【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
提高基于单壁碳纳米管的场效应气体传感器性能的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：a.将n型掺杂的硅片清洗后，再采用Piranha溶液对硅片进行亲水处理，然后用大量去离子水清洗、高纯N2吹干，得到基片；b.将亲水处理的基片浸泡在硅氧烷偶联剂溶液中，一段时间后取出，用大量去离子水冲洗，高纯N2吹干，置入真空烘箱中烘1h后，自然冷却，备用；c.将均匀分散的SWCNT离心处理，取上层溶液备用，再将经步骤b处理过的硅基片放入上层溶液中自组装，取出后用大量去离子水清洗，高纯N2吹干；d.将自组装过的硅片在烘箱中烘干，再旋涂光刻胶，接着曝光，将掩模版上的图形印制在光刻胶上显影，再用去离子水洗净，借助N2吹干，利用光学显微镜检查是否还有残余光刻胶；e.在经步骤d处理的硅片上溅射Cr和Au，采用lift？off工艺湿法刻蚀后利用乙醇、去离子水洗净，氮气吹干，得到场效应气体传感器样品；f.调节紫外照射的距离、角度、时间及温度，对场效应气体传感器样品进行处理。
【技术特征摘要】
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