一种声表面波气体传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种声表面波气体传感器及其制造方法，所述声表面波气体传感器包括：基底、同时设置在所述基底上的阵列式插指换能器和外围电路；其中，所述基底部分镀有压电薄膜；所述阵列式插指换能器设置于所述压电薄膜之上；所述阵列式插指换能器中除两端的插指换能器之外均覆盖有保护膜；所述阵列式插指换能器中两端的插指换能器分别连接所述外围电路构成回路；所述外围电路设置于未镀有所述压电薄膜的基底部分。通过本发明专利技术实施例，可以实现将表面波器件及其外围电路同时设置于同一基片上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器制造
，特别涉及。
技术介绍
随着科技、工业的发展，环境污染越来越严重，如何检测气体、监测环境，及时获知环境中气体的浓度，也越来越受到人们的关注。声表面波技术综合了物理、材料、微电子、信号处理等众多学科，是新型传感器
引人注目的一个分支，也是继陶瓷、半导体和光纤等传感器之后的后起之秀。与其他类型的气体传感器相比，声表面波气体传感器具有高精度、高灵敏度、便于大量生产、体积小、重量轻、功耗低、结构工艺好等优点。在声表面波气体传感器中，声表面波器件的设计是至关重要的一部分。目前所制作的声表面波器件通常是以SiO2为基底，用Al牺牲层工艺制作插指换能器，从而制作延迟 线型或谐振型的声表器件。基于以上方法制作的声表面波器件，在应用时还要在声表面波器件的基础之上增加外围电路，但该外围电路在便携式传感器中会占有一定的体积，且如何将气室、声表面波器件及外围电路三者合理分配，会给设计者带来较大困难。理论上，将外围电路和声表面波器件制作在同一基片上，便可以解决以上不足，但外围电路的制作是基于MEMS技术工艺，且是在Si基片上完成的，Si基片不具有压电特性，而声表面波器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声表面波气体传感器，其特征在于，包括：基底、同时设置在所述基底上的阵列式插指换能器和外围电路；其中，所述基底部分镀有压电薄膜；所述阵列式插指换能器设置于所述压电薄膜之上；所述阵列式插指换能器中除两端的插指换能器之外均覆盖有保护膜；所述阵列式插指换能器中两端的插指换能器分别连接所述外围电路构成回路；所述外围电路设置于未镀有所述压电薄膜的基底部分。

【技术特征摘要】
1.一种声表面波气体传感器，其特征在于，包括基底、同时设置在所述基底上的阵列式插指换能器和外围电路；其中， 所述基底部分镀有压电薄膜； 所述阵列式插指换能器设置于所述压电薄膜之上；所述阵列式插指换能器中除两端的插指换能器之外均覆盖有保护膜；所述阵列式插指换能器中两端的插指换能器分别连接所述外围电路构成回路； 所述外围电路设置于未镀有所述压电薄膜的基底部分。2.根据权利要求I所述的声表面波气体传感器，其特征在于，所述基底为无压电性材料。3.根据权利要求2所述的声表面波气体传感器，其特征在于，所述基底为Si。4.根据权利要求I所述的声表面波气体传感器，其特征在于，所述压电薄膜为多层。5.根据权利要求I所述的声表面波气体传感器，其特征在于，所述压电薄膜为ZnO。6.根据权利要求I所述的声表面波气体传感器，其特征在于，所述阵列式插指换能器材料包括A1、Au或Pt。7.根据权利要求I所述的声表面波气体传感器，其特征在于，所述保护膜为Si02。8.—种声表面波气体传感器的制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冬梅，侯成诚，闫学峰，周文，汪幸，刘明，谢常青，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：