同步整流器禁用装置制造方法及图纸

技术编号:7978766 阅读:176 留言:0更新日期:2012-11-16 06:21
电源(200)接收整流器(230)整流的交流电输入(102)。在运行模式操作和待机模式操作两者期间,将整流输出电压(132)耦合到负载(500)和微处理器(400)。整流器(230)在运行模式操作期间,通过包括的MOSFET(234)提供同步整流,而在待机模式操作期间,通过包括的肖特基二极管(232)提供非同步整流。整流器(230)中的肖特基二极管(232)与MOSFET(234)并联,在待机模式操作期间提供整流。将来自微处理器(400)的接通/断开控制信号(203)的源(400)施加给负载以便改变操作模式,以及并行地施加给整流器(230),以便在待机模式操作期间,在整流器(230)中禁用同步整流。在待机模式操作中,通过消除对同步整流器控制器(236)供能所消耗的功率,提高了电源(200)的效率。在待机模式操作中,通过使用来自微处理器(400)的接通/断开控制信号(203)禁用同步操作,也提高了电源(200)的效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用同步整流的电源。
技术介绍
如现有技术的图I所示,电子设备111的电源100包括输入侧组件110和次级侧组件120。也称为“热侧”组件的输入侧包含整流交流(AC)输入电源102的输入桥112、和驱动和调节初级绕组114的电压的开关模式电路。电源初级以也称为热侧或非隔离地的电位116为基准。 例示性电源100的次级侧120包括电源变压器次级绕组124,电源100的初级110和次级120被绕组114和124之间的隔离屏障122分开。绕组124在第一端上与整流器230连接,整流器230在它的其它端子上以“冷侧”或隔离地128为基准。整流器230包含同步整流器233,同步整流器233包含与整流器二极管232并联的金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)234。整流器二极管232具有与MOSFET 234的漏极连接的阴极和与地128连接的阳极。MOSFET 234包括与二极管234相对应极化的体二极管235。在绕组124的第二端上产生在此处通过电解电容器130对其滤波的电源输出电压132,并且将输出负载电流134供应给电源负载295。插在电源100与负载295之间的是负载传感器290。负载传感器290具有依照负载有选择地禁用同步整流的信号作为输出202。在许多电源中,可能将整流器230放置成在绕组124的第二端上具有相反极性,而绕组124的第一端直接与地128连接。如图I所示配置整流器的优点是有助于整流器230散热。电源初级可以配置成任何数量的众所周知电源类型,例如,箝位模式正激转换器(clamped mode forward converter)或反激式转换器(flyback converter)。尽管电源是开关模式配置并不是必需的,但对效率的需要通常使那种模式受到青睐。在这个示范性开关模式电源中所述的整流器类型中,由于往往是效率低下的主要源二极管232往往是肖特基(Schottly)二极管;电压降跨越传统整流器二极管。在更大功率电源中,跨越二极管的电压降引起的效率低下可能相当严重,因此需要像强制风冷那样的散热和可能积极措施(active meatures)。为了满足数字设备的高速和小型化的日益增加需求,微电子电路的电压水平一直在下降。尽管5V和12V电源仍然占主导地位,但3. 3V,2. 5V,I. 8V和I. 5V等越来越普遍地作为许多电子设备中的标准电压。使用传统整流器二极管将次级AC电压整流成DC电压的以往设计使次级侧的输出电流在初级侧的电源开关断开的时间内变得“随心所欲(freewheel)”。随着使电子设备消耗的功率最小化的要求越来越严格,以及随着用在现代设备中的工作电压越来越低,在整流器二极管中造成的功率损失与输出功率相比变得非常大。例如,在IV输出电源中使用O. 5V肖特基二极管导致整流器电路中的输出功率的约33%的功率损失。为了提高整流器效率,可以将晶体管,通常场效应晶体管(FET)或更具体地说,MOSFET用作取代二极管的低压降开关。这种技术被称为同步整流。同步整流需要控制同步整流器的驱动器,以便在整流电压的最低部分期间接通M0SFET,而在整流电压的最高部分期间断开MOSFET。像ST微电子STS-R3或易亨电子(Anachip)AP436那样的集成电路控制器以及分立电路设计用于控制同步整流器的传导(conduction)。并且,大功率密度在电源相对于电源输出的空间有限的应用中是至关重要的。因此,开发出使效率得到提高,以便部分使对散热器的需要或散热器的尺寸最小化的电源是不懈的追求。另外,由于能源之星(Energy Star)和欧洲CoC要求,新电源设计即使在低输出功率水平上也必须保持高效率,并且当存在小负载或无负载时必须具有极大降低的输入功率。同步整流器通过降低标准二极管整流器典型的传导损失(conduction loss)可以在正常和大负载水平提高电源的效率。同步整流器FET的优点是电流FET的极小“接通电阻(on resistance)”。尽管同步整流器在当今的较低压水平比二极管整流器有效得多,但它们也不是没有其缺点。存在一定数量的功率开销,最突出的是操作存在于驱动当存在低输出功率水平时可以影响电源的效率的同步整流器中的同步整流器控制器所需的功率。在图I的装置中,感测输出电流或输出功率以便在低功率或电流操作的情况期间禁用同步整流器234。在小电流或功率操作的情况期间禁用同步整流器使反向电流最小化, 因此提高了电源的效率和热管理。但是,负载传感器290消耗非所希望的附加功率。在不使用不利地消耗功率和使电路复杂化的负载传感器290的情况下,禁用同步整流可能是人们所希望的。
