为补偿由于发光元件劣化所引起的发光强度的变化，提供了一种显示装置，该显示装置包括驱动元件（T1），该驱动元件（T1）根据表示发光元件（EL）的目标亮度的数据信号控制提供给发光元件（EL）的驱动电流。发光元件（EL）根据流过该发光元件（EL）的电流来发光。根据在发光元件（EL）的两个端子处施加的电压来校正数据信号，使得提供给发光元件（EL）的驱动电流随着发光元件（EL）的电压降的量的增加而增加。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包括自发光元件的显示装置和驱动该显示装置的方法。
技术介绍
近年来，有机EL显示器得到了积极的开发，并且获得了显著进步。在包括诸如有机EL元件的自发光元件的显示装置中，可逐像素地控制光发射，因此在对比度和观看角度特性方面具有优点。当在视频显示器等中使用时，因为平均显示等级(display gradation)低，还存在可获得功耗降低的优点。同时，当发光元件自身的特性由于其使用而劣化时，亮度的降低根据各个像素的使用历史而出现。根据所显示的图像或使用，按照预定模式出现亮度降低，在一些情况下，亮度降低在视觉上可被称为“烧屏(screen burn-in)”。在有机EL元件被用作发光元件的情况下，发光强度与流过该元件的电流成比例。发光强度与流过该元件的电流之间的比率称为电流发光效率。通常，基于形成发光元件的有机材料、元件结构、界面状态等来确定电流发光效率，并且电流发光效率在整个显示区域是均匀的。因此，当期望获得均匀的显示特性时，仅需要逐像素地控制电流被提供到发光元件，以获得均匀显示。在有源矩阵型有机EL显示器中，由在各个像素中设置的薄膜晶体管(TFT)元件来控制电流，并因而驱动有机EL元件。通常，低温多晶硅TFT等被用作TFT元件。作为低温多晶娃TFT的特性，由于传导电子的晶界散射(grain boundaryscattering)，所以存在着在像素中发生迁移率或导通电压波动的问题。因此，做出了通过抑制迁移率或导通电压波动以及校正波动以获得均匀的显示特性的努力，从而使得能够进行均匀的像素电流提供。例如，日本特开2005-217214描述了控制多晶硅的晶体成长方向以获得统一形状的晶粒的技术。此外，提出了用于通过向像素电路增加使驱动TFT的阈值电压偏移的功能来抑制由TFT的阈值电压的波动所引起的显示特性的波动的多种技术。例 如，提出了日本特开2008-203387。这里，上述的传统技术是基于有机EL元件保持电流发光效率的面内(in-plane)均匀性的假设。然而，在实际使用中，有机EL元件自身由于其使用而劣化，电流发光效率相应地降低。电流发光效率在像素中以不同速度降低，反映出像素中使用历史的差异。根据显示装置的使用以及所显示的图像，有机EL元件中的劣化速度的差异可增加至不可忽略的程度。在这种情况下，这种差异在视觉上被识别为显示亮度不均匀和烧屏。通常，有机EL显示装置的寿命由辉度半衰期(luminance half-life)来限定。亮度不均勻和烧屏达到其允许的极限，其中具有几个百分点的亮度差，因此有机EL元件的发光效率降低是装置寿命显著缩短的主要原因。因此，需要对由于有机EL元件的电流发光效率降低而引起的显示亮度降低进行补偿。
技术实现思路
根据本专利技术，提供了一种显示装置，该显示装置包括以矩阵布置的多个像素，所述多个像素中的每一个由驱动电路驱动，其中所述多个像素中的每一个包括发光元件，其根据流过该发光元件的电流来发光；以及驱动元件，其根据表示所述发光元件的目标亮度的数据信号来控制提供给所述发光元件的驱动电流；所述驱动电路包括校正单元，其根据在所述发光元件的两个端子处施加的发光元件电压来校正提供给所述驱动元件的所述数据信号；并且所述校正单元校正所述数据信号，使得根据所述数据信号提供给所述发光元件的驱动电流随着所述发光元件的电压降的量的增加而增加。此外，优选地，在根据本专利技术的显示装置中，所述驱动元件是晶体管，所述校正单元向所述驱动元件施加电压，所述电压是与所述数据信号成比例并与所述数据信号具有正关联的电压和与所述发光元件电压成比例并与所述发光元件电压具有正关联的电压中的一个。