本发明专利技术提供一种改进电极图案的太阳能电池结构，包括圆形硅片、以及设置在圆形硅片上的主栅线，圆形硅片上包括中央区域和外围区域，中央副栅线呈同心的环状分布，外围副栅线呈网格状分布，主栅线位于中央区域内的部分为连续直线段，主栅线位于外围区域内的部分为多个与连续直线段位于同一直线上的主栅线段，连续直线段的宽度从其一端至另一端渐宽，主栅线段的宽度从其一端至另一端渐宽，相邻的中央副栅线之间的间距从圆形硅片的圆心向外逐渐变大。本发明专利技术的副栅线的分布与电荷分布密度不均匀的硅片特性相匹配，整条主栅线根据电荷分布密度不均匀的硅片特性而调整宽度，合理减小了银浆用量，并且栅线的宽度渐变利于减小应力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，具体地，涉及改进电极图案的太阳能电池结构。
技术介绍
光伏板组件是一种暴露在阳光下便会产生直流电的发电装置，基本上主要以半导体物料(例如硅)制成的固体光伏电池组成，包括P型半导体和N型半导体。P型半导体(P指positive,带正电的)由单晶娃通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成，会在半导体内 部形成带正电的空穴；N型半导体(N指negative,带负电的)由单晶娃通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成，会在半导体内部形成带负电的自由电子。在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质(离子)是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。P型半导体一边的空间电荷是负离子，N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。当光的频率超过某一极限频率时，受光照射的太阳能电池板表面立即就会逸出光电子，发生光电效应。当在太阳能电池板外面加一个闭合电路，加上正向电源，这些逸出的光电子全部到达阳极便形成光电流。现有技术中采用圆形硅片切割成矩形硅片造成硅材料的浪费，并且均匀分布的副栅线与电荷分布密度不均匀的硅片特性不相匹配，整条主栅线均为连续直线也与电荷分布密度不均匀的硅片特性不相匹配、而且银浆用量大，栅线的宽度一致不利于减小应力。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种改进电极图案的太阳能电池结构。根据本专利技术的一个方面，提供一种改进电极图案的太阳能电池结构，包括圆形硅片、以及设置在所述圆形硅片上的主栅线，所述圆形硅片上包括中央区域和外围区域，其中，所述中央区域被包围在所述外围区域中，所述中央区域内设置有中央副栅线，所述外围区域中设置有外围副栅线，所述主栅线连接所述中央副栅线和外围副栅线，所述中央副栅线呈同心的环状分布，所述外围副栅线呈网格状分布，所述主栅线位于所述中央区域内的部分为连续直线段，所述主栅线位于所述外围区域内的部分为多个与所述连续直线段位于同一直线上的主栅线段，相邻的所述主栅线段之间存在间隙，所述主栅线段的两端呈圆角结构，所述外围副栅线连接所述主栅线段，所述中央区域为与所述圆形硅片同心的圆形区域，所述连续直线段的宽度从其一端至另一端渐宽，所述主栅线段的宽度从其一端至另一端渐宽，相邻的所述中央副栅线之间的间距从所述圆形硅片的圆心向外逐渐变大。优选地，所述主栅线的数量为两条，所述中央区域的直径大于两条所述主栅线之间的间距，所述中央副栅线之间通过辅助栅线互相连接。优选地，所述辅助栅线的宽度大于所述中央副栅线的宽度。优选地，所述主栅线的数量为三条，位于中间的主栅线通过所述圆形硅片的中心。 优选地，还包括外框栅线，其中，所述外框栅线呈环状。优选地，所述外框栅线位于所述外围区域内。优选地，所述外框栅线沿所述硅片的边缘延伸。优选地，所述连续直线段的起焊端宽于止焊端。 优选地，所述主栅线段的起焊端宽于止焊端。本专利技术的采用圆形不会造成因切割而导致硅材料的浪费，副栅线的分布与电荷分布密度不均匀的硅片特性相匹配，整条主栅线根据电荷分布密度不均匀的硅片特性而调整宽度，合理减小了银浆用量，并且栅线的宽度渐变，利于减小应力。