本实用新型专利技术公开了一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源，交流电输入线依次经过二极管整流桥DB1、填谷式PFC电路、恒流控制电路向LED负载供电，所述恒流控制电路中还接入有反馈电路。本实用新型专利技术采用填谷式功率因数较正，与型号为LNK306的芯片配合使用，能达到较高的功率因数，具有体积小，成本低，效率高等优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及LED领域，具体为一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源。
技术介绍
LED由于环保、寿命长、光电效率高等众多优点，近年来在各行业中的应用越来越广泛，这其中LED的驱动电源成了关注热点。理论上LED的使用寿命在10万小时以上，但在实际应用过程中，由于驱动电源的设计及驱动方式选择不当，使LED极易损坏。现有技术常用的LED驱动电源为恒流驱动式。按照LED的电流、电压变化规律，一般应用正向电压为3.0-3. 6V左右，典型值电压为3. 3V，电流为20mA (3528光源为例)，当加于LED两端的正向电压超过3. 6V后，正向电压只要有小幅度的增加，LED的正向电流都有成倍增涨，使LED发·光体温升过快，从而加速LED光衰减，使LED的寿命缩短，严重时甚至会烧坏LED。根据电压、电流变化特性，LED对驱动电源的设计提出严格要求，必须为恒流驱动，但传统的恒流设计成本太高，功率因数较低，不利于LED的普及使用。
技术实现思路
本技术目的是提供一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源，以解决现有技术恒流驱动式LED驱动电源功率因数较低的问题。为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案为一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源，包括有交流电输入线，其特征在于还包括二极管整流桥DB1、填谷式PFC电路、由型号为LNK306的芯片Ul及芯片Ul控制的封闭回路构成的恒流控制电路，所述交流电输入线接入二极管整流桥DBl输入端，二极管整流桥DBl的输出接入填谷式PFC电路，所述填谷式PFC电路的输出接入恒流控制电路，所述恒流控制电路中封闭回路输出线接入外部LED负载，在封闭回路输出线与芯片Ul之间还接入有反馈电路。所述的一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源，其特征在于所述填谷式PFC电路由三个同向依次串联的二极管D3、DU D2，以及连接在二极管Dl阳极与二极管D2阴极之间的电解电容Cl、连接在二极管D3阳极与二极管Dl阴极之间的电解电容C2构成。所述的一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源，其特征在于所述恒流控制电路中，封闭回路由电感LI、续流二极管D4、电解电容C4回路封闭连接构成，其中续流二极管D4阳极接电感LI，续流二极管D4阴极接电解电容C4，封闭回路中电感LI、续流二极管D4阳极之间引出导线通过芯片Ul的D引脚接入芯片Ul内置的MOSFET开关，封闭回路中续流二极管D4阴极与电解电容C4之间、电感LI与电解电容C4之间分别引出有封闭回路输出线，封闭回路输出线接入外部LED负载。所述的一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源，其特征在于所述反馈电路包括相互并联的采样电阻R1、R3构成的并联电路，以及光耦0P1，所述并联电路连接在其中一个封闭回路输出线上并接入光耦OPl的输入引脚之间，光耦OPl —个输出引脚接入芯片Ul的FB引脚，光耦OPl另一个输出引脚接入芯片Ul的BP引脚上。所述的一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源，其特征在于所述交流电输入线上接入有保险丝F1。本技术采用填谷式功率因数较正，与型号为LNK306的芯片配合使用，能达到较高的功率因数，具有体积小，成本低，效率高等优点。附图说明图I为本技术的电路原理图。具体实施方式·如图I所示。一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源，包括有交流电输入线，还包括二极管整流桥DB1、填谷式PFC电路、由型号为LNK306的芯片Ul及芯片Ul控制的封闭回路构成的恒流控制电路，交流电输入线接入二极管整流桥DBl输入端，二极管整流桥DBl的输出接入填谷式PFC电路，填谷式PFC电路的输出接入恒流控制电路，恒流控制电路中封闭回路输出线接入外部LED负载，在封闭回路输出线与芯片Ul之间还接入有反馈电路。