此外，优选地，在根据本专利技术的显示装置中，所述校正单元包括乘法器电路，所述乘法器电路以所述数据信号和所述发光元件电压作为输入。此外，优选地，在根据本专利技术的显示装置中，所述校正单元中包括的所述乘法器电路由单个晶体管元件来形成，所述单个晶体管元件具有作为输入端的源极和栅极以及作为输出端的漏极。此外，优选地，除了在所述多个像素中的每一个中设置的所述校正单元，根据本专利技术的显示装置在所述多个像素中的每一个中还包括用于将施加到所述驱动元件的所述栅极的控制电压偏移所述发光元件的驱动电压的波动量的单元。 如上所述，根据本专利技术，数据信号根据发光元件的驱动电压(导通电压)的变化来校正，因此可补偿由于发光元件的劣化导致而由数据信号引起的驱动电流降低。附图说明在附图中图I是示出根据本专利技术第一实施方式的像素电路的配置的示图；图2是第一实施方式的驱动波形图；图3是示出根据本专利技术第二实施方式的像素电路的配置的示图；图4是第二实施方式的驱动波形图；图5A是示出有机EL元件的低电流情况下的发光亮度与该元件的电压之间的关系的曲线图；图5B是示出有机EL元件的低电流情况下的发光亮度与该元件的电压之间的关系的曲线图；图6是示出根据第二实施方式的电路的像素电流仿真的示例的曲线图；图7A是示出由第二实施方式的电路执行的像素亮度补偿计算的示例的曲线图；图7B是示出由第二实施方式的电路执行的像素亮度补偿计算的示例的曲线图。具体实施例方式下面，将参照附图描述本专利技术的实施方式。(对电流发光效率降低的考虑)有机EL元件的元件特性由于其使用而劣化。通常，因为这种劣化，元件的电、流发光效率降低，并且出现元件驱动电压升高。电流发光效率降低的原因没有被完全找出，但应该理解，由发光材料的特性的改变所弓I起的无福射复合中心(non-radiativerecombination center)的产生导致了发光效率降低和驱动电压升高(Μ· E. Kondakova等人，SID 09 DIGEST，第 1677 页)。如在 Μ. E. Kondakova 等人的 SID 09 DIGEST，第 1677 页中所描述的，在有机EL元件的电流发光效率降低与驱动电压升高之间存在很强的关联。因此，根据驱动电压升高的量可预测出有机EL元件的发光特性的劣化量。即，发光效率降低与驱动电压(电容转换电压(capacitance transitionvoltage))升高基本成线性,此外几乎不取决于温度。这里，电容转换电压是有机层中载流子被激励并且观察到有机EL元件的电容的变化的电压。如在M.E. Kondakova等人的SID09 DIGEST，第1677页中所描述的，无辐射复合中心可由具有深能级的无辐射复合中心的产生来解释电容转换电压升高。因此，复合中心用作阱，有机EL元件的I-V特性简单地移动至电压的正方向。通过该情况的使用，可利用相对简单的方法来补偿有机EL元件的劣化。电容转换电压是在元件中的载流子根据电压施加而开始增加的电压，因此，由于ι-v特性，电容转换电压广义上 对应于元件的导通电压。电容转换电压升高被观察为元件的导通电压升高，元件的整个驱动电压根据导通电压升高而升高。(对电流发光效率降低的补偿)有机EL元件的发光强度L与该元件的驱动电流Id成比例。当用η表示电流发光效率时，满足下面的表达式。L= η · Id (I)当由Avtjled表示有机EL元件的驱动电压升高，并且假定Avtjled与该元件的电流发光效率λ n成比例时，满足下面的表达式。Δ n = K Avoled (2)其中K表示不依赖温本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：三和宏一，
申请(专利权)人：全球OLED科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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