单元。如果Tone/Pola信号是指示省电模式的信号,则第一下变频器电路的控制电路使本地振荡器和频率转换器两者都处于非操作状态,控制偏压电路以便为第一放大器LNA提供电能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及下变频器、下变频器IC以及用于控制下变频器的方法,并且特别涉及用于下变频所接收的偏振波信号的下变频器、下变频器IC以及用于控制下变频器的方法。
技术介绍
为了将所接收的人造卫星波的频率转换成经由电缆可传输的中频(以下也称为IF频率),米用低噪声块下变频器(LNB下变频器Low Noise Block downconverter)。图14是用于说明专利文献I中公开的卫星接收转换器(下变频器)的框图。利用 图14中所示的卫星接收转换器,经由抛物面天线(未示出)接收的水平偏振波或垂直偏振波的BS信号被分别从BS信号端子221、222输入,并且初级的放大器电路223、224以及次级的放大器电路225分别设置于BS信号端子221、222的后级。初级中相应的放大器电路223、224放大分别从BS信号端子输入221、222的水平偏振波或垂直偏振波的BS信号。随后,次级中的放大器电路225进一步放大初级中的放大器电路223或放大器电路224的输出。放大器电路223至225每个都是通过利用高电子迁移率晶体管(HEMT =HighElectron Mobility Transistor)等用于在高频下进行操作的低噪高频放大器。为了使放大器电路223或放大器电路224能够接收水平偏振波或垂直偏振面波,需要在提供至这些放大器电路的相应电压之间进行选择性切换。为此,在结合在卫星接收转换器IC 201中的开关电路310中完成在将要分别提供至放大器电路223和放大器电路224的电压之间进行选择性切换。更具体地,根据所接收的BS信号是水平偏振波还是垂直偏振波而分别从端子211、212或端子213、214提供放大器电路223或放大器电路224所需的电压。此外,为了使次级中的放大器电路225放大水平偏振波或垂直偏振波的BS信号,在接收BS信号的同时,始终分别从端子215、216为放大器电路225提供必要的电压。放大器电路225的输出进一步由结合在卫星接收转换器IC 201中的放大器电路311放大,从而通过变频器312转换成处于中频的BS-IF信号。BS-IF信号进一步由后级放大器电路313放大,且随后通过电容204从BS-IF信号中去除DC分量,以经由电缆(未示出)发送至BS调谐器(未示出)。而且,包括本地振荡电路的PLL电路314输出本地振荡信号以用于将10. 7至12. 75GHz范围内的接收频率中的10. 7至11. 7GHz范围内的低频带频率和11. 7至12. 75GHz范围内的高频带频率转换成BS-IF信号的频率。将用于控制从BS调谐器接收的偏振波的切换的DC电压信号输入至开关电路310。更具体地,将13V或双倍的DC电压信号作为电源电压输入至开关电路310,且开关电路310检测所输入的DC电压信号的幅值,由此做出使用初级中的哪个放大器电路223、224的决定。用于根据由开关电路310检测到的DC电压信号的幅值而产生正和负电压的电压发生源315分别经由端子211至216而为放大器电路223或放大器电路224以及放大器电路225提供正和负电压。用于分别在放大器电路223至225中使用的高电子迁移率晶体管(HEMT)通常通过向栅极端子提供负电压且向漏极端子提供正电压而启动。例如,在使用放大器电路223的情况下,卫星接收转换器IC 201从端子213产生负电压,并将该负电压提供给HEMT的栅极端子。卫星接收转换器IC 201同时从端子214产生正电压,并将该正电压提供给HEMT的漏极端子。对于向此时不使用的放大器224的电压供应,分别从端子211、212提供用于使放大器电路224中的HEMT截止的电压。·利用上述构造,将放大器电路223的输出信号提供给放大器电路225。放大器电路225也如放大器电路223的情况而被启动,且将从卫星接收转换器IC 201的端子215输出的负电压提供给HEMT的栅极端子。同时将从端子216输出的正电压提供给HEMT的漏极端子。如上操作,将由放大器电路225放大的BS信号提供至卫星接收转换器IC201的放大器电路311。在使用放大器电路224的情况下,卫星接收转换器IC 201从端子211产生负电压,并将该负电压提供给HEMT的栅极端子。同时,卫星接收转换器IC 201从端子212产生正电压,并将该正电压提供给HEMT的漏极端子。此时,将用于截止放大器电路223中使用的HEMT的电压提供给不使用的放大器电路223。对于图14中所示的卫星接收转换器,用于在放大器电路223和放大器电路224之间切换的开关电路310被结合在卫星接收转换器IC 201中。即,卫星接收转换器IC 201设置有用于产生用于启动放大器电路223或放大器电路224的负电压的电路,以便接收水平偏振波或垂直偏振波。