本技术采用型号为LNK306的芯片U1，芯片Ul具有预定导通时间和关断时间的周期性脉冲信号的脉冲发生器，由脉冲发生器控制的开关，从而在导通时间期间打开以便对输出电流进行控制，输出预定的电源.而且具有完善的保护措施，包括输出过流限制、过热保护、短路保护，使电源工作安全可靠，不易损坏。交流电输入线中接入1A250V的保险丝F1，保险丝Fl通过玻璃封装，出现严重故障时快速熔断，保护电路，二极管整流桥DBl对交流进行整流。填谷式PFC电路由三个同向依次串联的二极管D3、DU D2，以及连接在二极管Dl阳极与二极管D2阴极之间的电解电容Cl、连接在二极管D3阳极与二极管Dl阴极之间的电解电容C2构成。填谷式PFC电路中，电容Cl、C2进行滤波.二极管Dl、D2、D3作用是填容式功率因数校正，当输入电压高于Cl、C2上的1/2电压，电流会流入L3D负载，当电压小于Cl、C2上的1/2电压时，二极管D2、D3正向偏转，C1、C2开始并联放电填谷式PFC电路在一定程度上对输入电流进行修整，可实现额定输出时大于0. 88的功率因素。恒流控制电路中，封闭回路由电感LI、续流二极管D4、电解电容C4回路封闭连接构成，其中续流二极管D4阳极接电感LI，续流二极管D4阴极接电解电容C4，封闭回路中电感LI、续流二极管D4阳极之间引出导线通过芯片Ul的D引脚接入芯片Ul内置的MOSFET开关，封闭回路中续流二极管D4阴极与电解电容C4之间、电感LI与电解电容C4之间分别引出有封闭回路输出线，封闭回路输出线接入外部LED负载。恒流控制电路中，芯片Ul内部的控制器通过使能和关断MOSFET开关周期来稳定输出电流。芯片Ul内部的MOSFET开关交替工作于开与关两种状态，当开关导通时，输入端电源通过芯片Ul内部的MOSFET开关，以及电感LI对LED负载供电，并同时对电感LI充电，当片Ul内部的MOSFET关断时地，电感LI中的反向电动势使续流二极管D4形成回路，对LED负载继续供电,从而保证负载获得连续的电流。反馈电路包括相互并联的采样电阻R1、R3构成的并联电路，以及光耦0P1，所述并联电路连接在其中一个封闭回路输出线上并接入光耦OPl的输入引脚之间，光耦OPl —个输出引脚接入芯片Ul的FB引脚，光耦OPl另一个输出引脚接入芯片Ul的BP引脚上，芯片Ul的BP引脚还通过电容C3接地。反馈电路中，光耦OPl型号为pc817，光耦OPl发射极接芯片Ul的FB引脚，只要进A FB脚的电流超过49MA，芯片Ul内部的MOSFET开关操作就被关断。R3、Rl为采样电阻，其两端分别连接到光耦OPl的I脚2脚，当加在其两端电压大于I. 2V时，即光耦OPl的输入端电信号大于I. 2V，光耦OPl的I脚2脚导通，发光器发出光线照射在受光器上，受光器导通，产生光电流，从发射板输出，流入芯片Ul的FB脚，当电流大于49uA时，芯片Ul内部的MOSFET开关操作就被关断，此时电感LI内储存的能量输送至续流二极管D4，LED负载形 成回路，芯片Ul的反馈脚FB感应电流小于49uA时，芯片Ul内部的MOSFET开关操作就被打开，本技术最大输出电压为80V，最大输出电流为250mA，最高功率可过到15W，非常适合驱动小功率型LED。权利要求1.一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源，包括有交流电输入线，其特征在于还本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种线性非隔离的具有高功率因数的LED驱动电源，包括有交流电输入线，其特征在于：还包括二极管整流桥DB1、填谷式PFC电路、由型号为LNK306的芯片U1及芯片U1控制的封闭回路构成的恒流控制电路，所述交流电输入线接入二极管整流桥DB1输入端，二极管整流桥DB1的输出接入填谷式PFC电路，所述填谷式PFC电路的输出接入恒流控制电路，所述恒流控制电路中封闭回路输出线接入外部LED负载，在封闭回路输出线与芯片U1之间还接入有反馈电路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李大钦，李静怡，徐华贵，
申请(专利权)人：合肥英特电力设备有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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