【技术实现步骤摘要】
本技术属于电磁兼容抗干扰
,尤其涉及一种用于静电放电发生器的电路结构。
技术介绍
带电的绝缘体本身不会对电子设备产生静电危害,然而静电放电将对电子设备的正常工作产生非常严重的威胁。静电产生过程中的正电荷或负电荷逐渐累积,从而与周围环境产生电位差,电荷经由放电路径而产生在不同电位之间的转移即为静电放电,简称ESD。静电放电的产生需要有三个条件I、静电电荷在绝缘体上的积累; 2、静电电荷通过接触或者感应向导体转移;3、充满静电电荷的导体靠近金属物体产生静电放电;静电放电的能量可以通过两种方式耦合到电子电路,一种为传导耦合,即静电放电电流直接流经敏感电路威胁其正常工作;另一种为辐射耦合,即静电放电能量通过空间电磁场耦合产生高压、大电流威胁电子电路的正常工作,空间电磁场耦合又包括电容耦合和感应耦合。静电放电对电力电子系统的危害主要分为三种类型I、硬件危害;2、软件危害;3、瞬时干扰;其中硬件危害将直接损坏系统硬件,软件危害影响系统的软件运行但不造成物理损坏,而瞬时干扰不会产生错误,但是现象很明显。因此如何设计一种控制简单,成本低并能满足多种测试要求的静电放电发生器的电路结构,成为本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本技术目的是提供一种用于静电放电发生器的电路结构,该电路结构控制简单、可提高各个等级所需要的不同大小的静电电压、能精确控制静电施加时间和静电打击次数,满足多种测试要求的需要。为达到上述目的,本技术采用的技术方案是一种用于静电放电发生器的电路结构,包括放电电极和放电回路连接端子,此放电电极连接到用于控制放电通断的第一开关,此第一开关另一端连接到一 ...
【技术保护点】
一种用于静电放电发生器的电路结构,其特征在于:包括:放电电极(1)和放电回路连接端子(2),此放电电极(1)连接到用于控制放电通断的第一开关(K1),此第一开关(K1)另一端连接到一放电电阻(Rd)一端,此放电电阻(Rd)另一端连接到一充电电阻(Rc)一端,充电电阻(Rc)另一端连接到用于控制充电通断第二开关(K2),一直流高压电源(3)位于第二开关(K2)和放电回路连接端子(2)之间,一储能电容(Cs)位于所述放电电阻(Rd)和充电电阻(Rc)的接点与所述直流高压电源(3)和放电回路连接端子(2)的接点之间。
【技术特征摘要】
1.一种用于静电放电发生器的电路结构,其特征在于包括放电电极(I)和放电回路连接端子(2),此放电电极(I)连接到用于控制放电通断的第一开关(K1),此第一开关(Kl)另一端连接到一放电电阻(Rd) —端,此放电电阻(Rd)另一端连接到一充电电阻(R。)一端,充电电阻(R。)另一端连接到用于控制充电通断第二开关(K2),一直流高压电源(3)位于第ニ...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵阳,黄学军,戎融,董颖华,陆婋泉,
申请(专利权)人:苏州泰思特电子科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。