一种介电体陶瓷及层叠陶瓷电容器制造技术

本发明专利技术之介电体陶瓷，系以通式：(Ba1-tCat)m(Ti1-u-xZrwCux)O3(其中0.96≤m≤1.02、0.001≤x≤0.03、0≤t≤0.1、0≤u≤0.06)表示之化合物作为主成分，并且含有Dy等之特定稀土元素Re、Mn等特定金属元素M、Mg及Si，上述Cu均匀分散存在于构成上述主成分之主相粒子之中，并且上述各副成分之含量对于上述主成分100莫耳份，分别对于上述主成分100莫耳份，分别为Re：0.1～1.5莫耳份、M：0.1～0.6莫耳份、Mg：0.1～1.5莫耳份、Si：0.1～2.0莫耳份。藉此，可实现高介电常数、温度特性良好、可靠度高且静电电容的经时变化小之层叠陶瓷电容器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷电容器，尤其是一种介电体陶瓷及层叠陶瓷电容器。
技术介绍
一种陶瓷及层叠陶瓷电容本专利技术介电体陶瓷，系以通式(Bal-tCat)m(Til-u-xZrwCux)03(其中 0. 96 彡 m 彡 I. 02,0. 001 ^ x ^ 0. 03,0 彡 t 彡 0. I、0^ u ^ 0. 06)表示之化合物作为主成分，并且含有Dy等之特定稀土元素Re、Mn等特定 金属元素M、Mg及Si，上述Cu均匀分散存在于构成上述主成分之主相粒子之中，并且上述各副成分之含量对于上述主成分100莫耳份，分别对于上述主成分100莫耳份，分别为Re 0.I I. 5莫耳份、M :0. I 0. 6莫耳份、Mg :0. I I. 5莫耳份、Si :0. I 2. 0莫耳份。藉此，可实现高介电常数、温度特性良好、可靠度高且静电电容的经时变化小之层叠陶瓷电容器。
技术实现思路
本专利技术之介电体陶瓷，系以通式(Bal-tCat) m (Ti I-u-xZrwCux) 03 (其中0.96彡m彡I. 02,0. 001 ^ x ^ 0. 03,0彡t彡0. 1、0彡u彡0. 06)表示之化合物作为主成分，并且含有Dy等之特定稀土元素Re、Mn等特定金属元素M、Mg及Si，上述Cu均匀分散存在于构成上述主成分之主相粒子之中，并且上述各副成分之含量对于上述主成分100莫耳份，分别对于上述主成分100莫耳份，分别为Re :0. I I. 5莫耳份、M :0. I 0. 6莫耳份、Mg :0. I I. 5莫耳份、Si :0. I 2. 0莫耳份。藉此，可实现高介电常数、温度特性良好、可靠度高且静电电容的经时变化小之层叠陶瓷电容器。具体实施例方式本专利技术之介电体陶瓷，系以通式(Bal-tCat) m (Ti I-u-xZrwCux) 03 (其中0.96彡m彡I. 02,0. 001 ^ x ^ 0. 03,0彡t彡0. 1、0彡u彡0. 06)表示之化合物作为主成分，并且含有Dy等之特定稀土元素Re、Mn等特定金属元素M、Mg及Si，上述Cu均匀分散存在于构成上述主成分之主相粒子之中，并且上述各副成分之含量对于上述主成分100莫耳份，分别对于上述主成分100莫耳份，分别为Re :0. I I. 5莫耳份、M :0. I 0. 6莫耳份、Mg :0. I I. 5莫耳份、Si :0. I 2. 0莫耳份。藉此，可实现高介电常数、温度特性良好、可靠度高且静电电容的经时变化小之层叠陶瓷电容器。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种介电体陶瓷，其特征在于：其以通式：(Ba1？tCat)m(Ti1？u？xZruCux)O3(其中0.96≤m≤1.02、0.001≤x≤0.03、0≤t≤0.1、0≤u≤0.06)表示之化合物作为主成分，并且作为副成分，含有Re(Re系选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y之至少1种)、M(M系选自Mn、Ni、Fe、Co、V、W、Cr、Mo、Al之至少1种)、Mg及Si；上述Cu均匀分散存在于构成上述主成分之主相粒子之中，并且上述各副成分之含量对于上述主成分100莫耳份，分别为Re：0.1～1.5莫耳份、M：0.1～0.6莫耳份、Mg：0.1～1.5莫耳份、Si：0.1～2.0莫耳份。

【技术特征摘要】
1.一种介电体陶瓷，其特征在于其以通式(Bal-tCat) m (Ti 1-u-xZruCux) 03 (其中·0.96彡m彡I. 02,0. 001 ^ x ^ 0. 03,0彡t彡0. 1、0彡u彡0. 06)表示之化合物作为主成分，并且作为副成分，含有 Re (Re 系选自 La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Y...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐孝华，
申请(专利权)人：徐孝华，
类型：发明
国别省市：