一种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，包括晶体硅太阳电池，在所述晶体硅太阳电池背面设有背电极和背电场，所述背电极的长度占晶体硅太阳电池总长度的3～90％。该具有改进背面结构的晶体硅太阳电池通过减短背电极的长度来减少背电极银浆的印刷量，从而减少太阳电池的制作成本，并提高太阳电池的转换效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于太阳能电池领域，具体涉及ー种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池。
技术介绍
在最近几年的发展过程中，由于原材料如硅片、浆料的质量改迸，以及生产エ艺技术的逐步优化，例如制绒添加剂的使用、高方阻细栅密栅エ艺、渐变镀膜エ艺的采用，晶体硅太阳电池的转换效率有长足提高，エ业化生产的多晶硅太阳电池转换效率接近17%，单晶硅太阳电池在18%以上。与此同时晶体硅太阳电池的市场较十年以前有几十倍的提高，但应注意到目前的产能规模严重高于市场需求。由于欧债危机的影响，晶体硅太阳电池以 及光伏组件价格跌幅已超40%，降低成本已成为企业为求生存的必由之路。エ业化生产的晶体硅太阳电池在正面一直沿用主栅加细栅的结构，背面为背电极加背电场的结构，主栅和背电极起收集和输出电流、电压的作用。目前エ业化生产的晶体硅太阳电池的背电极，不管是连续结构的，还是分段结构，在电池背面的顶部和底部，都有分布。背电极材料主要成分是银，成本较高。银原子在烧结过程中扩散到硅片背部，作为复合中心降低背电极区域的光谱响应，在一定程度上会減少太阳电池的转换效率。正面的主栅和背面的背电极在光伏组件的制造过程中，作为焊接区域，将相邻太阳电池串联起来，而且焊带要贯穿太阳电池背面的顶部和底部。
技术实现思路
本技术的目的在于提供ー种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，该具有改进背面结构的晶体硅太阳电池通过减短背电极的长度来減少背电极银浆的印刷量，从而减少太阳电池的制作成本，并提高太阳电池的转换效率。本技术的上述目的是通过如下技术方案来实现的ー种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，包括晶体硅太阳电池，在所述晶体硅太阳电池背面设有背电极和背电场，其特征是所述背电极的长度占晶体硅太阳电池总长度的3 90%。通常来说，在背电极的厚度和宽度不变的情况下，本技术中晶体硅太阳电池的背电极的长度比常规晶体硅太阳电池的背电极的长度短，常规晶体硅太阳电池的背电极的长度通常与晶体娃片的长度相差不大，一般稍微短一点点，对于156mmX 156mm的太阳电池，背电极长度一般为145mm ;对于125mmX 125mm的太阳电池，背电极长度一般为110mm。所以，本技术中背电场的面积相对于常规晶体硅太阳电池的背电场的面积也有所増加。一方面背电极减短可以减少背电极银浆的印刷量，減少太阳电池的制作成本；由于背电极减短所留出的区域被背电场覆盖，減少了重金属复合中心，同时背面场提高了这部分区域的钝化效果，能够在一定程度上提高太阳电池的转换效率；另一方面，用这种太阳电池制作光伏组件，可以减少焊带的长度，节约焊带的使用量，降低组件的制造成本。作为本技术的一种优选方案，本技术所述背电极的长度优选占晶体硅太阳电池总长度的10 50%。本技术所述背电极由两列以上的主栅线构成，各主栅线之间相互平行。本技术所述主栅线为连续的条形体或断开的条形体。本技术所述晶体硅太阳电池的长为156mm，宽为156mm时，每列主栅线的总长度优选为5_ 140mm。本技术所述所述晶体硅太阳电池的长为125mm，宽为125mm时，每列主栅线的总长度为5mm 105mm。 如对于156mmX 156mm(分别为晶体娃片的长和宽,其它同)的两主栅晶体娃太阳电池，背电极长度可以为5mm 140mm ;对于156mmX 156mm的三主栅晶体娃太阳电池，背电极长度可以为5mm 140mm ;对于125mmX 125mm的两主栅晶体娃太阳电池，背电极长度可以为5mm 105mm ;主栅可以为连续式条形体，也可以是断开式条形体。在晶体硅太阳电池背面未设置背电极的区域印刷背电场。由于在本技术中晶体硅太阳电池背面设置的背电极的长度比晶体硅太阳电池常规背电极的长度减短了，所以背电场的面积较常规长度背电极的晶体硅太阳电池有所増加，并覆盖了背电极减少的那部分区域。