乐器用振动传感器及拾音鞍制造技术

一种乐器用振动传感器，其具备基板，与所述基板叠合的第一电极膜，与所述第一电极膜叠合的压电膜，与所述压电膜叠合的第二电极膜，与所述第二电极膜叠合的绝缘膜，与所述绝缘膜叠合且与所述第一电极膜结合，由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘的屏蔽膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种乐器用振动传感器及拾音鞍。
技术介绍
目前，已知有具备用于将吉他等的弦的振动转换为电信号的振动传感器，同时支承弦的拾音鞍(例如国际公开W02008/117483A1)。与在鞍和乐器主体之间夹持振动传感器 的情况相比，通过在鞍中内置振动传感器，不损害乐器的外观，另外，能够将弦振动稳定地转换为电信号。W02008/117483A1所记载的拾音鞍的振动传感器以在两片电极板中夹入压电元件并用线缠绕暂时固定的状态，通过粘接剂粘接在构成拾音鞍的外壳的外形部件上。另外，在W02008/117483A1中，公开有为了屏蔽振动传感器不受振动传感器的输出中产生干扰的电磁波影响，在外形部件上粘接振动传感器之前，在振动传感器的表面粘接或涂布绝缘屏蔽剂的技术。但是，在如W02008/117483A1所记载的那样，将压电元件和电极板以用线缠绕暂时固定的状态粘接于外形部件上，在这种情况下，压电元件和电极板之间产生导电不稳定的可能性较高。特别是由于在演奏时施加大的力，从而压电元件和电极板的接触状态变化的可能性极高。另外，为了防止这种情况，若将导电性粘接剂等导电性材料插入压电元件和电极板之间，则流动的导电性材料可能会使夹持压电元件的两片电极板发生短路。另外，如W02008/117483A1所记载那样，包含电极板的固定及绝缘屏蔽剂的粘接及涂布的制造方法需要手工作业的エ序较多，制造成本较高。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的之ー是提供ー种得到稳定的输出特性且耐久性高的乐器用振动传感器及拾音鞍。为了解决上述课题，本专利技术的乐器用振动传感器具备基板；第一电极膜，其与所述基板叠合；压电膜，其与所述第一电极膜叠合；第二电极膜，其与所述压电膜叠合；绝缘膜，其与所述第二电极膜叠合；屏蔽膜，其与所述绝缘膜叠合且与所述第一电极膜结合，由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘。压电膜与两片电极膜直接结合，因此，压电膜和电极膜的结合力较高。因此，即使在演奏时施加大的力，压电膜和电极膜的接触状态也不容易变化。因而，根据本专利技术，能够实现得到稳定的输出特性且耐久性高的乐器用传感器。而且，通过使用薄膜形成技术，能够制造各层的位置精度较高、价格低廉，而薄且小型的这样的乐器用传感器。而且，绝缘膜及屏蔽膜也使用薄膜形成技术，从而能够叠层在第二电极膜的上方。即，根据本专利技术，能够提高S/N及耐久性，同时能够抑制制造成本。本专利技术的乐器用振动传感器，也可以进ー步具备绝缘膜，其与所述第二电极膜叠合且与所述第二电极膜直接结合；屏蔽膜，其与所述绝缘膜叠合且与所述绝缘膜、所述压电膜和所述第一电极膜直接结合，该屏蔽膜由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘。与所述压电膜的所述屏蔽膜直接结合的端面也可以是倾斜的。具体而言，所述压电膜的端面可以以所述压电膜朝所述基板方向扩展的方式倾斜。所述第一电极膜的端面的至少一部分可以位于比所述压电膜的倾斜的端面更内侧的位置，所述第二电极膜可以沿所述压电膜的倾斜端面到达所述基板。在采用该结构的情况下，所述压电膜的端面傾斜，因此，不会产生端面在垂直的情况下可引起的屏蔽膜的台阶覆盖性变差，能够提高屏蔽膜和基底的紧密结合的強度，同时能够防止屏蔽膜的断线。本专利技术的乐器用振动传感器可以在所述基板的背面形成由磁性体构成的膜。在采用该结构的情况下，电磁干扰的屏蔽效果提高。另外，基板的背面是指相当于叠层有第一电极膜、压电膜、第二电极膜、绝缘膜及屏蔽膜的面的背侧的面。另外，所述第一电极膜、所述第二电极膜或所述屏蔽膜的至少一部分也可以由磁性体构成。在采用该结构的情况下，电磁干扰的屏蔽效果进一步提尚。 所述基板也可以由陶瓷、Si、Si化合物、氧化锆、玻璃、玻璃陶瓷构成。氧化锆韧性较高，因此，乐器用振动传感器的耐久性进ー步提高，另外，容易将乐器用振动传感器以弯曲的状态固定于鞍等振动部件上。另外，氧化锆的耐热性、弯曲强度较高。因此，既可承受制造エ序中的高温的热量，也能够承受由所层叠的材料的热膨胀率的不同引起的翘曲。另夕卜，即使使基板变薄，在制造エ序中也不易断裂，因此，能够实现基板很薄的乐器用振动传感器，在鞍上的固定位置、固定方向的自由度得以扩大。所述氧化锆也可以为部分稳定氧化锆。