触控装置结构制造方法及图纸

技术编号:7877918 阅读:190 留言:0更新日期:2012-10-15 06:35
本实用新型专利技术提供一种触控装置结构,其包括感测电极结构、屏蔽层、复数个周边连接线与接地接触线。屏蔽层包围感测电极结构之周边。复数个周边连接线位于所述屏蔽层下方,且电性连接感测电极结构。接地接触线电性连接屏蔽层。据此,所述触控装置结构可以屏蔽掉外部的干扰,藉此提升触控电路运作的可靠性。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及触控技术,特别是ー种触控装置结构
技术介绍
电子装置包括输出与输入装置介面,以提供人与电子装置的互动。在输入装置介面方面,因为电子材料的快速发展,触控式输入装置介面已成为目前的主流。传统的按键式输入装置,在未来都可能被触控式输入装置所取代。用以达到触控输入功能的触控装置可以分为电阻式与电容式、电感式、声波式、光学式等。然,前述不同的触控装置在使用时,均容易受到外界的信号干扰而产生误操作。请參照图1,为传统的触控电路的平面透视图。如图I所示,传统的触控装置I主要包括感测电极结构12与周边连接线13。感测电极结构12所涵盖的区域定义为触控区域,用以感测使用者的触控操作。周边连接线13电性连接感测电极结构12,且周边连接线·当人手(或其他导电体)碰到触控装置I时,触控装置的感测电极结构12由于人手的触碰产生电容变化并经由周边连接线13而将感测电极结构12所产生的电容变化传递至外部的检测电路。检测电路可以检测到该电容变化而计算出人手所碰到的座标。然而,该电容变化也很容易受到外部的讯号干扰等因素,而导致所述电容变化发生不正常改变,从而造成触控装置的误动作。特别是当人手因持握或误碰触控装置I的周边连接线13所在的区域时,周边连接线13本身亦会产生干扰电容变化而干扰到周边连接线13从感测电极结构12所接收的电容变化,该干扰电容变化将与感测电极结构12上产生的电容变化一并输出至外部的检测电路,因此,外部的检测电路将不能准确地检测出感测电极结构12上产生的电容变化以及产生电容变化的位置。如图2所示,当人手碰到A点的位置时,有可能因为上述或其他干扰,而使得上述传统的触控装置I之检测电路可能误判被人手所碰到的位置为B点。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提供一种触控装置结构,利用设置于复数个周边连接线处的屏蔽层,配合接地接触线,可以屏蔽讯号的干扰等因素所造成的误动作,并借此提高触控装置结构的灵敏度与准确性。根据上述的目的,本技术提供一种触控装置结构,其包括感测电极结构、屏蔽层、复数个周边连接线与接地接触线。屏蔽层包围感测电极结构之周边。复数个周边连接线位于所述屏蔽层下方,且电性连接感测电极结构。接地接触线电性连接屏蔽层。所述的触控装置结构,其特征在于,所述感测电极结构位于一基板之下表面。所述的触控装置结构,其特征在于,更包括一绝缘层,位于所述基板之下表面,且夹设于所述基板与所述屏蔽层之间。所述的触控装置结构,其特征在于,还包括一第一绝缘图形,设置于所述屏蔽层与所述周边连接线之间,用以绝缘所述屏蔽层与所述周边连接线。所述的触控装置结构,其特征在于,更包括ー绝缘保护层,覆盖于所述感测电极结构、所述周边连接线与所述接地接触线之表面。所述的触控装置结构,其特征在于,所述接地接触线环绕于所述周边连接线之周边。所述的触控装置结构,其特征在于,所述感测电极结构更包括一导电图形、一第二绝缘图形以及复数个导电跨线,且所述第二绝缘图形设置于所述导电图形与所述导电跨线之间。所述的触控装置结构 ,其特征在于,所述导电图形包含复数个彼此独立的第一轴向导电单元和第二轴向导电单元,且所述第二轴向导电单元沿所述轴向相互连接,所述第一轴向导电单元由所述导电跨线连接。所述的触控装置结构,其特征在于,所述感测电极结构更包括一第一轴向导电图形、一第二绝缘图形以及ー第二轴向导电图形。所述的触控装置结构,其特征在于,所述第二绝缘图形夹设于第一轴向导电图形与第二轴向导电图形之间。综上所述,本技术所提供的触控装置结构可以屏蔽讯号干扰,避免误操作的产生,藉此提升触控电路运作的可靠性。附图说明下面结合具体实施方式及附图,对本技术作进ー步详细说明。图I为传统的触控电路的平面透视图。图2为传统的触控电路之误动作的示意图。图3为本技术实施例之触控装置结构的剖面图。图4为本技术实施例之触控装置结构的另ー实施例的剖面图。图5为本技术实施例之触控装置结构之绝缘层的示意图。图6为本技术实施例之触控装置结构的剖面图。