太阳能电池、使用太阳能电池的太阳能电池组件和太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池，在透明导电膜的整个面上形成透光性绝缘层之后，除去透光性绝缘层时，槽的深度的控制具有余地，并且批量生产性优异。该太阳能电池具备：在n型单晶硅基板（10）的表面侧形成的n性非晶硅层（11）；在n型非晶硅层（11）上形成的表面侧透明导电膜（12）；在基板（10）的背面侧形成的p型非晶硅层（13）；和在p型非晶硅层（13）上形成的背面侧的透明导电膜（14），在表面侧的透明导电膜（12）上设置有通过镀层法形成的表面侧集电极（30），并且在背面侧透明导电膜（14）上设置通过有印刷形成的背面侧集电极（4）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及特性良好的太阳能电池、使用该太阳能电池的太阳能电池组件和太阳能电池的制造方法，特别是，涉及表面侧集电极的 构造及其制造方法。
技术介绍
太阳能电池，能够将清洁无尽供给的太阳光转换为直接电力，因此作为新的能量源受到期待。太阳能电池，使用由单晶硅、多晶硅等的结晶类半导体材料、GaAs、InP等的化合物半导体材料等的半导体材料等构成的半导体基板而形成。在这些太阳能电池中，在作为发电层的单晶硅基板表面叠层有非晶硅层的太阳能电池能够实现载流子的再结合损失降低而受到关注。特别是，相互具有反向导电型的单晶硅和非晶硅层之间插入本征非晶硅层，能够降低在其界面的缺口，改善异质结界面的特性的太阳能电池(以下，称为HIT (注册商标)型太阳能电池)受到关注。图15为表示HIT型太阳能电池的结构的截面图。在图15中，在由单晶硅、多晶硅等的结晶类半导体构成的η型结晶类硅基板10的一个主面上，本征(i型)非晶硅层、ρ型非晶硅层13依次叠层，进而在其上，例如形成有由添加锡的氧化铟构成的透明导电膜(TCO)14和由银(Ag)构成的梳形形状的集电极4。在结晶类硅基板10的另一个主面上依次叠层i型非晶硅层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.19 JP 2010-0648001.一种太阳能电池，其特征在于，具备 具有第一导电型的结晶类半导体基板； 设置在所述结晶类半导体基板的第一面上的具有所述第一导电型的第一非晶质半导体层； 设置在所述第一非晶质半导体层上的第一集电极； 设置在所述结晶类半导体基板的第二面上的具有第二导电型的第二非晶质半导体层；和 设置在所述第二非晶质半导体层上的第二集电极，、 所述第一集电极通过镀层法形成， 所述第二集电极通过对所述结晶类半导体基板和所述第二非晶质半导体层之间的接合没有影响的方法形成， 所述第一集电极的形成区域的面积比所述第二集电极的形成区域的面积小。2.如权利要求I所述的太阳能电池，其特征在于 在所述第一非晶质半导体层上依次具有透明导电膜和透光性绝缘层， 所述第一集电极形成为包含设置在所述透光性绝缘层的槽内的部分。3.如权利要求I或2所述的太阳能电池，其特征在于 在所述第二非晶质半导体层上具有透明导电膜， 所述透明导电膜的表面的形成有所述第二集电极的区域的表面形状，与所述透明导电膜的表面的其它区域的表面形状相同。4.如权利要求I 3中任一项所述的太阳能电池，其特征在于 所述第二集电极通过印刷法或蒸镀法形成。5.如权利要求I 3中任一项所述的太阳能电池，其特征在于 所述第二集电极通过镀层法形成在所述第二非晶质半导体层的表面上的整个面上。6.如权利要求I 5中任一项所述的太阳能电池,其特征在于 所述第一集电极配置在光入射侧。7.一种太阳能电池，其特征在于，具备 具有第一导电型的结晶类半导体基板； 设置在所述结晶类半导体基板的第一面上的具有所述第一导电型的第一非晶质半导体层； 设置在所述第一非晶质半导体层上的第一集电极； 设置在所述结晶类半导体基板的第二面上的具有第二导电型的第二非晶质半导体层；和 设置在所述第二半导体层上的第二集电极， 在所述第一非晶质半导体层上依次具有透明导电膜和透光性绝缘层， ...

【专利技术属性】
技术研发人员：津毛定司，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：