部分稳定氧化锆含有例如钇，其韧性、耐热性提高。为了解决上述课题，本专利技术的拾音鞍具备支承弦的鞍、固定于所述鞍上的上述乐器用振动传感器。根据本专利技术，能够实现乐器用振动传感器不显眼，且得到稳定输出特性的拾音鞍。另外，固定乐器用振动传感器的位置可以在鞍的内侧也可以在外侧。在所述鞍上也可以以弯曲的状态固定有所述乐器用振动传感器。在采用该结构的情况下，乐器用振动传感器可以固定在任何形状的区域。因而，能够得到良好的输出特性，且能够在不显眼的区域在鞍上固定乐器用振动传感器。拾音鞍也可以具备形成于所述鞍上且收纳所述乐器用振动传感器的传感器收纳部、将所述传感器收纳部中除所述乐器用振动传感器之外的区域填埋的填充材料。所述乐器用振动传感器可以以所述基板弯曲的状态收纳于所述传感器收纳部。例如支承所述弦的所述鞍的上面可以为曲面，所述乐器用振动传感器也可以固定于所述鞍的上面。在采用该结构的情况下，弦的振动传播至乐器用振动传感器的衰减变小，因此，能够提高灵敏度并加快响应。附图说明图IA是表示本专利技术的乐器用振动传感器的第一实施例的剖面图；图IB是图IA所示的乐器用振动传感器的平面图；图IC是表示图IA所示的乐器用振动传感器的变形例的剖面图；图2A及图2B是表示本专利技术的乐器用振动传感器的第二实施例的剖面图及平面图；图3A及图3B是表不本专利技术的拾音鞍的第一实施例的剖面图及平面图。图4是表示本专利技术的拾音鞍的第二实施例的侧面图；图5是表不本专利技术的拾音鞍的第三实施例的侧面图；图6A、图6C、图6E、图6G、图61及图6K是表示本专利技术的拾音鞍的第一实施例的制造方法的侧面图；图6B、图6D、图6F、图6H及图6J是表示本专利技术的拾音鞍的第一实施例的制造方法的剖面图； 图7A、图7C、图7E、图7G及图71是表示本专利技术的拾音鞍的第二实施例的制造方法的侧面图；图7B、图7D、图7F、图7H及图7J是表示本专利技术的拾音鞍的第二实施例的制造方法的剖面图；图8A、图8B及图8D是表示本专利技术的拾音鞍的第二实施例的制造方法的变形例的侧面图；图8C及图8E是表示本专利技术的拾音鞍的第二实施例的制造方法的变形例的剖面图；图9是表示本专利技术的一实施例的吉他的立体图。具体实施例方式下面，參照附图对本专利技术的实施例进行以下说明。另外，对各图中对应的构成要素标注相同的符号，省略重复的说明。<乐器用振动传感器的实施例>图IA及图IB表示本专利技术的乐器用振动传感器的第一实施例。图IA为沿着图IB的A-A线的剖面图。乐器用振动传感器10为用于检测例如图9所示的吉他I的弦振动的传感器。乐器用振动传感器10为应用丝网印刷技术或半导体制造技术等薄膜技术制造的叠层结构体。因此，构成乐器用振动传感器10的基板11、第一电极膜12、压电膜13、第二电极膜14、绝缘膜15、屏蔽膜16无需使用粘接剂等而是通过直接结合而一体化。乐器用振动传感器10的外形尺寸可配合鞍20的形状任意设定。例如，检测吉他的六根弦振动的乐器用振动传感器10的厚度设定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.24 JP 2011-0652151.ー种乐器用振动传感器，其具备 基板； 第一电极膜，其与所述基板叠合； 压电膜，其与所述第一电极膜叠合； 第二电极膜，其与所述压电膜叠合； 绝缘膜，其与所述第二电极膜叠合； 屏蔽膜，其与所述绝缘膜叠合且与所述第一电极膜结合，由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘。2.如权利要求I所述的乐器用振动传感器，其中， 所述压电膜的端面是倾斜的，并使得所述压电膜的截面形状朝向所述基板方向扩展。3.如权利要求2所述的乐器用振动传感器，其中， 所述第一电极膜的端面的至少一部分位于比所述压电膜的倾斜的端面更内侧的位置， 所述第二电极膜沿所述压电膜的倾斜的端面到达所述基板。4.如权利要求I 3中任ー项所述的乐器用振动传感器，其中， 所述基板由陶瓷构成。5.如权利要求I 3中任ー项所述的乐器用振动传感器，其中， 所述基板由Si或Si化合物构成。6.—种拾音鞍，其具备 鞍，其支承弦； 乐器用振动传感器，其固定于所述鞍上，具备基板、与所述基板叠合的第一电极膜、与所述第一电极膜叠合的压电膜、与所述压电膜叠合的第二电极膜、与所述第二电极膜叠合的绝缘膜、与所述绝缘膜叠合且与所述第一电极膜结合的屏蔽膜，所述屏蔽膜由导电性材料构成且通过所述绝缘膜与所述第二电极膜绝缘。7.如权利要求6所述的拾音鞍，其中， 在所述鞍上以弯曲的状态固定有所述乐器用振动传感器。8.如权利要求6所述的拾音鞍，其中，具备 传感器收纳部，其形成于所述鞍上，收纳所述乐器用振动传感器； 填充材料，其将所述传感器收纳部中除所述乐器用振动传感器之外的区...

【专利技术属性】
技术研发人员：松冈润弥，服部敦夫，
申请(专利权)人：雅马哈株式会社，
类型：发明
国别省市：