图7A为本技术实施例之触控装置结构之导电图形与屏蔽层的示意图。图7B为本技术实施例之触控装置结构之第一绝缘图形与第二绝缘图形的示意图。图7C为本技术实施例之触控装置结构之复数个导电跨线、复数个周边连接线与接地接触线的示意图。图7D为本技术实施例之触控装置结构的平面透视图。图8A为本技术另ー实施例之触控装置结构的剖面图。图SB为本技术另ー实施例之触控装置结构之第一轴向导电图形与屏蔽层的示意图。图SC为本技术另ー实施例之触控装置结构之第一绝缘图形与第二绝缘图形的示意图。图8D为本技术另ー实施例之触控装置结构之第二轴向导电图形、复数个周边连接线与接地接触线的示意图。图8E为本技术另ー实施例之触控装置结构的平面透视图。图9为本技术实施例之触控装置结构的制造方法的流程图。图10为本技术实施例之触控装置结构的制造方法的流程图。图11为本技术另ー实施例之触控装置结构的制造方法的流程图。具体实施方式为使熟习本技术所属
之一般技艺者能更进一歩了解本技术,下文特列举本技术之数个较佳实施例,并配合所附图式,详细说明本技术的构成内容及所欲达成之功效。〔触控装置结构的实施例〕为使能更进步了解本技术之特征及
技术实现思路
,请參阅以下有关本技术之详细说明与附图,但是此等说明与所附图式仅系用来说明本技术,而非对本技术的权利范围作任何的限制。请參照图3,为本技术实施例之触控装置结构的剖面图。触控装置结构3主要包括基板30、感测电极结构32、屏蔽层33、复数个周边连接线35与接地接触线36。其中,感测电极结构32位于基板30的下表面,且被感测电极结构32覆盖的区域定义为触控 区域,未为被其覆盖的区域为周边区域。屏蔽层33也覆盖于基板30的下表面,包围感测电极结构32之复数侧,且位于周边区域。复数个周边连接线35位于屏蔽层33下方,且电性连接于感测电极结构32。接地接触线36位于屏蔽层33下方,且电性连接屏蔽层33。接地接触线36环绕于复数个周边连接线35周边。另,于屏蔽层33与周边连接线35之间设置一第一绝缘图形34,以使屏蔽层33与周边连接线35之间相互绝缘。请參照图4,为本技术实施例之触控装置结构的另ー实施例之剖面图。在基板30下表面的周边区域设置绝缘层31,使绝缘层31夹设于基板30与屏蔽层33之间。另,于感测电极结构32、周边连接线35与接地接触线36表面覆盖绝缘保护层37,以防止其在后续组装过程中的受到损伤。请參照图5,为本技术实施例之触控装置结构之绝缘层31的示意图。绝缘层31通常为黑色遮蔽层(Black Mask layer,即BM layer),用以防止漏光,同时遮蔽周边连接线35和接地接触线36。本实施例之触控装置结构3可以是透明的或非透明的,当触控装置结构3为透明时,触控装置结构3更可以与显示装置結合。例如显示装置(未图示)可贴合于触控装置结构3的绝缘保护层37的表面,此时触控区域也同时是触控式显示器的显示区域。复參照图4,屏蔽层33位于绝缘层31下,且用以包围感测电极结构32之复数侧。屏蔽层33为导电性良好之材料,例如金属、铟锡氧化物(In本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种触控装置结构,包括:一感测电极结构;一屏蔽层,包围所述感测电极结构之周边;复数个周边连接线,位于所述屏蔽层下方,且电性连接所述感测电极结构;以及一接地接触线,电性连接所述屏蔽层。

【技术特征摘要】
1.一种触控装置结构,包括 ー感测电极结构; 一屏蔽层,包围所述感测电极结构之周边; 复数个周边连接线,位于所述屏蔽层下方,且电性连接所述感测电极结构; 以及 一接地接触线,电性连接所述屏蔽层。2.根据权利要求I所述的触控装置结构,其特征在于,所述感测电极结构位于一基板之下表面。3.根据权利要求2所述的触控装置结构,其特征在于,更包括一绝缘层,位于所述基板之下表面,且夹设于所述基板与所述屏蔽层之间。4.根据权利要求I所述的触控装置结构,其特征在于,还包括一第一绝缘图形,设置于所述屏蔽层与所述周边连接线之间,用以绝缘所述屏蔽层与所述周边连接线。5.根据权利要求I所述的触控装置结构,其特征在于,更包括ー绝缘保护层,覆盖于所述感测电极结构、所述周边连接线与所述接地接触线之表面。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡志雄江耀诚吴佳黄萍萍
申请(专利权)人:宸鸿科技厦门有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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