与现有技术相比，本技术具有如下优点(I)本技术晶体硅太阳电池中背电极减短可以减少背电极银浆的印刷量，减少太阳电池的制作成本；(2)由于背电极减短所留出的区域被背电场覆盖，減少了重金属复合中心，同时背面场提高了这部分区域的钝化效果，能够在一定程度上提高太阳电池的转换效率；(3)用本技术中改进背面结构的太阳电池制作光伏组件，可以减少焊带的长度，节约焊带的使用量，降低组件的制造成本。附图说明图I是现有技术中常规背面结构的晶体硅太阳电池；图2是实施例I中具有改进背面结构的晶体硅太阳电池；图3是实施例2中具有改进背面结构的晶体硅太阳电池；图4是实施例3中具有改进背面结构的晶体硅太阳电池；图5是实施例4中具有改进背面结构的晶体硅太阳电池；附图说明1、背电极；2、背电场。具体实施方式以下结合附图对本技术作进ー步的说明。实施例I如图2所示，本实施例提供的ー种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，包括晶体硅太阳电池，设于晶体硅太阳电池上的背电极I和背电场2，其中在晶体硅背面未设置背电极I的区域印刷背电场2。其中晶体硅太阳电池的尺寸为156mmX 156mm，背电极I由两列主栅线构成，各主栅线相互平行设置，每列主栅线为连续式条形体，其长度为73mm，宽度为2. 4mm，背电极距电池背面边缘5mm，与图I中的常规背面结构的晶体硅太阳电池相比，其长度由大概156mm缩短为73mm,减短了大概83mm,宽度和厚度不变。减短背电极的长度可以背电极银浆的印刷量，减少太阳电池的制作成本；同时由于背电极减短所留出的区域被背电场覆盖，減少了重金属复合中心，背面场提高了这部分区域的钝化效果，能够在一定程度上提高太阳电池的转换效率；用该改进背面结构的太阳电池制作光伏组件，可以减少焊带的长度，节约焊带的使用量，降低组件的制造成本。实施例2如图3所示，本实施例提供的ー种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，包括晶体娃太阳电池，设于晶体娃太阳电池上的背电极I和背电场2,其中背面未设置背电极I的区域印刷背电场2。其中晶体娃太阳电池的尺寸为156mmX 156mm,背电极I由三列主栅线构成,各主 栅线相互平行设置，每列主栅线为连续式条形体，其长度为40mm，宽度为2. 4mm,背电极距电池背面边缘5mm，与图I中的常规背面结构的晶体硅太阳电池相比，其长度由大概156mm缩短为40mm,减短了大概116mm,宽度和厚度不变。减短背电极的长度可以背电极银浆的印刷量，减少太阳电池的制作成本；同时由于背电极减短所留出的区域被背电场覆盖，減少了重金属复合中心，背面场提高了这部分区域的钝化效果，能够在一定程度上提高太阳电池的转换效率；用该改进背面结构的太阳电池制作光伏组件，可以减少焊带的长度，节约焊带的使用量，降低组件的制造成本。实施例3如图4所示，本实施例提供的ー种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，包括晶体娃太阳电池，设于晶体娃太阳电池上的背电极I和背电场2,其中背面未设置背电极I的区域印刷背电场2。其中晶体娃太阳电池的尺寸为156mmX 156mm,背电极I由三列主栅线构成,各主栅线相互平行设置，每列主栅线为断开式条形体，每列主栅线分为两段条形体，每段长度为20mm，两段长度共为40mm，相邻两段中心距离为39mm，主栅线的宽度为2. 4mm，背电极距电池背面边缘9. 5mm，与不减短本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，包括晶体硅太阳电池，在所述晶体硅太阳电池背面设有背电极和背电场，其特征是所述背电极的长度占晶体硅太阳电池总长度的3 90%。2.根据权利要求I所述的具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，其特征是所述背电极的长度占晶体硅太阳电池总长度的10 50%。3.根据权利要求I或2所述的具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，其特征是所述背电极由两列以上的主栅线构成，各主栅线之间相互平行。4.根据权利要求3所述的具有改进背面结构的晶体硅太阳电池，其特征是所述主栅线为连续的条形体或断开的条形体。5.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：许佳平，黄纪德，金井升，蒋方丹，陈良道，
申请(专利权)人：上饶光电高科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：