技术实现思路
本专利技术的公开实施例涉及包括交流电输入电源和与负载耦合的整流输入电源的整流器的电源。在与负载耦合的电流路径中,在运行模式操作和待机模式操作两者期间产生整流输出电源电流。该整流器在运行模式操作期间提供同步整流。接通/断开控制信号的源施加给负载,以便减小整流输出电源电流,以及并行地施加给整流器,以便在整流器中有选择地禁用同步整流。附图说明在附图中图I是已知电源实践的局部示意、局部方块图;图2是并入本专利技术实施例的电子设备的局部方块图形式和局部示意形式的描绘;图3示出了图2的整流器的端子上的相关波形;图4是详细描述同步整流器控制器的分立电路的示意图;以及图5示出了图4的示意图的相关波形。具体实施例方式图2描绘了一种电子设备,或更具体地说,机顶盒300,其包含电源200、系统控制器或微处理器400和信号处理器500。电源200的一些部分包含在功能上与以前针对电源100所述的组件相似的组件。在这样的情况下,这些组件具有如以前给出的共同标号。电源200接收AC输入102,和包含电源初级110和电源次级220。初级110和次级220电感性地从变压器初级绕组114连接到变压器次级绕组124,并通过隔离屏障122隔离。次级绕组124在第一端子上与整流器230的第一主电流传导端子连接,而在第二端子上产生整流输出132 (+VOT),在该优选实施例中,12伏。输出132经过滤波电容器130滤波产生整流输出电源电流134,以便对包含电源次级220、微处理器400和信号处理器500中的操作电路的负载加电。整流器230的第二主电流传导端子与“冷”或隔离地128连接。小值电容器245并联地跨越整流器230连接,以便消除来自整流器230的开关瞬态引起的线路传导辐射。整流器230还包含控制端子,用于确定整流器230的像来自新科电子(ST Electronics)公司的STF60N55F3那样的组件,同步整流器233中的传导。整流器230还包含二极管232,在图2的实施例中,二极管公司(Diode Inc)的肖特基二极管TOS835L。同步整流器233包含MOSFET 234和整体二极管235。按照本专利技术的一个实施例,通过来自同步整流器控制器236的控制信号,将同步整流器233控制成当同步整流器234的漏极在电源200的也称为“运行模式”的大功率操作时期处在其最小偏移下时是传导的。在一个优选实施例中,如随后参考图4所述,控制器236是分立电路设计。在图3中示出了控制同步整流器233的波形。波形302示出了 MOSF本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电源(200),其包含 交流电输入电源(102); 整流器(230),与负载(500)耦合,用于整流所述输入电源,以便在与所述负载耦合的电流路径中,在运行模式操作和待机模式操作两者期间产生整流输出电源电流(134),所述整流器在所述运行模式操作期间提供同步整流;以及 接通/断开控制信号(203)的源,将接通/断开控制信号(203)施加给所述负载,以便减小所述整流输出电源电流,以及并行地施加给所述整流器,以便在所述整流器中有选择地禁用同步整流。2.按照权利要求I所述的电源,其中施加给所述整流器(230)以便在所述整流器中禁用同步整流的信号(202)基本不受输出电源电流(134)的减小影响。3.按照权利要求I所述的电源,其中所述接通/断开控制信号源包含微处理器(400)。4.按照权利要求I所述的电源,其中所述接通/断开控制信号源(400)响应用户断电命令。5.按照权利要求I所述的电源,其中所述整流器(230)包含在所述待机模式操作期间进行非同步操作的二极管(232)、和在所述运行模式操作期间启用同步操作的与所述整流器耦合的半导体开关(244),其中所述半导体开关响应在所述整流器中有选择地禁用同步整流的所述并行施加接通/断开控制信号,以便将所述操作模式从所述运行模式操作改变成所述待机模式操作。6.按照权利要求5所述的电源,其中所述二极管(232)包含肖特基器件。7.按照权利要求I所述的电源,其中所述整流器(230)包含场效应晶体管(234)。8.—种控制电源的系统,其包含 接收交流电输入(102)的部件; 与负载(500)耦合、整流所述交流电输入,以便在与所述负载耦合的电流路径中,在运行模式操作和待机模式操作两者期间产生整流输出电源电流(134)的部件,所述整流部件在所述运行模式操作期间提供同步整流;以及 提供施加给所述负载,以便减小所述整流输出电源电流,以及并行地施加给所述整流部件,以便在所述整流部件中有选择地禁用同步整流的接通/断开控制信号(203)的部件(400)。9.按照权利要求8所述的系统,其中施加给所述整流部件以便在所述整流部件中禁用同步整流的信号(202)基本不受输出电源电流(134)影响。10.按照权利要求8所述的系统,其中提供所述接通/断开控制信号的所述部件包含微处理器(400)。11.按照权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:WV菲茨杰拉德WJ泰斯丁
申请(专利权)人:汤姆森特许公司
类型:发明
国别省市:

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