此外,在专利文献2中公开了一种技术,其涉及一种能提高全体LNB的隔离的下变频器。在专利文献3中公开了一种技术,其涉及一种能从多个信道单独接收相应信号的调谐器装置。在非专利文献I中公开了一种技术,其涉及一种通用单一类型LNB。专利文献I日本未审查专利公开No. 2010-26829专利文献2日本未审查专利公开No. 2002-190749专利文献3日本未审查专利公开No. 2003-19840非专利文献ITino Copani,“A I2-GHz Silicon Bipolar Dual-Conversion Receiver forDigital Satellite Applications (用于数字卫星应用的12-GHz娃双极双转换接收器)”,IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS,第 40 卷,第 6 期,2005 年 6 月
技术实现思路
在利用专利文献I中公开的下变频器IC构成通用双下变频器的情况下,例如可以设想采用图9中所示的构造(图9中所示构造是本申请的专利技术人所设计的构造)。就此而论,“通用双”是指例如DisEqc (Digital Satellite Equipment Control :数字卫星设备控制)的规范中所述的、能够输出两个中频信号的构造。对于图9中所示的下变频器,由一个抛物面天线接收水平偏振波信号(H) 105和垂直偏振波信号(V) 106,且下变频后的中频信号0UT101、0UT102分别从下变频器电路101、102输出。图9中所示的下变频器设置有放大单元103以及下变频器电路101、102。放大单元103设置有用于分别放大由抛物面天线104接收的水平偏振波信号105和垂直偏振波信号106的多个放大器(低噪声放大器(LNA Low Noise Amplifier))。通过LNAlll放大由抛物面天线104接收的水平偏振波信号105,以将其输出至LNAl 13和LNAl 14。LNA113放大已经由LNAlll放大的水平偏振波信号以随后将其输出至下变频器电路101的输入端子131。LNA114放大已经由LNAlll放大的水平偏振波信号以随后将其输出至下变频器电路102的输入端子141。·通过LNA112放大由抛物面天线104接收的垂直偏振波信号106,以将其输出至LNAl 15和LNA116。LNAl 15放大已经由LNA112放大的垂直偏振波信本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种下变频器,包括:放大单元;第一下变频器电路;以及第二下变频器电路,所述放大单元至少包括:第一放大器,所述第一放大器用于接收第一偏振波信号;以及第二放大器,所述第二放大器用于接收第二偏振波信号,所述第一下变频器电路包括:第一基准信号发生器,所述第一基准信号发生器用于产生具有第一基准频率的第一基准信号;第一本地振荡器,所述第一本地振荡器用于利用所述第一基准信号产生第一本地振荡频率信号;第一频率转换器,所述第一频率转换器用于利用所述第一本地振荡频率信号将由所述放大单元放大的信号转换成中频;第一偏压电路,所述第一偏压电路用于为所述第一放大器提供电能;以及第一控制电路,所述第一控制电路用于根据第一控制信号控制所述第一基准信号发生器、所述第一本地振荡器、所述第一频率转换器以及所述第一偏压电路,所述第二下变频器电路包括:第二基准信号发生器,所述第二基准信号发生器用于产生具有第二基准频率的第二基准信号;第二本地振荡器,所述第二本地振荡器用于利用所述第二基准信号产生第二本地振荡频率信号;第二频率转换器,所述第二频率转换器用于利用所述第二本地振荡频率信号将由所述放大单元放大的信号转换成中频;第二偏压电路,所述第二偏压电路用于为所述第二放大器提供电能;以及第二控制电路,所述第二控制电路用于根据第二控制信号控制所述第二基准信号发生器、所述第二本地振荡器、所述第二频率转换器以及所述第二偏压电路,其中,如果所述第一控制信号是指示省电模式的信号,则所述第一控制电路使所述第一本地振荡器和所述第一频率转换器两者都处于非操作状态,并控制所述第一偏压电路以便为所述第一放大器提供电能,以及其中,如果所述第二控制信号是指示省电模式的信号,则所述第二控制电路使所述第二本地振荡器和所述第二频率转换器两者都处于非操作状态,并控制所述第二偏压电路以便为所述第二放大器提供电能。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:中村良明
申请(专利权)人:瑞萨电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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