【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制备MWT (金属缠绕式)硅太阳能电池的方法。本专利技术也涉及相应的MWT硅太阳能电池。
技术介绍
当前制备的大部分太阳能电池均基于结晶硅。具有P型(P掺杂)硅基板的常规太阳能电池在其正面上具有η型扩散层形式的η型(η掺杂)发射器。此类常规的硅太阳能电池结构使用负极来接触电池的正面或光照面、以及背面上的正扱。众所周知，入射在半导体的ρ-η结上的合适波长的辐射充当在该半导体中产生电子-空穴对的外部能源。在ρ-η结处存在电势差，这导致空穴和电子以相反的方向横跨该结移动，从而产生能够向外部电路输送电カ的电流。大部分太阳能电池为已被金 属化的硅片形式，即具有导电的金属触点。通常，正面金属化为所谓的H图案的形式，即银网格阴极的形式，其包含细的平行指状线(收集器线)以及使指状线成直角相交的汇流条，而背面金属化是与银或银/铝汇流条或插片电连接的铝阳扱。从正面汇流条以及背面汇流条或插片收集光电流。MWT硅太阳能电池是其电池设计不同于前述段落中所述的常规硅太阳能电池的硅太阳能电池的实例。MWT硅太阳能电池是技术人员所熟知的(參见例如说明资料“Preliminary ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.12.15 US 61/286,5211.用于制备MWT硅太阳能电池的方法，包括以下步骤 (1)提供P型硅片，其具有α)在所述硅片的正面和背面之间形成通路的空穴和(ii)延伸到所述空穴的整个正面和内侧的η型发射器， (2)将导电性金属浆料施用至所述硅片的空穴以至少为所述空穴的内侧提供金属化， (3)对施用的导电性金属浆料进行干燥，以及 (4)焙烧干燥的导电性金属浆料，从而使所述硅片达到700-900°C的峰值温度， 其中所述导电性金属浆料不具有烧透能力或仅具有较差烧透能力并且包含(a)至少ー种选自银、铜和镍的粒状导电金属以及(b)有机载体。2.权利要求I的方法，其中所述P型硅片在其正面上具有ARC层，所述层略过所述空穴的内侧。3.权利要求I或2的方法，其中基于总导电性金属浆料组合物计，所述有机载体的含量为10-45重量％。4.权利要求I或2的方法，其中所述导电金属按50-92重量％的比例存在于所述导电性金属浆料中。5.前述任一项权利要求的方法，其中所述导电金属为银。6.前述任一项权利要求的方法，其中所述导电性金属衆料包含(c)至少ー种玻璃料作为组分，所述玻璃料选自(i)无铅玻璃料，其具有在550-...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·W·杭，G·劳迪辛奥，A·G·普林斯，R·J·S·杨，
申请(专利权)人：E·I·内穆尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：
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