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显图I示出根据本专利技术的第一实施例的改进电极图案的太阳能电池结构的结构示意图；图2示出根据本专利技术的第二实施例的改进电极图案的太阳能电池结构的结构示意图。具体实施例方式图I示出根据本专利技术的第一实施例的改进电极图案的太阳能电池结构的结构示意图，具体地，根据本专利技术提供的改进电极图案的太阳能电池结构，包括圆形硅片I、以及设置在所述圆形硅片I上的主栅线，所述圆形硅片上包括中央区域5和外围区域4，其中，所述中央区域5被包围在所述外围区域4中，所述中央区域5内设置有中央副栅线3，所述外围区域4中设置有外围副栅线，所述主栅线连接所述中央副栅线3和外围副栅线，所述中央副栅线3呈同心的环状分布，所述外围副栅线呈网格状分布。所述主栅线位于所述中央区域5内的部分为连续直线段21，所述主栅线位于所述外围区域4内的部分为多个与所述连续直线段21位于同一直线上的主栅线段22，相邻的所述主栅线段之间存在间隙，所述主栅线段22的两端呈圆角结构，所述外围副栅线连接所述主栅线段22，所述中央区域5为与所述圆形硅片I同心的圆形区域，所述连续直线段21的宽度从其一端至另一端渐宽，所述主栅线段22的宽度从其一端至另一端渐宽，相邻的所述中央副栅线3之间的间距从所述圆形硅片I的圆心向外逐渐变大。优选地，所述主栅线的数量为两条，所述中央区域的直径大于两条所述主栅线之间的间距，所述中央副栅线之间通过辅助栅线8互相连接。所述辅助栅线8的宽度大于所述中央副栅线的宽度。所述连续直线段的起焊端宽于止焊端。本专利技术的采用圆形不会造成因切割而导致硅材料的浪费，副栅线的分布与电荷分布密度不均匀的硅片特性相匹配，整条主栅线根据电荷分布密度不均匀的硅片特性而调整宽度，合理减小了银浆用量，并且栅线的宽度渐变，利于减小应力。图2示出根据本专利技术的第二实施例的改进电极图案的太阳能电池结构的结构示意图，本领域技术人员可以将本实施例理解为图I所示实施例的一个变化例，具体地，本实施例与图I所示实施例的区别之处在于，在本实施例中，所述主栅线的数量为三条，位于中间的主栅线通过所述圆形硅片的中心。优选地，根据本专利技术提供的改进电极图案的太阳能电池结构还包括外框栅线，其中，所述外框栅线呈环状。优选地，所述外框栅线位于所述外围区域内。优选地，所述外框栅线沿所述硅片的边缘延伸。由于圆形硅片的面积相对于切割得到的矩形硅片的面积要大，因此通过所述外框栅线能够减小光电流的阻值。以上对本专利技术的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本专利技术并不局限于上述 特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本专利技术的实质内容。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种改进电极图案的太阳能电池结构，包括圆形硅片、以及设置在所述圆形硅片上的主栅线，其特征在于，所述圆形硅片上包括中央区域和外围区域，其中，所述中央区域被包围在所述外围区域中，所述中央区域内设置有中央副栅线，所述外围区域中设置有外围副栅线，所述主栅线连接所述中央副栅线和外围副栅线，所述中央副栅线呈同心的环状分布，所述外围副栅线呈网格状分布，所述主栅线位于所述中央区域内的部分为连续直线段，所述主栅线位于所述外围区域内的部分为多个与所述连续直线段位于同一直线上的主栅线段，相邻的所述主栅线段之间存在间隙，所述主栅线段的两端呈圆角结构，所述外围副栅线连接所述主栅线段，所述中央区域为与所述圆形硅片同心的圆形区域，所述连续直线段的宽度从其一端至另一端渐宽，所述主栅线段的宽度从其一端至另一端渐宽，相邻的所述中央副栅线之间的间距从所述圆形硅片的圆心向外逐渐变大。2.根据权利要求I所述的改进电极图案的太阳能电池结构，其特征在于，所述主栅线的数量为两条，所述中央区域的直...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱腾达，顾锡淼，
申请(专利权)人：嘉兴优太太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：
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